一种高隔离度射频开关电路制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种高隔离度射频开关电路，包括：第一射频电路，其用于传输射频信号，其包括第一射频端口和第二射频端口，所述第一射频端口电连接第一二极管第一端，所述第一二极管的第二端电连接第二二极管的第二端，所述第二二极管的第一端与所述第二射频端口电连接；第二射频电路，其用于传输射频信号，其包括所述第一射频端口和第三射频端口，所述第一射频端口电连接第三二极管的第三端，所述第三二极管的第四端电连接第四二极管的第四端，所述第四二极管的第三端与所述第三射频端口电连接；第一二极管回路；第二二极管回路；第三二极管回路；第四二极管回路。采用本发明专利技术，具有可较好的隔离度和较好的开关效果的优点。

A radio frequency switch circuit with high isolation

The embodiment of the invention discloses a high isolation switch circuit: the first RF circuit for transmitting radio frequency signal, which comprises a first RF RF port and second port, the first port is electrically connected with the first end of the first RF diode, the second terminal of the first diode is connected with the second diode second end the first end, the second diode and the second RF port is electrically connected; second RF circuit, which is used for transmitting radio frequency signal, which comprises a first radio frequency RF port and third port, the first RF port is electrically connected with the third diode third terminal, fourth terminal of the third diode is connected with fourth diodes the fourth end of the fourth diode third terminal and the third RF port is electrically connected; the first diode circuit; second diode circuit; the Three diode loop; fourth diode loop. The invention has the advantages of better isolation and better switching effect.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频电路
，具体地讲，涉及一种高隔离度射频开关电路。
技术介绍
由于二极管的单方向导通性，例如PIN二极管，二极管经常被应用在射频开关电路上，然而，二极管反偏或者零偏的时候隔离度较低,单个二极管设计的射频开关不适合在隔离度要求高的射频电路领域。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种高隔离度射频开关电路，可适合在隔离度要求高的射频电路领域。为了解决上述技术问题，本专利技术第一方面实施例提供了一种高隔离度射频开关电路，包括：第一射频电路，其用于传输射频信号，其包括第一射频端口和第二射频端口，所述第一射频端口电连接第一二极管第一端，所述第一二极管的第二端电连接第二二极管的第二端，所述第二二极管的第一端与所述第二射频端口电连接；第二射频电路，其用于传输射频信号，其包括所述第一射频端口和第三射频端口，所述第一射频端口电连接第三二极管的第三端，所述第三二极管的第四端电连接第四二极管的第四端，所述第四二极管的第三端与所述第三射频端口电连接；第一二极管回路，其包括第一输入电压端，所述第一二极管的一端电连接所述第一输入电压端，所述第一二极管的另一端接地；第二二极管回路，其包括第二输入电压端，所述第二二极管的一端电连接所述第二输入电压端，所述第二二极管的另一端接地；第三二极管回路，其包括第三输入电压端，所述第三二极管的一端电连接所述第三输入电压端，所述第三二极管的另一端接地；第四二极管回路，其包括第四输入电压端，所述第四二极管的一端电连接所述第四输入电压端，所述第四二极管的另一端接地；其中，所述第一二极管回路和所述第二二极管回路同时导通，所述第三二极管回路和所述第四二极管回路同时导通，且所述第一射频电路和所述第二射频电路传输射频信号的时间错开。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第一端为阴极，所述第二端为阳极，所述第一输入电压端和所述第二输入电压端为同一输入电压端，所述第一输入电压端电连接所述第一二极管的阳极，所述第二输入电压端电连接所述第二二极管的阳极。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第一二极管回路包括第一电阻、第二电阻、第一电感和第二电感，所述第一输入电压端和所述第一二极管之间串联所述第二电阻、第二电感，所述第一二极管与接地之间串联所述第一电阻、第一电感；所述第二二极管回路包括第三电阻、第三电感、第一电感和第一电阻，所述第二输入电压端和所述第二二极管之间串联所述第二电阻、第二电感，所述第二二极管与接地之间串联所述第三电阻、第三电感。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第一端为阴极，所述第二端为阳极，所述第一输入电压端电连接所述第一二极管的阳极，所述第二输入电压端电连接所述第二二极管的阳极。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第一二极管回路包括第一电阻、第二电阻、第一电感和第二电感，所述第一输入电压端和所述第一二极管之间串联所述第一电阻、第一电感，所述第一二极管与接地之间串联所述第二电阻、第二电感；所述第二二极管回路包括第三电阻、第三电感、第二电感和第二电感，所述第二输入电压端和所述第二二极管之间串联所述第三电阻、第三电感，所述第二二极管与接地之间串联所述第二电阻、第二电感，所述第一二极管和所述第二二极管通过同一线路接地。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第三端为阴极，所述第四端为阳极，所述第三输入电压端和所述第四输入电压端为同一输入电压端，所述第三输入电压端电连接所述第三二极管的阳极，所述第四输入电压端电连接所述第四二极管的阳极。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第三端为阴极，所述第四端为阳极，所述第三输入电压端电连接所述第三二极管的阳极，所述第四输入电压端电连接所述第四二极管的阳极。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第一射频端口为输入端口，所述第二射频端口、所述第三射频端口分别为输出端口；或者，所述第一射频端口为输出端口，所述第二射频端口、所述第三射频端口分别为输入端口。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第一射频端口和所述第一二极管所述第一端之间设有第一电容，所述第二射频端口和所述第二二极管所述第一端之间设有第二电容，所述第三射频端口和所述第三二极管所述第三端之间设有第三电容，所述第四射频端口和所述第四二极管所述第三端之间设有第四电容。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管、所述第四二极管均为PIN二极管。实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：由于第一射频电路包括第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管背靠背设置，所述第二射频电路包括第三二极管和第四二极管，所述第三二极管和所述第四二极管背靠背设置，从而，第一射频电路工作时，第二射频电路上的第三二极管和第四二极管一起起到隔离信号的作用，第二射频电路工作时，第一射频电路上的第一二极管和第二二极管一起起到隔离信号的作用，从而本实施例的射频电路具有较好的隔离度和较好的开关效果，端口隔离度高，适用性强,电路结构简单，成本也较低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术第一实施例高隔离度射频开关电路的电路图；图2是本专利技术第一实施例高隔离度射频开关电路频率-插入损耗的示意图；图3是本专利技术第一实施例高隔离度射频开关电路频率-隔离度的示意图；图4是本专利技术第二实施例高隔离度射频开关电路的电路图；图示说明：C11-第一射频电路；C12-第二射频电路；C13-第一二极管回路；C14-第二二极管回路；C15-第三二极管回路；C16-第四二极管回路；R1-第一电阻；R2-第二电阻；R3-第三电阻；R4-第四电阻；R5-第五电阻；R6-第六电阻；L1-第一电感；L2-第二电感；L3-第三电感；L4-第四电感；L5-第五电感；L6-第六电感；C1-第一电容；C2-第二电容；C3-第三电容；C4-第四电容；C5-第五电容；C6-第六电容；T1-第一输入电压端；T2-第二输入电压端；T3-第三输入电压端；T4-第四输入电压端；RF1-第一射频端口；RF2-第二射频端口；RF3-第三射频端口。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本申请说明书、权利要求书和附图中出现的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同的对象，而并非用于描述特定的顺序。第一实施例本专利技术实施例提供一种高隔离度射频开关电路，请参见图1，包括第一射频电路C11、第二射频电路C12、第一二极管回路C13、第二二极管回路C14、第三二极管回路C15和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高隔离度射频开关电路，其特征在于，包括：第一射频电路，其用于传输射频信号，其包括第一射频端口和第二射频端口，所述第一射频端口电连接第一二极管第一端，所述第一二极管的第二端电连接第二二极管的第二端，所述第二二极管的第一端与所述第二射频端口电连接；第二射频电路，其用于传输射频信号，其包括所述第一射频端口和第三射频端口，所述第一射频端口电连接第三二极管的第三端，所述第三二极管的第四端电连接第四二极管的第四端，所述第四二极管的第三端与所述第三射频端口电连接；第一二极管回路，其包括第一输入电压端，所述第一二极管的一端电连接所述第一输入电压端，所述第一二极管的另一端接地；第二二极管回路，其包括第二输入电压端，所述第二二极管的一端电连接所述第二输入电压端，所述第二二极管的另一端接地；第三二极管回路，其包括第三输入电压端，所述第三二极管的一端电连接所述第三输入电压端，所述第三二极管的另一端接地；第四二极管回路，其包括第四输入电压端，所述第四二极管的一端电连接所述第四输入电压端，所述第四二极管的另一端接地；其中，所述第一二极管回路和所述第二二极管回路同时导通，所述第三二极管回路和所述第四二极管回路同时导通，且所述第一射频电路和所述第二射频电路传输射频信号的时间错开。...

