The invention discloses a micro - emitting diode display and a method for making the display, and the making method includes the following steps. First, a light-emitting diode chip is formed on the substrate. Then, a first substrate is provided, and a printed circuit is provided on the first substrate. The supply substrate is then overlaid on the first substrate, and the light emitting diode chip is fitted to the printed circuit. Then, the light emitting diode chip is removed from the supply substrate. Subsequently, the supply substrate is removed. Then, sol gel glass formed on the first substrate, and completely filled in the gap between the light emitting diode chip. Then, the second substrate is attached to the first substrate. The invention can improve the good rate and reliability.
【技术实现步骤摘要】
微发光二极管显示器和制作方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种微发光二极管显示器和制作方法。
技术介绍
微发光二极管(MicroLED)是一种尺寸在几微米到几百微米之间的组件,由于其尺寸仅有普通发光二极管的1%,使得单一个微发光二极管作为像素(Pixel)用于显示成为可能,并且每一个像素都能寻址、单独驱动发光,画素间的距离也能由原本的毫米级降到微米级。微发光二极管显示器(MicroLEDDisplay)便是一种以高密度的微发光二极管阵列作为显示像素阵列的显示器。承继了发光二极管的特性,微发光二极管的优点包括低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省电、寿命较长、效率较高等。特别是,其消耗功率只需要液晶显示器(LCD)的10%,或是有机发光显示器(OLED)的50%。而且,与同样是自发光显示的有机发光显示器相较下,亮度还比其高出30倍,分辨率更可达1500PPI。另外,还具有较佳的材料稳定性与无影像烙印的优势。目前微发光二极管阵列的制作方法,包括了芯片绑定(ChipBonding)、晶圆片绑定(WaferBonding)与薄膜转移(Thinfilmtransfer)。在芯片绑定的制作方法中,由于晶格匹配的原因,微发光二极管组件必须先在供给基板上制作,随后通过激光剥离(Laserlift-off,LL0)将微发光二极管裸芯片(barechip)从供给基板上分离,随后再通过微转印(MicroTransferPrint,MTP)将其转移到已经预先制备电路图案的接受基板上,形成微发光二极管阵列。然而,在微转印技术制作微发光二极管阵列的过程中,需 ...
【技术保护点】
一种微发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,包含步骤:形成发光二极管芯片于供给基板上;提供第一基板,所述第一基板上具有印制电路;将所述供给基板倒置覆盖于所述第一基板上,并使所述发光二极管芯片对位貼合于所述印制电路;使所述发光二极管芯片从所述供给基板上脱落;移除所述供给基板;形成溶胶‑凝胶玻璃于所述第一基板上,并完全填充于所述发光二极管芯片间的空隙;貼合第二基板于所述第一基板上。
【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,包含步骤:形成发光二极管芯片于供给基板上;提供第一基板,所述第一基板上具有印制电路;将所述供给基板倒置覆盖于所述第一基板上,并使所述发光二极管芯片对位貼合于所述印制电路;使所述发光二极管芯片从所述供给基板上脱落;移除所述供给基板;形成溶胶-凝胶玻璃于所述第一基板上,并完全填充于所述发光二极管芯片间的空隙;貼合第二基板于所述第一基板上。2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第二基板贴合于所述第一基板的表面具有荧光膜,并且所述荧光膜对位于所述发光二极管芯片。3.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一基板和/或所述第二基板为玻璃基板。4.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在形成溶胶-凝胶玻璃于所述第一基板上时,还包括使所述溶胶-凝胶玻璃覆盖所述发光二极管芯片与所述印制电路,研磨所述溶胶-凝胶玻璃,直到所述发光二极管芯片表面曝露出来的步骤。5.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在进行将所述供给基板倒置覆盖于所述第一基板上的步骤时,更包含步骤:形成焊锡层于所述第一基板的所述印制电路上;且热回流所述焊锡层。6.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述形成溶胶-凝胶玻璃于所述第一基板上的步...
【专利技术属性】
技术研发人员:洪盟渊,
申请(专利权)人:开发晶照明厦门有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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