一种组合开关制造技术

本发明专利技术公开了一种组合开关。组合开关，包括结型场效应晶体管和二极管，所述结型场效应晶体管包括栅极、源极和漏极，所述二极管包括阳极和阴极，所述结型场效应晶体管的漏级为所述组合开关的第一端子，所述结型场效应晶体管的源极和所述二极管的阴极连接，所述结型场效应晶体管的栅极和所述二极管的阳极连接，所述二极管的阳极为所述组合开关的第二端子。本发明专利技术的组合开关相较于单个二极管具有更高的反向耐压，并具有零反向恢复特性以及更低的正向导通电压。

A combination switch

The invention discloses a combination switch. The combination switch, including junction field effect transistors and diodes, the junction field effect transistor including a gate electrode, a source electrode and a drain electrode of the diode includes an anode and a cathode, wherein the first terminal of the drain junction field effect transistor as the switch, the junction field effect transistor source is connected to the diode and the cathode, the anode junction gate field effect transistor and the diode connected to an anode of the diode is the combination of the second terminal switch. The combined switch of the present invention has a higher reverse voltage resistance than a single diode, and has a zero reverse recovery characteristic and a lower forward conduction voltage.

【技术实现步骤摘要】
一种组合开关
本专利技术有关电源领域，且特别是有关于快恢复开关。
技术介绍
快恢复二极管(Fastrecoverydiode，简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短或零反向恢复特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压(耐压值)较高。但是在高压应用环境下，快恢复二极管，特别是超快恢复二极管，具有较大的反向恢复损耗，且价格昂贵。肖特基二极管是以其专利技术人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合开关，其特征在于，包括结型场效应晶体管和二极管，所述结型场效应晶体管包括栅极、源极和漏极，所述二极管包括阳极和阴极，所述结型场效应晶体管的漏级为所述组合开关的第一端子，所述结型场效应晶体管的源极和所述二极管的阴极连接，所述结型场效应晶体管的栅极和所述二极管的阳极连接，所述二极管的阳极为所述组合开关的第二端子。

【技术特征摘要】
1.一种组合开关，其特征在于，包括结型场效应晶体管和二极管，所述结型场效应晶体管包括栅极、源极和漏极，所述二极管包括阳极和阴极，所述结型场效应晶体管的漏级为所述组合开关的第一端子，所述结型场效应晶体管的源极和所述二极管的阴极连接，所述结型场效...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明，孙巨禄，彭晗，刘建，
申请(专利权)人：南京博兰得电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32