具有增大面密度的衬底支撑件及其相应制造方法技术
Substrate support with increased surface density and its corresponding manufacturing methods
The invention provides a substrate support with enlarged surface density and the corresponding manufacturing method, and provides a substrate support for the substrate processing system, and the substrate support includes a main body and a mesa. The table is distributed on the subject and extends from the subject in the direction far from the subject. The table is constructed to support a substrate. Each of the mesa includes a surface area that contacts the substrate and supports the substrate. The surface density of the mesa increases monotonically with the increase of the radial distance from the center of the substrate support.
【技术实现步骤摘要】
具有增大面密度的衬底支撑件及其相应制造方法
本公开涉及衬底处理系统的衬底支撑件。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。在该
技术介绍
部分中描述的程度上的目前提名的专利技术人的工作和在申请时可能无资格另外作为现有技术的描述的方面既未清楚地，也未隐含地被承认作为针对本公开的现有技术。衬底处理系统可用于对诸如半导体晶片之类的衬底进行蚀刻、沉积和/或其他处理。可以在衬底上进行的示例性工艺包括但不限于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、物理气相沉积(PVD)工艺、离子注入工艺和/或其它蚀刻、沉积、和清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的诸如基座、静电卡盘(ESC)等衬底支撑件上。例如，在PECVD工艺中的蚀刻期间，将包含一种或多种前体的气体混合物引入处理室中，并且等离子体被激励以蚀刻该衬底。
技术实现思路
提供了用于衬底处理系统的衬底支撑件，衬底支撑件包括主体和台面。台面分布在整个主体上并在远离主体的方向上从主体延伸。台面被构造成支撑衬底。每个台面包括接触衬底和支撑衬底的表面区域。随着离衬底支撑件的中心的径向距离增大，台面的面密度单...
【技术保护点】
一种用于衬底处理系统的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：主体；以及多个台面，其分布在所述主体上并在远离所述主体的方向上从所述主体延伸并被构造成支撑衬底，其中，所述多个台面中的每一个包括接触所述衬底并支撑所述衬底的表面区域，随着离所述衬底支撑件的中心的径向距离增大，所述多个台面的面密度单调增大。
【技术特征摘要】
2016.07.27 US 15/220,9261.一种用于衬底处理系统的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：主体；以及多个台面，其分布在所述主体上并在远离所述主体的方向上从所述主体延伸并被构造成支撑衬底，其中，所述多个台面中的每一个包括接触所述衬底并支撑所述衬底的表面区域，随着离所述衬底支撑件的中心的径向距离增大，所述多个台面的面密度单调增大。2.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中，所述多个台面的面密度随着所述径向距离的增大而线性增大。3.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中：所述多个台面的表面区域是圆形的；以及所述多个台面的直径随着所述径向距离的增大而单调增大。4.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述多个台面具有相同的高度。5.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中：所述多个台面构造成在所述衬底的背面上提供均匀的磨损；以及所述衬底的背面朝向所述多个台面的所述表面区域。6.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述多个台面是圆柱形或半球形。7.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中：所述衬底支撑件包括多个局部区域；所述多个局部区域中的每一...
【专利技术属性】
技术研发人员：彼得·沃伊托维茨，文森特·布克哈特，迈克尔·拉莫，卡尔·利瑟，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。