制造半导体器件的方法和半导体器件技术

本公开涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在非导电封装材料(20)中包括至少一个导电金属元件(16)的半导体器件(10)是通过以下方式制造的：‑提供具有平滑形态用于覆盖前述金属元件(16)的第一金属层(102)；以及‑提供第二金属层(104)，该第二金属层用于部分地覆盖该第一层(102)，使得该第一层(102)的表面的至少一部分被暴露，该第二层(104)具有粗糙的形态。还可以提供的是一种裸片焊盘(14)，用于通过以下方式来安装半导体裸片(12)：提供前述第一层(102)用来覆盖该裸片焊盘(14)；以及将半导体裸片(12)附接至与该第一层(102)相接触的该裸片焊盘(14)上。

Methods and semiconductor devices for the manufacture of semiconductor devices

The present disclosure relates to a method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device. In the non conductive packaging materials (20) comprises at least one conductive metal element (16) of the semiconductor device (10) is made by the following way: provides smooth form for covering the metal element (16) of the first metal layer (102); and the provides second metal layer (104), the the second metal layer for partially covering the first layer (102), the first layer (102) at least a portion of the surface is exposed, the second layer (104) having a rough form. Can also provide a die pad (14), used by the following way to install a semiconductor die (12): the first layer (102) used to cover the die pad (14); and the semiconductor die (12) attached to the first layer (102) the die pad contact (14).

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法和半导体器件
本公开涉及半导体器件(诸如集成电路)的制造。一个或多个实施例可以应用于在这类器件中形成导电触头，例如，铜触头。
技术介绍
半导体电路(特别是集成电路)的市场例如在多个行业(诸如汽车行业)对制造商强加日益迫切的要求。例如，有需要基于使用所谓的金属引线框(LF)来设置半导体电路的封装体，这些金属引线框能够承受热机械应力，诸如由组件工艺或者由重复的激活/去激活(打开/关闭)循环引起的应力。例如，期望的是实现关于诸如脱层现象的良好水平的固有鲁棒性，以便能够实现可被定义为无脱层(即具有能够承受不同材料(诸如例如，引线框的导电材料(铜)与封装体的树脂或化合物)之间的脱层现象的封装结构)的解决方案。诸如US2009/0315159A1的文献代表已知技术。
技术实现思路
一个或多个实施例的目标是有助于解决先前概括的问题。根据一个或多个实施例，由于呈现了在随后权利要求书中所回忆的特性的方法，可实现以上目标。一个或多个实施例还可以是关于相应的半导体器件。权利要求书形成了在此提供的实施例的示例的描述的完整部分。一个或多个实施例可以设想，借助于能够提高对封装体的树脂/化合物的粘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件(10)的方法，所述半导体器件在非导电封装材料(20)中包括至少一个导电金属构件(16)，所述方法包括：‑提供覆盖所述导电金属构件(16)的第一金属层(102)，所述第一层(102)包括平坦的形态，以及‑提供第二金属层(104)，所述第二金属层通过使得所述第一层(102)的至少一个表面部分未被覆盖而部分地覆盖所述第一层(102)，所述第二层(104)包括粗糙的形态。

【技术特征摘要】
2016.08.19 IT 1020160000863211.一种制造半导体器件(10)的方法，所述半导体器件在非导电封装材料(20)中包括至少一个导电金属构件(16)，所述方法包括：-提供覆盖所述导电金属构件(16)的第一金属层(102)，所述第一层(102)包括平坦的形态，以及-提供第二金属层(104)，所述第二金属层通过使得所述第一层(102)的至少一个表面部分未被覆盖而部分地覆盖所述第一层(102)，所述第二层(104)包括粗糙的形态。2.如权利要求1所述的方法，包括优选地通过焊接将导电接线(18)键合到所述第二层(104)上。3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中：-所述第一层(102)具有1-2微米(1-2.10-6m)的厚度，并且/或者-所述第二层(104)具有1-3微米(1-3.10-6m)的厚度。4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中：-所述第一层(102)具有大约为1的糙度表面比或SR，并且/或者-所述第二层(104)具有大约为1.2至3.0的糙度表面比或SR糙度。5.如以上权利要求中任一项所述的方法，其中，所述金属构件(16)、所述第一层(102)以及所述第二层(104)中的至少一者并且优选地全部包括铜。6.如以上权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一层(102)包括亮铜。7.如以上权利要求中任一项所述的方法，包括：通过电解沉积、化学气相沉积、溅射、无电式电镀以及喷涂之一来提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·克雷马，P·卡莎蒂，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利,IT