Including the exemplary embodiments of the present invention provides a light emitting diode: first and second light-emitting units disposed on the substrate, and spaced apart from each other; the first transparent electrode layer, disposed on the first light emitting unit and electrically connected to the first light-emitting unit; a current blocking layer disposed between the first part and a light emitting unit the first transparent electrode layer; interconnect, for electrically connecting the first light-emitting unit and a second light emitting element; and an insulating layer, and a first light emitting element configuration connection between the side surface. The current barrier and the insulating layer are connected to each other. The light emitting diode of the invention can use a current barrier layer at the same time to avoid increasing the number of photolithography process.
【技术实现步骤摘要】
发光二极管本专利技术是2013年12月20日所提出的申请号为201380066443.4、专利技术名称为《发光二极管》的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术是有关于一种发光二极管,且特别是有关于一种包含多个经由单一基板上的内连线(interconnection)互相连接的发光单元(lightemittingcell)的发光二极管。
技术介绍
氮化镓(GaN)型发光二极管(LED)已经使用于包括全彩发光二极管显示器(fullcolorLEDdisplay)、发光二极管交通号志板、白光发光二极管等等的广泛应用。近年来,发光效率(luminousefficacy)高于现有的萤光灯(fluorescentlamp)的白光发光二极管预期将在通用照明领域超越现有的萤光灯。发光二极管可藉由正向电流(forwardcurrent)驱动来发光且需要直流电的供应。因此,当发光二极管直接连接到交流电(alternatingcurrent,AC)源时,发光二极管将根据电流的方向重复开/关(on/off)操作,因而无法连续发光且可能容易被反向电流(reversecurrent)损坏。为 ...
【技术保护点】
一种发光二极管,其特征在于,包括:第一发光单元和第二发光单元,配置在基板上,所述第一发光单元和所述第二发光单元彼此隔开;第一透明电极层,配置在所述第一发光单元上,所述第一透明电极层电性连接到所述第一发光单元;内连线,用以电性连接所述第一发光单元与所述第二发光单元;绝缘层,配置在所述内连线与所述第一发光单元的侧表面之间;电流阻挡层,配置在所述第一发光单元上,且与所述绝缘层连接;以及绝缘保护层,配置在所述第一发光单元和所述第二发光单元上,所述绝缘保护层配置在用以配置所述内连线的区域之外,其中所述第一发光单元及所述第二发光单元的每一个包括下半导体层、上半导体层、及配置在所述下半导 ...
【技术特征摘要】
2012.12.21 KR 10-2012-0150388;2013.03.19 KR 10-2011.一种发光二极管,其特征在于,包括:第一发光单元和第二发光单元,配置在基板上,所述第一发光单元和所述第二发光单元彼此隔开;第一透明电极层,配置在所述第一发光单元上,所述第一透明电极层电性连接到所述第一发光单元;内连线,用以电性连接所述第一发光单元与所述第二发光单元;绝缘层,配置在所述内连线与所述第一发光单元的侧表面之间;电流阻挡层,配置在所述第一发光单元上,且与所述绝缘层连接;以及绝缘保护层,配置在所述第一发光单元和所述第二发光单元上,所述绝缘保护层配置在用以配置所述内连线的区域之外,其中所述第一发光单元及所述第二发光单元的每一个包括下半导体层、上半导体层、及配置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的主动层,其中所述第一透明电极层具有第一部分及第二部分,所述第一部分配置在所述内连线与所述电流阻挡层之间的,所述第二部分配置在所述第一发光单元的所述上半导体层上,其中配置在所述第一发光单元的所述上半导体层上的所述电流阻挡层的第一端与所述内连线不重叠,且配置在所述第一发光单元的所述上半导体层上的所述电流阻挡层的第二端与所述第一透明电极层不重叠。2.根据权利要求1所述的发光二极管,其中所述电流阻挡层的所述第一端与所述第一透明电极层重叠。3.根据权利要求1所述的发光二极管,其中配置在所述第一发光单元的所述上半导体层上的所述绝缘保护层的侧表面与所述内连线的侧表面接触。4.根据权利要求3所述的发光二极管,其中所述发光二极管还包括与所述内连线的所述侧表面接触的所述绝缘保护层的第一端,所述绝缘保...
【专利技术属性】
技术研发人员:李剡劤,金钟奎,尹余镇,金在权,金每恞,
申请(专利权)人:首尔伟傲世有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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