存储设备及其操作方法技术
【技术实现步骤摘要】
存储设备及其操作方法对相关申请的交叉引用本专利申请要求于2016年8月31日向韩国知识产权局提交的第10-2016-0111905号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入于此。
本公开涉及一种半导体电路。更具体地，本公开涉及一种存储设备及其操作方法。
技术介绍
存储设备是指在诸如计算机、智能电话和智能平板的主机设备的控制下存储数据的设备。存储设备包括将数据存储在诸如硬盘驱动(HDD)的磁盘上的设备，或者将数据存储在诸如固态驱动(SSD)或存储卡的半导体存储器(特别是非易失性存储器)上的设备。非易失性存储器包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器设备、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。随着半导体制造技术的发展，存储设备的量增加。此外，随着半导体制造技术的发展，存储设备的集成度持续增加。存储设备的高集成度使得可以降低制造存储设备所需的成本。然而，存储设备的高集成度导致存储设备的规模缩小(scal...
【技术保护点】
一种存储设备，包括：非易失性存储器设备，包括多个存储块，多个存储块中的每个包括连接到多个串选择线的串选择晶体管、连接到多个接地选择线的接地选择晶体管以及连接到多个字线的存储单元；以及控制器，被配置为在读取回收操作期间，读取存储块当中的第一存储块的有效数据组，并且将所述有效数据组写入存储块当中的第二存储块中，其中，控制器基于所述有效数据组的读取计数分配写入所述有效数据组的第二存储块的第一位置。
【技术特征摘要】
2016.08.31 KR 10-2016-01119051.一种存储设备，包括：非易失性存储器设备，包括多个存储块，多个存储块中的每个包括连接到多个串选择线的串选择晶体管、连接到多个接地选择线的接地选择晶体管以及连接到多个字线的存储单元；以及控制器，被配置为在读取回收操作期间，读取存储块当中的第一存储块的有效数据组，并且将所述有效数据组写入存储块当中的第二存储块中，其中，控制器基于所述有效数据组的读取计数分配写入所述有效数据组的第二存储块的第一位置。2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，当对所述有效数据组中的数据组执行读取操作时，控制器增加所述数据组的读取计数。3.根据权利要求1所述的存储设备，其中，控制器在将所述有效数据组写入第二存储块后重置读取计数。4.根据权利要求1所述的存储设备，其中，当所述有效数据组当中的数据组的读取计数大于阈值时，控制器重新定位所述有效数据组，使得数据组被写入对读取操作期间产生的读取干扰稳健的第二存储块的位置。5.根据权利要求1所述的存储设备，其中：控制器按照根据存储块当中的每个存储块的存储单元的位置确定的次序来执行第一编程操作，以及控制器按照预设的次序顺序地读取第一存储块的有效数据组，并且确定读取的有效数据组中的每个的读取计数是否大于阈值。6.根据权利要求5所述的存储设备，其中，当读取的有效数据组当中的数据组的读取计数不大于阈值时，控制器在第二存储块的当前编程位置处对数据组进行编程。7.根据权利要求5所述的存储设备，其中：当读取的有效数据组当中的数据组的读取计数大于阈值时，控制器确定第二存储块的当前编程位置是否为对读取干扰稳健的位置，以及当第二存储块的当前编程位置是对读取干扰稳健的位置时，控制器在当前编程位置处对数据组进行编程。8.根据权利要求7所述的存储设备，其中，当第二存储块的当前编程位置不是对读取干扰稳健的位置时，控制器延迟数据组的第二编程操作，并且读取第一存储块的有效数据组当中的下一数据组。9.根据权利要求8所述的存储设备，其中，当第二存储块的当前编程位置是对读取干扰稳健的位置时，控制器对数据组执行第二编程操作。10.根据权利要求1所述的存储设备，其中：控制器按照根据存储块当中的每个存储块的存储单元的位置确定的次序来执行编程操作，以及控制器读取第一存储块的有效数据组的读取计数，并且从读取计数当中选择具有大于阈值的读取计数的有效数据组。11.根据权利要求10所述的存储设备，其中，控制器选择将写入具有大于阈值的读取计数的有效数据组的第二存储块的第二位置。12.根据权利要求11所述的存储设备，其中，当第二存储块的当前编程位置不是第二位置中的一个时，控制器读取具有小于或等于阈值的读取计数的有效数据组当中的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李钟沅，申东殷，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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