印刷电路板和包括该印刷电路板的半导体存储器件制造技术

可以提供一种半导体存储器件，包括：壳体，包括上壳体、下壳体、从所述下壳体延伸到所述上壳体的支撑结构；印刷电路板(PCB)，在所述壳体中并被所述支撑结构支撑；在所述PCB的下表面上的片簧，所述片簧被置于所述支撑结构的支撑面上；以及在所述PCB和所述片簧之间的焊接层，所述焊接层将所述PCB与所述片簧耦接。

A printed circuit board and a semiconductor storage device including the printed circuit board

To provide a semiconductor memory device includes a housing including the upper shell and the lower shell, which extends from the shell to the supporting structure of the upper casing; the printed circuit board (PCB), in the housing and the support structure supporting; in the PCB on the lower surface of the leaf spring and the springs are arranged on the support surface of the structure; and between the PCB and the leaf spring welding layer, the welding layer of the PCB and the leaf spring coupling.

【技术实现步骤摘要】
印刷电路板和包括该印刷电路板的半导体存储器件相关申请交叉引用本申请要求于2016年7月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0097027的优先权，其全部内容通过引用并入在此。
本专利技术构思涉及印刷电路板(PCB)和/或包括PCB的半导体存储器件。
技术介绍
硬盘驱动器(HDD)已经广泛用作用于存储高容量信息的存储器件。近来，HDD逐渐被使用非易失性存储器元件的半导体存储器件(例如，固态驱动器(SSD))所取代。半导体存储器件包括例如印刷电路板(PCB)和耦接到PCB的一侧并将数据传送到外部设备的连接器。PCB和连接器根据类型具有各种标准和不同的形状或尺寸。因此，根据PCB和/或连接器配置的标准单独地制造壳体。
技术实现思路
本专利技术构思提供了具有增强的刚性的印刷电路板(PCB)和/或包括PCB的半导体存储器件。本专利技术构思还提供了即使PCB具有不同厚度也使用相同连接器的半导体存储器件。根据本专利技术构思的一个方面，一种印刷电路板(PCB)包括：主体；耦接到所述主体的至少一个片簧；以及在所述主体和所述至少一个片簧之间的焊接层，所述焊接层将所述至少一个片簧与所述主体耦接。根据本专利技术构思的另一方面，一种半导体存储器件包括：壳体；安装在所述壳体中的PCB；耦接到所述PCB的下表面上的至少一个片簧；以及插入在所述PCB和所述至少一个片簧之间的焊接层，所述焊接层将所述PCB与所述至少一个片簧耦接。根据本专利技术构思的另一方面，一种半导体存储器件包括：壳体，包括上壳体、下壳体和从所述下壳体延伸到所述上壳体的支撑结构；PCB，安装在所述壳体中并被所述支撑结构支撑；片簧，安装在所述PCB的下表面上并被置于所述支撑结构的支撑面上；以及插入在所述PCB和所述片簧之间的焊接层，所述焊接层将所述PCB与所述片簧耦接。根据本专利技术构思的另一方面，一种半导体存储器件包括：壳体，包括支撑结构，所述支撑结构从所述壳体的一个面延伸；所述壳体中的PCB，所述PCB包括顶面和底面，所述PCB的顶面上具有半导体器件，所述PCB的底面面向所述支撑结构并被所述支撑结构支撑；在所述PCB的底面和所述支撑结构之间的片簧，所述片簧具有与所述支撑结构在垂直方向上相重叠的第一部分和不与所述支撑结构在垂直方向上相重叠的第二部分；以及在所述PCB和所述片簧的第二部分之间的焊接层，所述焊接层将所述PCB与所述片簧耦接。附图说明根据接下来结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本专利技术构思的示例实施例，在附图中：图1是示出了根据示例实施例的半导体存储器件的示意性透视图；图2A和图2B分别是图1的印刷电路板(PCB)的上表面和下表面的平面图；图3是图2B的片簧的透视图；图4是沿图1的线IV-IV’所截取的半导体存储器件的截面图；图5是沿图1的线V-V’所截取的半导体存储器件的截面图；图6是根据示例实施例的片簧的平面图；图7是沿图1的线IV-IV’所截取的半导体存储器件的截面图；图8是沿图1的线V-V’所截取的半导体存储器件的截面图；图9是根据示例实施例的片簧的平面图；图10A是根据示例实施例的片簧的平面图；图10B是图10A的片簧的支撑板的截面图；图11是根据示例实施例的片簧的平面图；图12是根据示例实施例的PCB的下表面的平面图；图13是图12的片簧的透视图；图14是沿图12的线XIV-XIV’所截取的PCB的截面图；图15是根据示例实施例的半导体存储器件的示意性透视图；图16是沿图15的线XVI-XVI’所截取的半导体存储器件的截面图；图17是根据示例实施例的沿图15的线XVI-XVI’所截取的半导体存储器件的截面图；图18是根据示例实施例的沿图15的线XVI-XVI’所截取的半导体存储器件的截面图；图19是根据示例实施例的PCB的平面图；以及图20是根据示例实施例的半导体存储器件的一部分的截面图。具体实施方式将理解的是，当一元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，其可以直接在该另一元件或层上、直接连接到或耦接到该另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当一元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。图1是根据示例实施例的半导体存储器件100的示意性透视图。图2A和图2B分别是图1的印刷电路板(PCB)110的上表面和下表面的平面图。参考图1至图2B，半导体存储器件100可以包括壳体120、安装在壳体120中的PCB110、安装在PCB110的表面上的片簧130以及耦接到PCB110的一侧的连接器160。PCB110可以包括安装在其一个表面上的至少一个半导体器件115，或者可以包括沿其一个边缘布置的连接器端子117。PCB110可以是刚性PCB或柔性PCB。更详细地，PCB可以包括形成其外观的主体111。主体111可以包括基座衬底(未示出)、布线(未示出)、上保护层(未示出)和下保护层(未示出)。包括在主体111中的布线可以连接半导体器件115和/或其他有源和无源元件。半导体器件115可以通过使用例如表面安装方法和/或插入安装方法被安装在PCB110上。更详细地，半导体器件115可以通过使用球栅阵列(BGA)方法、针栅格阵列(PGA)方法、载带封装(TCP)方法、板上芯片(COB)方法、四方扁平封装(QFP)方法、四方扁平无引线(QFN)方法等被安装在PCB110上。然而，将半导体器件115安装在PCB110上的方法不限于此。半导体器件115可以是执行逻辑计算的逻辑封装或者可以是存储器封装。逻辑封装可以是例如存储器控制器。存储器封装可以是例如非易失性存储器。非易失性存储器可以是闪存、相变RAM(PRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)等，但不限于此。闪存可以是例如NAND闪存。存储器封装可以是例如易失性存储器。易失性存储器可以是例如动态随机存取存储器(DRAM)、静态RAM(SRAM)、同步DRAM(SDRAM)或高带宽存储器(HBM)DRAM等。然而，半导体器件115不限于此，并且可以包括基于半导体衬底制造的各种类型的半导体器件。连接器端子117可以镀有导体，例如铜和/或金。连接器端子117可以以相同间隔或不同间隔布置。连接器端子117可以具有相同的尺寸或不同的尺寸。连接器端子117可以通过在PCB110的主体111中形成的布线而电连接到半导体器件115。连接器端子117可以包括电源端子和/或信号端子，并且可以包括能够与外部设备通信的端子。连接器160可以耦接到PCB110的一侧，并且可以电连接到PCB110。连接器160可以布置在PCB110的布置有连接端子117的一个边缘中。连接器160可以包括多个连接器引脚，所述多个连接器引脚通过连接器160的内部布线(未示出)电连接到PCB110的连接端子117。壳体120可以将PCB110容纳于其中。例如，壳体120可以包括上壳体120b和下壳体120a，并且可以具有安装在上壳体120b和下壳体120a之间的PCB110。壳体120可以包括将耦接到PCB110的连接器160暴露于外部的开口128。因此，连接器160的连接器引脚可以通过开口128暴露本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种印刷电路板“PCB”，包括：主体；耦接到所述主体的至少一个片簧；以及在所述主体和所述至少一个片簧之间的焊接层，所述焊接层将所述至少一个片簧与所述主体耦接。

【技术特征摘要】
2016.07.29 KR 10-2016-00970271.一种印刷电路板“PCB”，包括：主体；耦接到所述主体的至少一个片簧；以及在所述主体和所述至少一个片簧之间的焊接层，所述焊接层将所述至少一个片簧与所述主体耦接。2.根据权利要求1所述的PCB，其中，所述至少一个片簧包括：支撑板，面向所述主体的一个面；以及连接到所述支撑板的焊盘，所述焊盘沿着所述支撑板的周边，所述焊盘上具有所述焊接层。3.根据权利要求2所述的PCB，其中，所述至少一个片簧还包括将所述支撑板连接到所述焊盘的铰链，所述铰链从所述支撑板的边缘的至少一部分延伸。4.根据权利要求2所述的PCB，其中，所述主体包括从所述主体中垂直地穿过的销孔；以及所述至少一个片簧的支撑板包括从所述支撑板中垂直地穿过的通孔，所述通孔与所述销孔连通地连接。5.根据权利要求1所述的PCB，其中，所述至少一个片簧包括：第一板，所述第一板上具有所述焊接层；以及连接到所述第一板的第二板，所述第二板沿所述主体的周边突出，所述第二板在其一侧具有凹槽。6.根据权利要求1所述的PCB，其中，所述至少一个片簧包括塑料材料。7.根据权利要求6所述的PCB，其中，所述至少一个片簧还包括所述焊盘上的第一金属层，所述第一金属层接触所述焊接层。8.根据权利要求6所述的PCB，其中，所述至少一个片簧还包括从所述至少一个片簧中垂直地穿过的第二金属层。9.一种半导体存储器件，包括：壳体；所述壳体中的印刷电路板“PCB”；至少一个片簧，耦接到所述PCB的下表面上；以及在所述PCB和所述至少一个片簧之间的焊接层，所述焊接层将所述PCB与所述至少一个片簧耦接。10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中，所述壳体包括支撑所述PCB的支撑结构，所述至少一个片簧位于所述PCB和所述支撑结构之间，以及所述PCB和所述支撑结构通过插入在它们之间的所述至少一个片簧而彼此间隔开。11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述至少一个片簧包括：支撑板，接触所述支撑结构；以及至少一个焊盘，连接到所述支撑板，所述至少一个焊盘沿所述支撑板的周向布置，所述至少一个焊盘上具有所述焊接层。12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，所述支撑结构中的至少一个包括上部，所述PCB包括从所述PCB中垂直地穿过的销孔，所述至少一个片簧的支撑板包括从所述支撑板中垂直地穿过的通孔，以及所述支撑结构中的所述至少一个的上部插入所述通孔和所述销孔中，使得所述通孔和所述销孔彼此连通地连接。13.根据权利要求11所述的半导体存储器件，还包括：紧固件，其中，所述支撑结构中的至少一个包括限定于其中的腔，所述PCB包括从所述PCB中垂直地穿过的销孔，所述至少一个片簧的支撑板包括从所述支撑板中垂直地穿过的通孔，以及所述紧固件穿过所述通孔和所述销孔，并且容纳在所述腔中，使得所述通孔与所述销孔连通地耦接。14.根据权利要求11所述的半导体存...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹铤贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR