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本发明提供一种能够抑制面积的增大并使针对ESD的放电能力比以往更强的半导体装置。半导体装置包括第一导电部以及第二导电部，上述第一导电部具有多个部分，上述多个部分分别具有第一导电型且在第一方向上延伸，上述多个部分在与上述第一方向交叉的第二方向...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。

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