The invention provides a preparation method of aluminum doped Zinc Oxide transparent conductive film includes: two hydrated zinc acetate as solute, six hydrated aluminum chloride as the doping agent and ethanol as solvent, the allocation of a precursor liquid film formed on the substrate; the precursor liquid film; heat treatment in nitrogen atmosphere; and heat treatment atmosphere synthesis in nitrogen and hydrogen in the film. This disclosure also provides an aluminum doped Zinc Oxide transparent conductive film prepared by the above method and a thin film solar cell made of Zinc Oxide thin film as a positive electrode. The preparation method of open aluminum doped transparent conductive film Zinc Oxide has the advantages of low pollution, simple manufacturing process, low cost and so on; aluminum doped conductive film has excellent performance, Zinc Oxide's high visible light transmission rate and flat surface; with aluminium doped amorphous silicon thin film of Zinc Oxide as the conversion of positive electrode single junction thin film solar cell with about 7% efficiency.
【技术实现步骤摘要】
铝掺杂氧化锌透明导电薄膜、制备方法及薄膜太阳能电池
本公开属于光电子
,尤其涉及一种铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)透明导电薄膜、制备方法及薄膜太阳能电池。
技术介绍
透明导电薄膜对于薄膜电子器件是一种非常关键的材料。它是一种既具有良好的导电性,又在可见光范围具有很高的透过率的半导体材料。这些特性使其在液晶显示器、电致发光器件、薄膜太阳能电池等光电子器件中有着广泛的应用。二十世纪五十年代,氟掺杂氧化锡(SnO2:F)和锡掺杂氧化铟(In2O3:Sn)被开发出来并先后实现了工业化应用,两者均具有很高的掺杂效率,即很高的载流子浓度,因而具有优越的电学性能。但正是由于强的载流子吸收,使其对红外光具有较低的透过率,因此限制了其在红外探测器等领域的应用。另外,两者都还存在易被氢等离子体还原的问题,此问题会对等离子体增强型化学气相沉积工艺制备的薄膜硅太阳能电池产生显著的负面影响。被氢等离子体还原的金属离子或原子会扩散到光学吸收层,劣化器件性能。由于ZnO基透明导电薄膜具有低原料成本、环境友好、耐氢等离子等优点,因此其引起了人们的广泛关注。现有的可制备出低电阻率ZnO基透明导电薄膜的方法包括磁控溅射法和金属有机化合物气相沉积法等物理方法,但是这些方法都需要昂贵的大型的真空设备。而溶胶-凝胶法具备非真空薄膜生长环境、多样化制膜方法、在粗糙衬底上可实现平坦表面等特点,具备科学研究和商业应用的价值。虽然目前已有使用溶胶-凝胶法得到具有低电阻率的ZnO基透明导电薄膜的技术,但是目前普遍采用乙二醇甲醚(2-methoxyethano)、甲醇(methanol)等有毒有机溶剂。另 ...
【技术保护点】
一种铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法,包括:以二水合乙酸锌为溶质,六水合三氯化铝为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,配置先驱液;利用所述先驱液在衬底上形成薄膜;将所述薄膜在氮气气氛进行热处理;以及将所述薄膜在氮气和氢气的合成气氛中进行热处理。
【技术特征摘要】
1.一种铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法,包括:以二水合乙酸锌为溶质,六水合三氯化铝为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,配置先驱液;利用所述先驱液在衬底上形成薄膜;将所述薄膜在氮气气氛进行热处理;以及将所述薄膜在氮气和氢气的合成气氛中进行热处理。2.根据权利要求1所述的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法,其中,所述二水合乙酸锌的浓度为0.5~0.75mol/L。3.根据权利要求1所述的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法,其中,所述先驱液还包含稳定剂乙醇胺,所述二水合乙酸锌和乙醇胺的摩尔比为1∶1。4.根据权利要求1所述的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法,其中,所述二水合乙酸锌和六水合三氯化铝的摩尔比为0.008∶1~0.012∶1。5.根据权利要求1所述的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法,其中,在将所述薄膜在氮气气氛进行热处理的步骤中,将薄膜放入一导入氮气的红外线灯加热炉中,并将薄膜在400℃~650℃的加热炉中保温1h~4h,然后薄膜随加热炉自然冷却;其中,所述氮气导入加热炉的流速为0.8...
【专利技术属性】
技术研发人员:孟磊,杨涛,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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