发光元件制造技术

根据一个实施例所公开的是发光元件，该发光元件包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二导电层，其被电连接到第二半导体层；第一导电层，其被布置在经过发光结构和第二导电层的多个通孔中，并且包括被电连接到第一半导体层的多个通过电极；绝缘层，其用于将多个通过电极与有源层、第二半导体层和第二导电层电绝缘；以及电极焊盘，其被布置在第二导电层的暴露区域中，其中在多个通过电极之间布置的第二导电层离电极焊盘越远，第二导电层的宽度变得越大。

Luminescent element

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件
本公开的实施例涉及具有改进的发光效率的发光元件。
技术介绍
发光二极管(LED)是当电流被施加到其上时发射光的发光元件。LED能够高效地发射光，并且因此具有优异的节能效果。近来，LED的亮度的问题已得到明显解决，并且LED被应用于各种装置，诸如液晶显示(LCD)装置的背光单元、电子指示牌、指示器、家用电器等。LED包括第一半导体层、第二半导体层以及布置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层，并且通过蚀刻发光结构的一部分来形成电极焊盘。在这种情况下，在与电极焊盘相邻的区域中出现发光耦合相对强的电流拥挤现象。
技术实现思路
技术问题本公开的实施例旨在提供具有改进的发光效率的发光元件。本公开的范围不限于上述目的，并且本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解其他未提及的目的。技术解决方案本公开的一个方面提供一种发光元件，该发光元件包括：发光结构，该发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二导电层，该第二导电层被电连接到第二半导体层；第一导电层，该第一导电层包括被布置在经过发光结构和第二导电层的多个通孔中并且被电连接到第一半导体层的多个通过电极(throughelectrode)；绝缘层，该绝缘层被构造成使多个通过电极与有源层、第二半导体层和第二导电层绝缘；以及电极焊盘，该电极焊盘被布置在所述第二导电层的暴露区域中，其中在多个通过电极之间布置的第二导电层的宽度可以随着远离电极焊盘而增加。绝缘层可以包括多个第一绝缘层，所述多个第一绝缘层分别被布置在多个通孔中并且使通过电极与有源层、第二半导体层和第二导电层绝缘。第一绝缘层可以包括第一调整部，该第一调整部被形成在通孔的底表面上并且部分地暴露通孔的底表面。第一绝缘层可以包括第二调整部，该第二调整部被构造成从通孔延伸到第二半导体层。多个第二调整部的宽度可以随着远离电极焊盘而减小。多个第一调整部的宽度可以相同。第二导电层可以被布置在第二调整部之间。绝缘层可以包括第二绝缘层，该第二绝缘层被构造成使多个第二调整部与第一导电层电绝缘。多个通过电极之间的距离可以随着远离电极焊盘而增加，第一绝缘层包括第一调整部，该第一调整部被形成在通孔的底表面上并且部分地暴露通孔的底表面；以及第二调整部，该第二调整部被构造成从通孔延伸到第二半导体层，并且多个第一调整部的宽度可以相同。多个第二调整部的宽度可以相同。多个第一调整部的宽度可以随着远离电极焊盘而减小。发光元件还可以包括导电衬底，该导电衬底被电连接到第一导电层。有益效果根据实施例，增加发光元件的电流扩散效应，使得能够获得均匀的发光效率。此外，发光元件的生热特性被改进，使得能够增加发光元件的寿命。本公开的各种优点和效果不限于上面的描述，并且可以在本公开的具体实施例的描述中被更加容易地理解。附图说明图1是根据本公开的第一实施例的发光元件的平面图。图2是沿着图1的线A-A截取的横截面图。图3是图1的部分S1的局部放大图。图4A至图4F是图示制造根据本公开的第一实施例的发光元件的方法的横截面图。图5是根据本公开的第二实施例的发光元件的平面图。图6是沿着图5的线B-B截取的横截面图。图7是根据本公开的第三实施例的发光元件的平面图。图8是沿着图7的线C-C的横截面图。图9是图8的部分S2的局部放大图。图10A至图10F是图示制造根据本公开的第三实施例的发光元件的方法的横截面图。图11是根据本公开的第四实施例的发光元件的平面图。图12是沿着图11的线D-D截取的横截面图。图13是根据本公开的第五实施例的发光元件的横截面图。具体实施方式本公开可以以各种形式进行修改并且可以具有多种实施例，并且因此将在附图中图示具体的实施例。然而，这些实施例不应从将本公开限于特定实施例的意义上进行解释，并且应被解释为包括在本公开的精神和技术范围内的修改、等同物或替换。此外，包括在此使用的诸如“第一”、“第二”等序数的术语能够被用于描述各种组件，但是组件不受这些术语的限制。术语仅用于区分一个组件与另一组件的目的。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，并且类似地，第二组件也可以被称为第一组件。术语“和/或”包括多个相关列出的项目的组合或多个相关列出的项目中的任何一个项目。当组件被称为“连接”或“耦合”到其他组件时，其可以直接连接或耦合到另一组件，但是应该理解的是，另一组件可以存在于该组件和其他组件之间。相反，当组件被称为“直接连接”或“直接耦合”到其他组件时，应该理解在组件和其他组件之间可以不存在另一组件。这里使用的术语被采用以仅描述特定的实施例并且不旨在限制本公开。除非上下文另有明确规定，单数形式包括复数形式。应该理解的是，术语“包括”和“具有”指明在此陈述的特征、数字、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或更多的其他特征、数字、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或者添加的可能性。除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开属于领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。诸如通常使用的字典中定义的术语应理解为具有与其在相关领域的上下文中的意义一致的意义，并且不以理想化或过度正式的程度解释，除非在此明确地如此定义。在下文中，将参考附图来详细描述本公开的实施例，相同或相应的组件被给予相同的附图标记，并且将省略其重复描述。[第一实施例]图1是根据本公开的第一实施例的发光元件的平面图，并且图2是沿着图1的线A-A截取的横截面图。参考图1和图2，根据本公开的第一实施例的发光元件100A包括发光结构110、包括电连接到第一半导体层111的多个通过电极131的第一导电层130、电连接到第二半导体层113的第二导电层120、使多个通过电极131彼此电绝缘的绝缘层140、以及布置在第二导电层120的暴露区域中的电极焊盘160。发光结构110包括第一半导体层111、有源层112和第二半导体层113。对发光结构110的发光波段没有限制。例如，从发光结构发射的光可以是紫外波段光、可见光波段光或红外波段光。可以适当地调整每层的组分以产生期望的发光波段的光。第一半导体层111可以利用诸如III-V族元素、II-VI族元素等的化合物半导体来实现，并且第一半导体层111可以被掺杂有第一掺杂物。第一半导体层111可以由具有AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1和0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一种形成，但是本公开不限于此。当第一掺杂物是诸如Si、Ge、Sn、Se、Te等的N型掺杂物时，掺杂有第一掺杂物的第一半导体层111可以是N型半导体层。在附图中，尽管第一半导体层111被图示为单层，但是第一半导体层111可以具有多层结构。当第一半导体层111具有多层结构时，第一半导体层111可以进一步包括未掺杂的半导体层(未示出)。未掺杂的半导体层是形成为改进第一半导体层111的结晶性的层，并且可以具有比第一半导体层111低的导电率，因为该层未掺杂有掺杂物。有源层112是通过第一半导体层111注入的电子(或空穴)和通过第二半导体层113注入的空穴(或电子)相遇的层。在有源层112中，当电子和空穴重新结合时，电子跃迁到较低能级并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二导电层，所述第二导电层被电连接到所述第二半导体层；第一导电层，所述第一导电层包括多个通过电极，所述通过电极被布置在经过所述发光结构和所述第二导电层的多个通孔中并且被电连接到所述第一半导体层；绝缘层，所述绝缘层被构造成使所述多个通过电极与所述有源层、所述第二半导体层和所述第二导电层绝缘；以及电极焊盘，所述电极焊盘被布置在所述第二导电层的暴露区域中，其中，在所述多个通过电极之间布置的第二导电层的宽度随着远离所述电极焊盘而增加。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.26 KR 10-2015-00731031.一种发光元件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二导电层，所述第二导电层被电连接到所述第二半导体层；第一导电层，所述第一导电层包括多个通过电极，所述通过电极被布置在经过所述发光结构和所述第二导电层的多个通孔中并且被电连接到所述第一半导体层；绝缘层，所述绝缘层被构造成使所述多个通过电极与所述有源层、所述第二半导体层和所述第二导电层绝缘；以及电极焊盘，所述电极焊盘被布置在所述第二导电层的暴露区域中，其中，在所述多个通过电极之间布置的第二导电层的宽度随着远离所述电极焊盘而增加。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘层包括多个第一绝缘层，所述多个第一绝缘层分别被布置在所述多个通孔中并且使所述通过电极与所述有源层、所述第二半导体层和所述第二导电层绝缘。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述第一绝缘层包括第一调整部，所述第一调整部被形成在所述通孔的底表面上并且部分地暴露所述通孔的底表面。4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述第一绝缘层包括第二调整部，所述第二调整部被构造成从所述通孔延伸到所述第二半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴鲜雨，成东炫，李大熙，李炳雨，崔光基，韩载天，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR