体声波滤波器装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种体声波滤波器装置及其制造方法，所述体声波滤波器装置包括：基板；下电极，在所述基板上；压电层，覆盖所述下电极的至少部分；及上电极，覆盖所述压电层的至少部分。所述上电极具有密度减小层，所述密度减小层设置在所述上电极的除所述体声波滤波器装置的谐振区的中央部分之外的至少部分上，所述体声波滤波器装置的谐振区在所述压电层的激发过程中随着所述压电层变形和振动。所述密度减小层的密度小于所述上电极的其他部分的密度。

Sonic wave filter and its manufacturing method

The present invention provides a bulk acoustic wave filter device and manufacturing method thereof, wherein the bulk acoustic wave filter device includes: a substrate; a lower electrode on the substrate; a piezoelectric layer covering at least part of the lower electrode and the upper electrode; at least part, covering the piezoelectric layer. The upper electrode has reduced the density of layer, the density layer is arranged on the upper electrode in addition to the central part of the resonance region of the bulk acoustic wave filter device of at least part of the excitation process, resonance region of the bulk acoustic wave filter device in the piezoelectric layer along with the pressure layer deformation and vibration. The density of the density reduction layer is less than the density of the other parts of the upper electrode.

【技术实现步骤摘要】
体声波滤波器装置及其制造方法本申请要求于2016年7月7日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0085999号韩国专利申请以及于2016年11月28日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0159241号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种体声波滤波器装置及其制造方法。
技术介绍
体声波谐振器(BAWR)装置指的是利用压电介电材料的压电特性产生谐振的薄膜式元件。例如，压电介电材料可沉积在诸如硅晶圆的半导体基板上。在这种具有BAWR构造的薄膜式元件作为滤波器实施时，显示为体声波滤波器装置。虽然诱发的纵向波沿着所施加的电场的方向形成，但是在振动的横向波分量在体声波滤波器装置的平面方向上引起寄生谐振的情况下，横向波(与纵向波正交)的振动分量或者寄生谐振在对应的体声波滤波器装置的谐振频率和周围的频率范围中出现并因此而影响谐振频率和周围的频率范围。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
来以简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在具体实施方式中进一步描述所述构思。本
技术实现思路
既不意在限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个方面中，提供一种体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置包括：基板；下电极，在所述基板上；压电层，覆盖所述下电极的至少部分；及上电极，覆盖所述压电层的至少部分，其中，所述上电极具有密度减小层，所述密度减小层设置在所述上电极的除所述体声波滤波器装置的谐振区的中央部分之外的至少部分上，所述体声波滤波器装置的谐振区在所述压电层的激发过程中随着所述压电层变形和振动，所述密度减小层的密度小于所述上电极的其他部分的密度。所述密度减小层可包含氧化物。所述上电极可包括导体，其中，所述密度减小层可以是所述上电极的所述导体的选择氧化的产物。所述上电极可具有覆盖所述压电层的电极层和堆叠在所述电极层上的框架层，并且所述密度减小层可形成在所述电极层的设置在所述框架层和所述电极层的与所述谐振区相对应的内部区域之间的部分上。形成在所述电极层的所述部分上的所述密度减小层可具有在所述内部区域的周围之外且在所述框架层的内周之内的带形状。所述框架层的厚度可大于所述电极层的厚度。所述上电极可具有覆盖所述压电层的电极层和堆叠在所述电极层上的框架层，并且所述密度减小层可形成在所述框架层上以及所述框架层和所述电极层的内部区域之间。所述框架层可具有在所述内部区域的周围之外的带形状。所述体声波滤波器装置还可包括：第一层，与所述基板一起形成气隙；及第二层，形成在所述第一层上以设置在所述气隙上且在所述下电极的下方。所述体声波滤波器装置还可包括：第一金属焊盘，形成在所述上电极上；第二金属焊盘，形成在所述下电极上；及钝化层，形成在所述体声波滤波器装置的除所述体声波滤波器装置的形成有所述金属焊盘的部分之外的所有部分中。所述上电极可包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)和铂(Pt)中的任意一种或者钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)和铂(Pt)中的至少两种的合金。所述体声波滤波器装置还可包括：气隙形成层，形成在所述基板上，所述气隙形成层中具有气隙；及第一保护层，形成在所述气隙形成层上并且设置在所述下电极的下方。在一个总的方面中，提供一种制造体声波滤波器装置的方法，所述方法包括：形成所述体声波滤波器装置的层，所述层包括牺牲层、下电极层、压电层和上电极层；形成光刻胶层以暴露所述上电极层的除所述上电极层的中央部分之外的部分；通过氧化所述上电极的从所述形成的光刻胶层向外暴露的部分形成密度减小层；及移除所述光刻胶层。为形成所述上电极层，所述方法还可包括形成覆盖所述压电层的电极层和形成堆叠在所述电极层上的框架层，其中，所述密度减小层可形成在所述电极层的设置在所述框架层和所述电极层的内部之间的选择部分上。为形成所述上电极层，所述方法还可包括形成覆盖所述压电层的电极层和形成堆叠在所述电极层上的框架层，其中，所述密度减小层形成在所述框架层上以及在所述电极层的设置在所述框架层和所述电极层的内部之间的选择部分上。所述上电极层可包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)和铂(Pt)中的任意一种或者钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)和铂(Pt)中的至少两种的合金。所述形成所述密度减小层可包括执行灰化工艺以使所述上电极层的所述部分中的导体氧化。在一个总的方面中，提供一种膜体声波谐振器，所述膜体声波谐振器包括：基板，包括或者支撑腔；第一电极，在所述腔的上方；压电层，在所述腔的上方；第二电极，在所述腔的上方；框架，在所述第一电极的上方且在由至少所述第一电极的部分、所述压电层的部分和所述第二电极的部分表示的谐振区的外周，及低密度元件，在所述第一电极的上方并且在所述框架的内周之内且在所述谐振区的内部区域之外；所述框架和所述低密度元件被构造为抑制除在所述谐振区产生的纵向谐振之外的寄生谐振。所述低密度元件可被构造为抑制所述谐振区中的横向波激发。所述低密度元件的密度可小于所述第一电极的密度。所述低密度元件可以是所述第一电极的导体的氧化物，并且由所述第一电极形成。所述压电层可包含氮化铝(AIN)，所述压电层还可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。在一个总的方面中，提供一种膜体声波谐振器，所述膜体声波谐振器包括：基板，包括或支撑腔；第一电极，在所述腔的上方；压电层，在所述腔的上方；第二电极，在所述腔的上方；及低密度元件，在所述第一电极的上方并且相对于由至少所述第一电极的部分、所述压电层的部分和所述第二电极的部分表示的谐振区的周围布置，并且在所述谐振区的内部区域之外，所述低密度元件被构造为抑制在所述谐振区的横向波激发。所述低密度元件的密度可小于所述第一电极的密度。所述低密度元件可以是所述第一电极的导体的氧化物，并且由所述第一电极形成以具有小于所述导体的密度的密度。所述低密度元件的厚度可小于所述谐振区的总剩余对齐部分的厚度。所述腔可形成在所述基板上形成的气隙形成层的部分之间，以使所述腔形成在所述基板的上方。提供以下具体实施方式、附图和权利要求，其他方面和特征将是显而易见的。附图说明图1是示出根据一个或更多个实施例的体声波滤波器装置的截面图。图2是示出通过图1的体声波滤波器装置而减小噪声的示例的曲线图。图3至图5是示出形成设置在根据一个或更多个实施例的体声波滤波器装置中的密度减小层的工艺的截面图。图6是示出根据一个或更多个实施例的体声波滤波器装置的截面图。图7是示出形成设置在根据一个或更多个实施例的体声波滤波器装置中的密度减小层的工艺的截面图。图8是示出根据一个或更多个实施例的体声波滤波器装置的截面图。在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同或相似的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，附图中的元件的相对尺寸、比例和描述可被夸大。具体实施方式提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容后，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，这里所描述的操作顺序仅仅是示例，其并不局限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种体声波滤波器装置，包括：基板；下电极，在所述基板上；压电层，覆盖所述下电极的至少部分；及上电极，覆盖所述压电层的至少部分，其中，所述上电极具有密度减小层，所述密度减小层设置在所述上电极的除所述体声波滤波器装置的谐振区的中央部分之外的至少部分上，所述体声波滤波器装置的谐振区在所述压电层的激发过程中随着所述压电层变形和振动，所述密度减小层的密度小于所述上电极的其他部分的密度。

