一种易于集成的高电源选择电路制造技术

一种易于集成的高电源选择电路，包括第一电源选择PMOS开关、二电源选择PMOS开关、第一限流电阻、第二限流电阻和双稳态控制NMOS对管；所述第一电源选择PMOS开关、二电源选择PMOS开关漏极互相短接，作为高电源选择电路的输出极；所述第电源选择PMOS开关一、二电源选择PMOS开关源极作为高电源选择电路的输入端，接第一、二输入电源；所述第一电源选择PMOS开关、第二电源选择PMOS开关栅极分别连接第一、二限流电阻的一端及双稳态控制NMOS对管的输出极；所述第一、二限流电阻的另一端连接第一、二输入电源。本发明专利技术提供了一种低功耗、结构简单、面积小的易于集成的高电源选择电路。

【技术实现步骤摘要】
一种易于集成的高电源选择电路
本专利技术涉及高电源选择电路领域，特别是涉及一种易于集成的高电源选择电路领域。
技术介绍
随着移动设备的发展，越来越多的移动设备需要支持双电源供电，例如电池电源和USB电源。出于电路可靠性的考虑，当电路同时连接双电源时，往往需要较高的电源给电路供电，较低的电源关闭。存在的技术缺点是：功耗较高、结构复杂、面积较大。
技术实现思路
为了克服已有双电源供电的功耗较高、结构复杂、面积较大的不足，本专利技术提供了一种低功耗、结构简单、面积小的易于集成的高电源选择电路。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种易于集成的高电源选择电路，包括第一电源选择PMOS开关、二电源选择PMOS开关、第一限流电阻、第二限流电阻和双稳态控制NMOS对管；所述第一电源选择PMOS开关、二电源选择PMOS开关漏极互相短接，作为高电源选择电路的输出极；所述第电源选择PMOS开关一、二电源选择PMOS开关源极作为高电源选择电路的输入端，接第一、二输入电源；所述第一电源选择PMOS开关、第二电源选择PMOS开关栅极分别连接第一、二限流电阻的一端及双稳态控制NMOS对管的输出极；所述第一、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种易于集成的高电源选择电路，其特征在于：包括第一电源选择PMOS开关、二电源选择PMOS开关、第一限流电阻、第二限流电阻和双稳态控制NMOS对管；所述第一电源选择PMOS开关、二电源选择PMOS开关漏极互相短接，作为高电源选择电路的输出极；所述第电源选择PMOS开关一、二电源选择PMOS开关源极作为高电源选择电路的输入端，接第一、二输入电源；所述第一电源选择PMOS开关、第二电源选择PMOS开关栅极分别连接第一、二限流电阻的一端及双稳态控制NMOS对管的输出极；所述第一、二限流电阻的另一端连接第一、二输入电源。

【技术特征摘要】
1.一种易于集成的高电源选择电路，其特征在于：包括第一电源选择PMOS开关、二电源选择PMOS开关、第一限流电阻、第二限流电阻和双稳态控制NMOS对管；所述第一电源选择PMOS开关、二电源选择PMOS开关漏极互相短接，作为高电源选择电路的输出极；所述第电源选择PMOS开关一、二电源选择PMOS开关源极作为高电源选择电路的输入端，接第一、二输入电源；所述第一电源选择PMOS开关、第二电源选择PMOS开关栅极分别连接第一、二限流电...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴丽丽，余佩琼，李剑清，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33