The invention discloses an organic thin film transistor array substrate and a preparation method thereof, display device, wherein the organic thin film transistor array substrate and its preparing method includes: providing a substrate; a first metal layer, a transparent electrode layer and a photoresist layer are sequentially deposited on the substrate; the first semi permeable mask patterning process, to the formation of the data line, the source electrode and the drain electrode and a pixel electrode, wherein the source electrode and the drain channel region is formed between the semiconductor layer are sequentially deposited; and the insulating layer and the second metal layer is patterned; using second mask to form a semiconductor layer, a gate insulating layer, a gate in the the channel region and the gate is connected with a scanning line; depositing a passivation layer; patterning process using the third mask, exposed to the pixel electrode; the pixel electrode shape OLED material. Through the above methods, the optical mask process can be effectively reduced and the cost can be reduced.
【技术实现步骤摘要】
一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
有机薄膜晶体管(OTFT,OrganicThinFilmTransistor)是一种使用有机物作为半导体材料的薄膜晶体管,通常选用塑料基板。有机薄膜晶体管的制备方法比传统无机薄膜晶体管的制备方法简单,对成膜气氛的条件及纯度的要求都较低,制作成本更低;另外,有机薄膜晶体管有优异的柔韧性,适用于柔性显示、电子皮肤、柔性传感器等
有机薄膜晶体管具有可卷曲、制程成本低等优点,使其成为当前最具潜力的下一代柔性显示器的新型有机薄膜晶体管阵列基板板技术。目前,一般都需要6~7次光罩制程来完成有机薄膜晶体管阵列基板的制备。本申请的专利技术人在长期的研发过程中,发现过多的黄光制程会增加制程成本,降低生产效益。另外,目前有机薄膜晶体管源漏极的材料一般选择功函数较低的金属银以降低接触电阻,但金属银在没有保护层覆盖的情况下容易被氧化而降低传导能力。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置,能够减少光 ...
【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:提供基板;在所述基板上依次沉积第一金属层、透明电极层以及光阻层;利用第一半透光罩进行图案化处理,以形成数据线、源极、漏极以及像素电极,其中所述源极和所述漏极之间形成有沟道区;依次沉积半导体层、绝缘层以及第二金属层;利用第二光罩进行图案化处理,以在所述沟道区上形成有源层、栅极绝缘层、栅极,所述栅极连接有扫描线;沉积钝化层;利用第三光罩进行图案化处理,以裸露所述像素电极。
【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:提供基板;在所述基板上依次沉积第一金属层、透明电极层以及光阻层;利用第一半透光罩进行图案化处理,以形成数据线、源极、漏极以及像素电极,其中所述源极和所述漏极之间形成有沟道区;依次沉积半导体层、绝缘层以及第二金属层;利用第二光罩进行图案化处理,以在所述沟道区上形成有源层、栅极绝缘层、栅极,所述栅极连接有扫描线;沉积钝化层;利用第三光罩进行图案化处理,以裸露所述像素电极。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述利用第一半透光罩进行图案化处理的步骤中,所述第一半透光罩包括阻光区、半透光区、透光区,所述图案化处理包括:利用第一半透光罩进行曝光、显影,以使得所述光阻层对应所述阻光区、半透光区、透光区分别形成第一厚度区、第二厚度区、空区;蚀刻以去除所述空区下方对应的所述第一金属层和所述透明电极层;进行灰化处理,以使所述第一厚度区的光阻和所述第二厚度区的光阻的厚度同步降低直至所述第二厚度区的光阻被去除;蚀刻所述第二厚度区下方对应的所述透明电极层以裸露所述第一金属层进而成形成间隔设置的所述源极和所述漏极,其中所述沟道区包括所述源极和所述漏极之间的第一沟道区及所述源极和所述漏极上方的透明电极层之间的第二沟道区;剥离所述第一厚度区的光阻。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述利用第二光罩进行图案化处理的步骤中,所述第二光罩包括透光区和阻光区,所述阻光区与所述沟道区相对应,所述有源层包括填入所述第一沟道区的第一有源层和填入所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐洪远,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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