【技术特征摘要】
1.一种高隔离度射频开关电路，其特征在于，包括：第一射频电路，其用于传输射频信号，其包括第一射频端口和第二射频端口，所述第一射频端口电连接第一二极管第一端，所述第一二极管的第二端电连接第二二极管的第二端，所述第二二极管的第一端与所述第二射频端口电连接；第二射频电路，其用于传输射频信号，其包括所述第一射频端口和第三射频端口，所述第一射频端口电连接第三二极管的第三端，所述第三二极管的第四端电连接第四二极管的第四端，所述第四二极管的第三端与所述第三射频端口电连接；第一二极管回路，其包括第一输入电压端，所述第一二极管的一端电连接所述第一输入电压端，所述第一二极管的另一端接地；第二二极管回路，其包括第二输入电压端，所述第二二极管的一端电连接所述第二输入电压端，所述第二二极管的另一端接地；第三二极管回路，其包括第三输入电压端，所述第三二极管的一端电连接所述第三输入电压端，所述第三二极管的另一端接地；第四二极管回路，其包括第四输入电压端，所述第四二极管的一端电连接所述第四输入电压端，所述第四二极管的另一端接地；其中，所述第一二极管回路和所述第二二极管回路同时导通，所述第三二极管回路和所述第四二极管回路同时导通，且所述第一射频电路和所述第二射频电路传输射频信号的时间错开。2.如权利要求1所述的高隔离度射频开关电路，其特征在于，所述第一端为阴极，所述第二端为阳极，所述第一输入电压端和所述第二输入电压端为同一输入电压端，所述第一输入电压端电连接所述第一二极管的阳极，所述第二输入电压端电连接所述第二二极管的阳极。3.如权利要求2所述的高隔离度射频开关电路，其特征在于，所述第一二极管回路包括第一电阻、第二电阻、第一电感和第二电感，所述第一输入电压端和所述第一二极管之间串联所述第二电阻、第二电感，所述第一二极管与接地之间串联所述第一电阻、第一电感；所述第二二极管回路包括第三电阻、第三电感、第一电感和第一电阻，所述第二输入电压端和所述第二二极管之间串联所述第二电阻、第二电感，所述第二二极管与接地之间串联所述第三电阻、第三电感...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱大友，
申请(专利权)人：宇龙计算机通信科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44