【技术特征摘要】
2016.07.07 KR 10-2016-0085999;2016.11.28 KR 10-2011.一种体声波滤波器装置，包括：基板；下电极，在所述基板上；压电层，覆盖所述下电极的至少部分；及上电极，覆盖所述压电层的至少部分，其中，所述上电极具有密度减小层，所述密度减小层设置在所述上电极的除所述体声波滤波器装置的谐振区的中央部分之外的至少部分上，所述体声波滤波器装置的谐振区在所述压电层的激发过程中随着所述压电层变形和振动，所述密度减小层的密度小于所述上电极的其他部分的密度。2.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述密度减小层包含氧化物。3.根据权利要求2所述的体声波滤波器装置，其中，所述上电极包括导体，并且其中，所述密度减小层是所述上电极的所述导体的选择氧化的产物。4.根据权利要求2所述的体声波滤波器装置，其中，所述上电极具有覆盖所述压电层的电极层和堆叠在所述电极层上的框架层，并且其中，所述密度减小层形成在所述电极层的设置在所述框架层和所述电极层的与所述谐振区相对应的内部区域之间的部分上。5.根据权利要求4所述的体声波滤波器装置，其中，形成在所述电极层的所述部分上的所述密度减小层具有在所述内部区域的周围之外且在所述框架层的内周之内的带形状。6.根据权利要求4所述的体声波滤波器装置，其中，所述框架层的厚度大于所述电极层的厚度。7.根据权利要求2所述的体声波滤波器装置，其中，所述上电极具有覆盖所述压电层的电极层和堆叠在所述电极层上的框架层，并且其中，所述密度减小层形成在所述框架层上以及所述框架层和所述电极层的内部区域之间。8.根据权利要求4所述的体声波滤波器装置，其中，所述框架层具有在所述内部区域的周围之外的带形状。9.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，还包括：第一层，与所述基板一起形成气隙；及第二层，形成在所述第一层上以设置在所述气隙上且在所述下电极的下方。10.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，还包括：第一金属焊盘，形成在所述上电极上；第二金属焊盘，形成在所述下电极上；及钝化层，形成在所述体声波滤波器装置的除所述体声波滤波器装置的形成有所述金属焊盘的部分之外的所有部分中。11.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述上电极包含钼、钌、钨、铱和铂中的任意一种或者钼、钌、钨、铱和铂中的至少两种的合金。12.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，还包括：气隙形成层，形成在所述基板上，所述气隙形成层中具有气隙；及第一保护层，形成在所述气隙形成层上并且设置在所述下电极的下方。13.一种制造体声波滤波器装置的方法，所述方法包括：形成所述体声波滤波器装置的层，所述层包括牺牲层、下电极层、压电层和上电极层；形成光刻胶层以暴露所述上电极层的除所述上电极层的中央部分之外的部分；通过氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：林昶贤，李文喆，韩源，李泰京，金大虎，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR