一种GFF屏幕贴合工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种GFF屏幕贴合工艺，包括以下步骤：IR自动线缩水，干膜贴覆，通过压膜机在产品ITO表面贴覆完整干膜，保护ITO层；曝光，将需要的ITO图像曝光在干膜上；ITO显影蚀刻剥膜，通过弱碱将未曝光的干膜剥离，在ITO面形成需要保护的ITO图案；通过强酸将没有干膜保护的ITO蚀刻在PET Film上形成ITO回路；通过强碱将保护ITO的干膜全部剥离；上下OCA贴合，将OCA胶通过滚轮贴合的方式贴合在上Film的上线表面；PET开槽，在PET和FPC口位置开出槽口，便于FPC组合；上下线贴合，将上下ITO FILM通过光学透明胶贴合在一起，形成完整的功能层；外形冲切，通过刀模将大张材料切成所需要的小片材料外形。本发明专利技术有效提高ITO pattern的完整性；使用银浆镭射雕刻，使得线宽线距更窄。

【技术实现步骤摘要】
一种GFF屏幕贴合工艺
本专利技术涉及显示屏领域，具体涉及一种GFF屏幕贴合工艺。
技术介绍
从屏幕的结构上看，我们可以把屏幕大致分为3个部分，从上到下分别是保护玻璃，触摸屏、显示屏，而这三部分是需要进行贴合的，按贴合的方式可以分为全贴合和框贴两种。框贴又称为口字胶贴合，即简单的以双面胶将触摸屏与显示屏的四边固定；显示屏与触摸屏间存在着空气层。全贴合技术即是以水胶或光学胶将显示屏与触摸屏无缝隙完全黏贴在一起。全贴合工艺的优点在于屏幕能隔绝灰尘和水汽，全贴合OCA胶填充了空隙，显示面板与触摸屏紧密贴合，粉尘和水汽无处可入，保持了屏幕的洁净度；全贴合工艺可以有更佳的显示效果，全贴合技术消除了屏幕间的空气，能大幅度降低光线的发射、减少透出光线损耗从而提升亮度，增强屏幕的显示效果；全贴合工艺可以减少噪声干扰，触摸屏与显示面板紧密贴合除能提升强度外，全贴合更能有效降低噪声对触控讯号所造成的干扰，提升触控操作流畅感。但是，全贴合工艺存在的缺点在于生产良率较低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是生产良率较低，目的在于提供一种GFF屏幕贴合工艺，提高生产良率。本专利技术通过下述技术方案实现：一种GFF屏幕贴合工艺，包括以下步骤：IR自动线缩水，通过高温将PETFILM材收缩，使基材成型，然后通过ITO层重新结晶，使ITO层方阻稳定；干膜贴覆，通过压膜机在产品ITO表面贴覆完整干膜，保护ITO层；曝光，通过光罩，将需要的ITO图像曝光在干膜上；ITO显影蚀刻剥膜，通过弱碱将未曝光的干膜剥离，在ITO面形成需要保护的ITO图案；通过强酸将没有干膜保护的ITO蚀刻在PETFilm上形成ITO回路；通过强碱将保护ITO的干膜全部剥离；银浆印刷，在ITO层印刷银浆线路形成导电回路；银浆烘烤，稳定银浆特性以及附着力；银浆镭射雕刻，银浆线路需要镭射，使银浆线宽线距达到需求的窄线宽；上下OCA贴合，将OCA胶通过滚轮贴合的方式贴合在上Film的上线表面；PET开槽，在PET和FPC口位置开出槽口，便于FPC组合；上下线贴合，将上下ITOFILM通过光学透明胶贴合在一起，形成完整的功能层；外形冲切，通过刀模将大张材料切成所需要的小片材料外形；功能外观检验。本专利技术中的干膜贴覆可以避免耐酸渗透、耐酸黏连；本专利技术中的ITO显影蚀刻剥膜采用了与传统技术相反的碱将未经曝光的干膜剥离，有效提高ITOpattern的完整性；本专利技术使用银浆镭射雕刻使得线路雕刻更窄。进一步地，一种GFF屏幕贴合工艺，银浆镭射雕刻中线宽线距40μm。现有技术中的线宽线距在60μm以上。进一步地，一种GFF屏幕贴合工艺，IR自动线缩水中的高温范围在310℃～520℃。进一步地，一种GFF屏幕贴合工艺，IR自动线缩水中的高温为520℃。温度在310℃～520℃间变化时，电导率呈逐渐上升趋势。在520℃退火温度下出现峰值，电导率σ＝7.314×104(1/Ω·cm)。当温度在520℃～640℃之间变化时，电导率迅速下降。由公式：σ＝neμ(其中σ为电导率，n为载流子浓度，e是单位电荷，μ为迁移率)可知，电导率是由载流子浓度和电子迁移率共同决定的。载流子浓度在520℃之后趋于稳定并稍有降低。迁移率均随退火温度的升高先上升后下降，且在520℃退火时出现最大值。在520℃之前电导率上升是由于：随着退火温度的上升，晶粒尺寸变大，结晶度得到改善，导致晶界缺陷密度降低，晶界散射减少，电子迁移率随之增加。进一步地，一种GFF屏幕贴合工艺，曝光采用UV灯。使用UV灯可以避免异物造成ITO残留。本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：本专利技术通过碱将未经曝光的干膜剥离，有效提高ITOpattern的完整性；使用银浆镭射雕刻，使得线宽线距更窄。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本专利技术实施例的限定。在附图中：图1为本专利技术结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本专利技术作进一步的详细说明，本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定。实施例如图1所示，一种GFF屏幕贴合工艺，其特征在于，包括以下步骤：IR自动线缩水，通过高温将PETFILM材收缩，使基材成型，然后通过ITO层重新结晶，使ITO层方阻稳定；IR自动线缩水中的高温范围在310℃～520℃。IR自动线缩水中的高温为520℃。干膜贴覆，通过压膜机在产品ITO表面贴覆完整干膜，保护ITO层；曝光，通过光罩，将需要的ITO图像曝光在干膜上；曝光采用UV灯。ITO显影蚀刻剥膜，通过弱碱将未曝光的干膜剥离，在ITO面形成需要保护的ITO图案；通过强酸将没有干膜保护的ITO蚀刻在PETFilm上形成ITO回路；通过强碱将保护ITO的干膜全部剥离；银浆印刷，在ITO层印刷银浆线路形成导电回路；银浆烘烤，稳定银浆特性以及附着力；银浆镭射雕刻，银浆线路需要镭射，使银浆线宽线距达到需求的窄线宽；银浆镭射雕刻中线宽线距40μm。上下OCA贴合，将OCA胶通过滚轮贴合的方式贴合在上Film的上线表面；PET开槽，在PET和FPC口位置开出槽口，便于FPC组合；上下线贴合，将上下ITOFILM通过光学透明胶贴合在一起，形成完整的功能层；外形冲切，通过刀模将大张材料切成所需要的小片材料外形；功能外观检验。以上所述的具体实施方式，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施方式而已，并不用于限定本专利技术的保护范围，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GFF屏幕贴合工艺，其特征在于，包括以下步骤：IR自动线缩水，通过高温将PET FILM材收缩，使基材成型，然后通过ITO层重新结晶，使ITO层方阻稳定；干膜贴覆，通过压膜机在产品ITO表面贴覆完整干膜，保护ITO层；曝光，通过光罩，将需要的ITO图像曝光在干膜上；ITO显影蚀刻剥膜，通过弱碱将未曝光的干膜剥离，在ITO面形成需要保护的ITO图案；通过强酸将没有干膜保护的ITO蚀刻在PET Film上形成ITO回路；通过强碱将保护ITO的干膜全部剥离；银浆印刷，在ITO层印刷银浆线路形成导电回路；银浆烘烤，稳定银浆特性以及附着力；银浆镭射雕刻，银浆线路需要镭射，使银浆线宽线距达到需求的窄线宽；上下OCA贴合，将OCA胶通过滚轮贴合的方式贴合在上Film的上线表面；PET开槽，在PET和FPC口位置开出槽口，便于FPC组合；上下线贴合，将上下ITO FILM通过光学透明胶贴合在一起，形成完整的功能层；外形冲切，通过刀模将大张材料切成所需要的小片材料外形；功能外观检验。

【技术特征摘要】
1.一种GFF屏幕贴合工艺，其特征在于，包括以下步骤：IR自动线缩水，通过高温将PETFILM材收缩，使基材成型，然后通过ITO层重新结晶，使ITO层方阻稳定；干膜贴覆，通过压膜机在产品ITO表面贴覆完整干膜，保护ITO层；曝光，通过光罩，将需要的ITO图像曝光在干膜上；ITO显影蚀刻剥膜，通过弱碱将未曝光的干膜剥离，在ITO面形成需要保护的ITO图案；通过强酸将没有干膜保护的ITO蚀刻在PETFilm上形成ITO回路；通过强碱将保护ITO的干膜全部剥离；银浆印刷，在ITO层印刷银浆线路形成导电回路；银浆烘烤，稳定银浆特性以及附着力；银浆镭射雕刻，银浆线路需要镭射，使银浆线宽线距达到需求的窄线宽；上下OCA贴合，将O...

【专利技术属性】
技术研发人员：周正高，
申请(专利权)人：周正高，
类型：发明
国别省市：四川,51