【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种提升散热效率的发光二极管和一种发光装置,特别是涉及一种具有包括散热电极的结构而能够有效散热的发光二极管。
技术介绍
发光二极管是一种无机半导体元件,能够发出电子和空穴复合产生的光,按电极配置位置或所述电极与外部引线连接的方式不同,分为水平式发光二极管、直立式发光二极管或覆晶式(flip-chip)发光二极管等等。最近,随着对高功率发光二极管的需求增加,对散热效率高的大面积覆晶式发光二极管的需求也猛增。覆晶式发光二极管的电极直接粘接于次级基板,因其不使用导线,与水平式发光二极管相比,其散热效率非常高。因此,即便接通高密度电流,也能有效地将热量传导至次级基板侧,覆晶式发光二极管作为高功率发光二极管最为合适不过。作为贴装覆晶式发光二极管的次级基板,一般使用包含金属的基板。图1(a)及图1(b)显示贴装以往覆晶式发光二极管的次级基板及包括其的发光装置。图1(a)所示的发光装置包括如下结构,即在包括被绝缘体21隔开并绝缘的第一基座23及第二基座25的次级基板20上贴装覆晶式发光二极管。所述发光二极管包括发光结构体11及向发光结构体11下部延长形成的第一电极13和第二电极15。此时,第一电极13和第二电极15分别接触第一基座23及第二基座25,使得发光二极管被贴装到基板20上。根据图1(a)的发光装置,由于发光结构体11通过第一电极13及第二电极15直接接触次级基板20的第一基座23及第 ...
【技术保护点】
一种发光装置,其特征在于,包括:发光二极管;以及基板,所述基板包括基座及位于所述基座上的导电性图案,且所述基板贴装到所述发光二极管,所述发光二极管包括:发光结构体,所述发光结构体包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层的下面的活性层以及位于所述活性层的下面的第二导电型半导体层;部分地去除所述活性层及所述第二导电型半导体层而使所述第一导电型半导体层的下表面部分地露出的区域;电极层,位于所述第二导电型半导体层的下面而形成欧姆接触;第一金属层,其通过所述第一导电型半导体层露出的所述区域而与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触;第一绝缘层,其部分地覆盖所述第一金属层和所述电极层;第一凸块及第二凸块,其位于所述发光结构体的下部而与所述导电性图案接触,所述第一凸块及所述第二凸块分别与所述第一金属层及所述电极层电连接;以及散热电极,其位于所述发光结构体的下部且与所述基座接触;其中所述第一导电型半导体层部分地露出的所述区域包括所述第一导电型半导体层露出的多个孔以及连接所述孔的至少一个连接孔,而所述第一凸块、所述第二凸块及所述散热电极相互隔开,所述散热电极的热传导性高于所述第一凸块及所述第二凸块 ...
【技术特征摘要】
2014.07.18 KR 10-2014-00912271.一种发光装置,其特征在于,包括:
发光二极管;以及
基板,所述基板包括基座及位于所述基座上的导电性图案,且所述基
板贴装到所述发光二极管,
所述发光二极管包括:
发光结构体,所述发光结构体包括第一导电型半导体层、位于所
述第一导电型半导体层的下面的活性层以及位于所述活性层的下面的第
二导电型半导体层;
部分地去除所述活性层及所述第二导电型半导体层而使所述第
一导电型半导体层的下表面部分地露出的区域;
电极层,位于所述第二导电型半导体层的下面而形成欧姆接触;
第一金属层,其通过所述第一导电型半导体层露出的所述区域而
与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触;
第一绝缘层,其部分地覆盖所述第一金属层和所述电极层;
第一凸块及第二凸块,其位于所述发光结构体的下部而与所述导
电性图案接触,所述第一凸块及所述第二凸块分别与所述第一金属层及所
述电极层电连接;以及
散热电极,其位于所述发光结构体的下部且与所述基座接触;
其中所述第一导电型半导体层部分地露出的所述区域包括所述第一
导电型半导体层露出的多个孔以及连接所述孔的至少一个连接孔,
而所述第一凸块、所述第二凸块及所述散热电极相互隔开,所述散热
电极的热传导性高于所述第一凸块及所述第二凸块的热传导性。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:
所述发光二极管还包括绝缘物质部,所述绝缘物质部覆盖所述第一凸
块、所述第二凸块及所述散热电极的侧面。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于:
所述绝缘物质部的下表面、所述第一凸块的下表面、所述第二凸块的
下表面及所述散热电极的下表面以相同高度并排形成。
4.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于:
所述基座包括突出部,所述突出部的上表面、所述导电性图案的上表
面以相同高度并排形成。
5.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于:所述第一凸块、所
述第二凸块及所述散热电极包含焊料。
6.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:
所述散热电极位于所述第一凸块和所述第二凸块之间。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于:
所述导电性图案包括与所述第一凸块接触的第一导电性图案以及与
所述第二凸块接触的第二导电性图案,所述基座包括位于所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:金彰渊,朴柱勇,孙成寿,
申请(专利权)人:首尔伟傲世有限公司,
类型:新型
国别省市:韩国;KR
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