一种应用于薄膜体声波器件的多层键合系统集成封装结构技术方案

本发明专利技术公开了一种应用于薄膜体声波器件的多层键合系统集成封装结构，包括上下依次叠放的底层、中间层和顶层，其中中间层为一层或者多层，每层的基体材料为硅基板，相邻两层之间的硅基板通过键合工艺连接为一体。在部分硅基板上开设有容置腔，容置腔内安装有芯片，芯片通过硅基板上的导通孔进行需要的电路连接。本发明专利技术利用多层键合工艺，形成一个适用于系统集成的外壳结构，将FBAR器件和其他的器件进行有机组合，达到系统级封装的目的，从而简化封装工艺、提高效率，实现器件小型化。

An integrated package structure for multilayer bonding system used in thin film acoustic devices

Multi key the invention discloses an application in thin film bulk acoustic wave devices system integrated package structure, including upper and lower stacked layer, middle layer and the top layer, the middle layer is a layer or a plurality of layers, each layer of the substrate material is a silicon substrate, the silicon plate between two adjacent layers by bonding the process is connected. A capacitive cavity is opened on some silicon substrates, and a chip is installed in the accommodating chamber. The chip is connected by a circuit through a conducting hole on the silicon substrate. The multi-layer bonding process is applied to form a shell structure suitable for system integration. The FBAR device and other devices are organically combined to achieve the purpose of system level packaging, thereby simplifying the packaging process, improving the efficiency and realizing the miniaturization of the device.

【技术实现步骤摘要】
一种应用于薄膜体声波器件的多层键合系统集成封装结构
本专利技术涉及薄膜体声波器件，具体涉及一种应用于薄膜体声波器件的多层键合系统集成封装结构，属于薄膜体声波滤波器模组封装领域。
技术介绍
随着薄膜与微纳制造技术的发展，电子器件正向微型化、高密集复用、高频率和低功耗的方向迅速发展。近年来发展起来的薄膜体声波谐振器（FBAR）采用一种先进的谐振技术，它是通过压电薄膜的逆压电效应将电能量转换成声波而形成谐振，这一谐振技术可以用来制作薄膜频率整形器件等先进元器件。薄膜体声波谐振器（FBAR）声波器件具有体积小，成本低，品质因数（Q）高、功率承受能力强、频率高（可达1-10GHz）且与IC技术兼容等特点，适合于工作在1-10GHz的RF系统应用，有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波（SAW）器件和微波陶瓷器，因此在新一代无线通信系统和超微量生化检测领域具有广阔的应用前景。在现有结构中，薄膜体声波器件涉及的各种无源芯片和有源芯片先安装在陶瓷基板或树脂基板上，然后再分别封装在专门的金属或塑封壳体内以形成独立的单个小器件，最后再将所有单个小器件集成安装在一块PCB板上，从而构成能独立完成特定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于薄膜体声波器件的多层键合系统集成封装结构，其特征在于：包括上下依次叠放的底层、中间层和顶层，其中中间层为一层或者多层，每层的基体材料为硅基板，相邻两层之间的硅基板通过键合工艺连接为一体；在部分硅基板上开设有容置腔，容置腔内安装有芯片，芯片通过硅基板上的导通孔进行需要的电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种应用于薄膜体声波器件的多层键合系统集成封装结构，其特征在于：包括上下依次叠放的底层、中间层和顶层，其中中间层为一层或者多层，每层的基体材料为硅基板，相邻两层之间的硅基板通过键合工艺连接为一体；在部分硅基板上开设有容置腔，容置腔内安装有芯片，芯片通过硅基板上的导通孔进行需要的电路连接。2.根据权利要求1所述的应用于薄膜体声波器件的多层键合系统集成封装结构，其特征在于：在底层硅基板下表面设有若干底部焊盘，底部焊盘通过导通孔与对应的芯片连接。3.根据权利要求2所述的应用于薄膜体声波器件的多层键合系统集成封装结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：金中，唐小龙，杜雪松，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：重庆,50