半导体封装件及其制造方法技术

公开了一种半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括第一基底和布置在第一基底上方的第一半导体芯片。第二半导体芯片布置在第一半导体芯片的顶表面上方。粘合层在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。第二基底设置在第二半导体芯片上。第二基底基本覆盖第二半导体芯片的顶表面。成型层设置在第一基底与第二基底之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法本申请要求于2016年9月5日提交的第10-2016-0114018号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思的示例性实施例涉及一种半导体封装件，更具体而言，涉及一种制造半导体封装件的方法。
技术介绍
半导体装置可以是重量相对轻、尺寸相对紧凑、速度相对高和性能相对高的装置。半导体封装件可以包括在电子产品中可用的集成电路芯片。通电极(throughelectrode)(例如，TSV)可以被包括在半导体封装件中。
技术实现思路
本专利技术构思的一个或更多个示例性实施例提供一种具有减少翘曲的特性的半导体封装件。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种半导体封装件包括第一基底和布置在第一基底上方的第一半导体芯片。第二半导体芯片布置在第一半导体芯片的顶表面上方。粘合层在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。第二基底设置在第二半导体芯片上。第二基底基本覆盖第二半导体芯片的顶表面。成型层设置在第一基底与第二基底之间。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种制造半导体封装件的方法包括在第一基底的顶表面上安装芯片堆叠件。每个芯片堆叠件包括多个堆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一基底；第一半导体芯片，布置在第一基底上方；第二半导体芯片，布置在第一半导体芯片的顶表面上方；粘合层，位于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间；第二基底，设置在第二半导体芯片上，其中，第二基底基本覆盖第二半导体芯片的顶表面；以及成型层，设置在第一基底与第二基底之间。

【技术特征摘要】
2016.09.05 KR 10-2016-01140181.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一基底；第一半导体芯片，布置在第一基底上方；第二半导体芯片，布置在第一半导体芯片的顶表面上方；粘合层，位于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间；第二基底，设置在第二半导体芯片上，其中，第二基底基本覆盖第二半导体芯片的顶表面；以及成型层，设置在第一基底与第二基底之间。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片具有与第二半导体芯片的厚度基本相同的厚度。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第二半导体芯片的顶表面沿着与第二半导体芯片的顶表面平行的方向与成型层的顶表面基本对齐。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片包括穿透第一半导体芯片的通电极，第一半导体芯片包括面对第一基底的有源表面，第二半导体芯片包括面对第一半导体芯片的有源表面。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片包括堆叠在第一基底上方的多个第一半导体芯片。6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，粘合层还设置在所述多个第一半导体芯片中的相邻的第一半导体芯片之间。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，粘合层具有比第一半导体芯片和第二半导体芯片的宽度大的宽度。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括位于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的凸块，其中，凸块将第二半导体芯片电连接到第一半导体芯片。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一基底包括：氮化硅层，位于第一基底的底表面上；以及外部互连端子，位于第一基底的底表面上，其中，外部互连端子电连接到第一半导体芯片。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一基底包括基体半导体芯片，基体半导体芯片包括穿透基体半导体芯片的基体通电极，其中，第一半导体芯片电连接到基体半导体芯片。11.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：在第一基底的顶表面上安装芯片堆叠件，每个芯片堆叠件包括多...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵京淳，吉明均，柳翰成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR