氮化硅结合碳化硅耐火制品的氮化烧成方法技术

一种氮化硅结合碳化硅耐火制品的氮化烧成方法，包括低温区素坯压制、正常温区素坯压制、进炉、升温烧成、冷却出炉的步骤，低温区素坯压制步骤为按比例称取碳化硅及粒度不高于20um的细硅粉为原料制成低温区素坯，正常温区素坯压制为按比例称取碳化硅及粒度为大于20um、且小于40um的粗硅粉制成正常温区素坯，进炉操作为将低温区素坯送入梭式氮化炉的低温区，将正常温区素坯送入梭式氮化炉的正常温区，本发明专利技术方法采用传统成熟的氮化硅结合碳化硅生产设备，通过合理分析炉内温场分布情况，对应设置不同粒度的硅粉作为原材料，分别形成对应不同区域的素坯，进而使温度与素坯对应，从而解决了熔硅和氮化反应不彻底的问题，一举两得。

Nitriding firing method of silicon nitride and silicon carbide refractory products

A silicon nitride bonded silicon nitride silicon carbide refractories firing method, including low temperature pressing, normal temperature for blank blank pressing, into the furnace heating, firing and cooling out steps, low temperature zone blank pressing step for weighing according to a certain proportion of silicon carbide and grain size less than 20um fine silicon powder as raw materials at low temperature the blank area, normal temperature for blank pressed weigh in proportion and size of silicon carbide coarse silica greater than 20um and less than 40um, the normal temperature made blank, into the furnace operation for low temperature zone in low temperature zone blank into the shuttle type nitriding furnace, the normal temperature normal temperature zone blank into the shuttle nitriding furnace, the method of the invention adopts the traditional mature silicon nitride bonded silicon carbide production equipment, through the rational analysis of the distribution of the temperature of the furnace, the corresponding set of different size silica powder as raw materials, are formed corresponding to different regions The plain blank of the domain corresponds to the surface of the plain billet, thus solving the problem of the incomplete reaction of the molten silicon and nitriding.

【技术实现步骤摘要】
氮化硅结合碳化硅耐火制品的氮化烧成方法
本专利技术涉及耐火材料制备
，尤其涉及一种氮化硅结合碳化硅耐火制品的氮化烧成方法。
技术介绍
氮化硅结合碳化硅耐火材料制品具有抗渣能力强、热震稳定性好、高温强度高等诸多优良性能，在大型炼铁高炉、铝电解槽、陶瓷窑具等行业广泛使用。然而，随着冶金、陶瓷等行业工业技术水平进步以及新兴行业的不断出现，对所要求耐火材料的使用性能提出了更高的要求，为此本专利技术在现有生产线的基础上提出了一种高效的氮化硅结合碳化硅耐火制品的氮化烧成方法，所制备产品可应用于工况环境较为苛刻的各种高温工业设备中。氮化硅结合碳化硅耐火材料制品的生产制备是以不同级配的碳化硅颗粒和细粉、硅粉等为原料，经混炼成型干燥等工序，在流动的高纯氮气（通常不低于99.999%）气氛中，利用氮与硅的高温氮化反应，烧结形成Si3N4相，把碳化硅骨料颗粒直接紧密结合，形成一定形状的制品。虽然目前这种材料的制备工艺水平已较为成熟，但在实际生产过程中仍有两个问题还未得到很好的解决：一是由于梭式氮化炉的加热器是沿着炉体长度方向设置在炉体的两个侧壁上，造成炉内温场不均匀，局部温差对制品质量的影响；二是金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化硅结合碳化硅耐火制品的氮化烧成方法，其特征在于包括以下步骤：低温区素坯压制：按比例称取碳化硅及粒度不高于20um的细硅粉为原料，混炼、振动成型，干燥后得到低温区素坯；正常温区素坯压制：按比例称取碳化硅及粒度为48‑76um的粗硅粉为原料，混炼、振动成型，干燥后得到正常温区素坯；进炉：将低温区素坯送入梭式氮化炉的低温区，码放整齐，将正常温区素坯送入梭式氮化炉的正常温区，码放整齐，低温区的体积与正常温区的体积比为1/7‑1/4，其中，低温区为梭式氮化炉靠近两个炉门和炉底的两个三角区域，正常温区为两个三角区域之间的区域；升温烧成：将梭式氮化炉送电台阶式升温，同时向炉内流动通入氮气，使炉内发生...

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅结合碳化硅耐火制品的氮化烧成方法，其特征在于包括以下步骤：低温区素坯压制：按比例称取碳化硅及粒度不高于20um的细硅粉为原料，混炼、振动成型，干燥后得到低温区素坯；正常温区素坯压制：按比例称取碳化硅及粒度为48-76um的粗硅粉为原料，混炼、振动成型，干燥后得到正常温区素坯；进炉：将低温区素坯送入梭式氮化炉的低温区，码放整齐，将正常温区素坯送入梭式氮化炉的正常温区，码放整齐，低温区的体积与正常温区的体积比为1/7-1/4，其中，低温区为梭式氮化炉靠近两个炉门和炉底的两个三角区域，正常温区为两个三角区域之间的区域；升温烧成：将梭式氮化炉送电台阶式升温，同时向炉内流动通入氮气，使炉内发生氮化烧成反应；冷却出炉。2.如权利要求1所述的氮化硅结合碳化硅耐火制品的氮化烧成方法，其特征在于：还在“升温烧成”之后设置二次沉积步骤，所述二次沉积步骤为：待升温烧成结束后，关闭出气口，以降低氮气流量，直至氮化炉从正压状态转变为近常压状态，同...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕春江，张海涛，王波，杨奎，龚剑锋，
申请(专利权)人：中钢宁夏耐研滨河新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：宁夏,64