发光器件和发光器件封装制造技术

在实施例中，一种发光器件包括：基板；置放在基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；分别地连接到第一和第二导电半导体层的第一和第二电极；分别地连接到第一和第二电极的第一和第二结合焊盘；以及置放在第一结合焊盘和第二电极之间以及在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘层。第一电极的第一厚度可以是置放在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘层的第二厚度的1/3或者更小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件和发光元件封装
实施例涉及一种发光器件和一种发光器件封装。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种类型的半导体器件，它使用化合物半导体的特性将电力转换成红外线或者光，从而发送或者接收信号或者被用作光源。由于其物理和化学性质，作为诸如、例如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的发光器件的核心材料，III-V族氮化物半导体受到瞩目。因为它们不包括诸如已经在传统照明设备诸如、例如白炽灯和荧光灯中使用的汞(Hg)，并且还具有其他优点，例如长寿命和低功耗，所以这种发光二极管具有优良的环境友好性。因此，现有光源正被发光二极管取代。在具有倒装芯片焊接结构的现有发光器件封装的情形中，因为n型电极厚，所以将在竖直方向中相互重叠的p型结合焊盘和n型电极相互分开地电隔离的绝缘层可能不被正确地形成，这可能使得电特性劣化。
技术实现思路
技术目的实施例提供具有优良电特性的发光器件和发光器件封装。技术方案根据一个实施例的发光器件可以包括：基板；发光结构，该发光结构置放在基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别地连接到第一导电半导体和第二导电半导体层；第一结合焊盘和第二结合焊盘分别地连接到第一电极和第二电极结合焊盘；以及绝缘层，该绝缘层置放在第一结合焊盘和第二电极之间以及在第二结合焊盘和第一电极之间，其中第一电极可以具有第一厚度，该第一厚度是置放在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘层的第二厚度的1/3或者更小。例如，第一电极可以包括置放在第一结合焊盘和第二结合焊盘下面的分支电极、以及置放在第一结合焊盘下面的接触电极，并且第一厚度可以是分支电极的厚度。分支电极可以包括置放在第二结合焊盘下面的第一段、以及置放在第一结合焊盘下面的第二段，并且第一厚度可以是第一段的厚度。在第一方向中，基板可以具有第一长度并且分支电极具有第二长度，并且第一长度和第二长度具有以下关系。第一和第二结合焊盘可以在与发光结构的厚度方向正交的第一方向中相互隔开。L1×0.7>L2。这里，L1指示第一长度并且L2指示第二长度。例如，分支电极可以进一步包括置放在第一段和第二段之间的第三段。例如，分支电极的第一段的一部分可以被掩埋在第一导电半导体层中。第一电极的第一厚度可以是未被掩埋在第一导电半导体层中而是被暴露的第一电极的一部分的厚度。例如，第一厚度可以是1μm或者更小并且第二厚度可以是3.3μm或者更小。例如，第一电极可以包括面对绝缘层的第一上表面，并且第一电极的第一上表面可以在其中具有至少一个凹部。绝缘层可以包括置放在第一电极上的第二上表面，并且绝缘层的第二上表面可以在其中具有至少一个第二凹部。与当第一电极在其中不具有第一凹部时相比，当第一电极在其中具有第一凹部时，第一电极的第一厚度可以更大。例如，第一电极可以包括在与发光结构的厚度方向正交的方向中相互隔开的多个子电极。与当第一电极不包括子电极时相比，当第一电极包括子电极时，第一电极的第一厚度可以更大。绝缘层可以被掩埋在子电极之间。子电极可以具有不同的厚度，或者可以具有相同的厚度。子电极可以以在考虑到加工误差的情况下确定的距离相互隔开以允许绝缘层被掩埋。例如，第一结合焊盘和第二结合焊盘可以在第一方向中彼此面对，第一结合焊盘可以在第一方向中具有的长度小于基板在第一方向中的长度，并且第二结合焊盘可以在第一方向中具有的长度小于基板在第一方向中的长度。例如，第一结合焊盘和第二结合焊盘可以在第一方向中彼此面对，第一结合焊盘可以在第一方向中具有的长度小于分支电极在第一方向中的长度，并且第二结合焊盘可以在第一方向中具有的长度小于分支电极在第一方向中的长度。根据另一个实施例的发光器件封装可以进一步包括该发光器件、分别地连接到第一和第二结合焊盘的第一和第二焊接部、以及分别地电连接到第一和第二焊接部的第一和第二引线框架。有益效果在根据实施例的发光器件和发光器件封装中，第一电极具有适当的第一厚度，例如具有绝缘层的第二厚度的1/3或者更小的厚度。由此，绝缘层可以在第二结合焊盘和第一电极之间正确地形成，并且第一电极的斜率(slope)可以增加，这可以防止在第一电极中产生缺陷并且带来优良的电特性。附图说明图1图示根据实施例的发光器件的平面视图。图2图示沿着图1的线I-I’截取的发光器件的横截面图。图3a图示沿着图1的线II-II’截取的发光器件的一个实施例的横截面图，并且图3b图示图3a的部分“A”的放大横截面图。图4a图示沿着图1的线II-II’截取的发光器件的另一个实施例的横截面图，并且图4b图示图4a的部分“B”的放大横截面图。图5a图示沿着图1的线II-II’截取的发光器件的再一个实施例的横截面图，并且图5b图示图5a的部分“C”的放大横截面图。图6a图示沿着图1的线II-II’截取的发光器件的再一个实施例的横截面图，并且图6b图示图6a的部分“D”的放大横截面图。图7a到7f是用于解释制造在图3a中图示的发光器件的方法的工艺横截面图。图8是图示图7d的部分“E”的工艺过程横截面图。图9图示根据实施例的发光器件封装的横截面图。图10a图示根据对照实例的发光器件的平面照片，图10b图示根据图10a的对照实例的发光器件的横截面照片，并且图10c图示根据图10b的对照实例的发光器件的放大横截面照片。图11图示根据图3b的实施例的发光器件的部分“A”的横截面照片。具体实施方式在下文中，将参考附图详细描述实施例，以便具体地描述本公开并且帮助理解本公开。然而，这里公开的实施例可以被更改为各种其他形式，并且本公开的范围不应该被理解为限制于以下描述的实施例。提供在此公开的实施例以便更加完整地向本领域普通技术人员描述本公开。在描述实施例时，当一个元件被称为在另一个元件“上面”或者“下面”形成时，它能够直接地在另一个元件“上面”或者“下面”形成或者以其间的中间元件间接地形成。还将理解，在元件“上面”或者“下面”可以是相对于绘图描述的。另外，在以下说明中使用的相对的术语诸如、例如“第一”、“第二”、“上/较高/上方”和“下/较低/下方”可以被用于将任何一种物质或者元素与另一种物质或者元素相互区分而在这些物质或者元素之间不要求或者不包含任何物理的或者逻辑的关系或者顺序。在绘图中，为了描述清楚和方便起见，每个层的厚度或者尺寸可能被夸大、省略或者示意性地图示。另外，每个构成元件的尺寸不完全地反映其实际尺寸。图1图示根据一个实施例的发光器件100的平面视图，并且图2图示沿着图1的线I-I’截取的发光器件100的横截面图。参考图1和2，根据该实施例的发光器件100可以包括基板110、发光结构120、第一和第二电极132和134、绝缘层140以及第一和第二结合焊盘152和154。这里，第一和第二结合焊盘152和154可以被归类成发光器件100的构成元件，或者可以被归类成发光器件封装200的构成元件，这将在以后描述。发光结构120被置放在基板110上。基板110可以包含导电材料或者非导电材料。例如，基板110可以包含蓝宝石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、GaP、InP、Ga2O3、GaAs和Si中的至少一种。另外，为了帮助从有源层124发射的光从发光器件100发出，基板110可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：基板；发光结构，所述发光结构置放在所述基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别地连接到所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层；第一结合焊盘和第二结合焊盘，所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘分别地连接到所述第一电极和所述第二电极；以及绝缘层，所述绝缘层置放在所述第一结合焊盘和所述第二电极之间以及在所述第二结合焊盘和所述第一电极之间，其中，所述第一电极具有第一厚度，所述第一厚度是置放在所述第二结合焊盘和所述第一电极之间的绝缘层的第二厚度的1/3或者更小。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.26 KR 10-2015-00426761.一种发光器件，包括：基板；发光结构，所述发光结构置放在所述基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别地连接到所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层；第一结合焊盘和第二结合焊盘，所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘分别地连接到所述第一电极和所述第二电极；以及绝缘层，所述绝缘层置放在所述第一结合焊盘和所述第二电极之间以及在所述第二结合焊盘和所述第一电极之间，其中，所述第一电极具有第一厚度，所述第一厚度是置放在所述第二结合焊盘和所述第一电极之间的绝缘层的第二厚度的1/3或者更小。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极包括：分支电极，所述分支电极置放在所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘下面；以及接触电极，所述接触电极置放在所述第一结合焊盘下面，以及其中，所述第一厚度是所述分支电极的厚度。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述分支电极包括：第一段，所述第一段置放在所述第二结合焊盘下面；以及第二段，所述第二段置放在所述第一结合焊盘下面，以及其中，所述第一厚度是所述第一段的厚度。4.根据权利要求2所述的发光器件，其中，在第一方向中，所述基板具有第一长度并且所述分支电极具有第二长度，以及所述第一长度和所述第二长度具有以下关系；L1×0.7>L2(这里，L1指示所述第一长度并且L2指示所述第二长度)，以及其中，所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘在与所述发光结构的厚度方向正交的第一方向中相互隔开。5.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述分支电极的第一段的一部分被掩埋在所述第一导电半导体层中。6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第一电极的第一厚度是未被掩埋在所述第一导电半导体层中而是被暴露的第一电极的一部分的厚度。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一厚度是1μm或者更小，并且所述第二厚度是3.3μm或者更小。8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极包括面对所述绝缘层的第一上表面，以及其中，所述第一电极的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李尚烈，金会准，丁星好，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR