包括金属块的发光元件制造技术

根据本发明专利技术的一实施例的发光元件包括：发光单元，包括台面，该台面包括在下面包括接触区域的第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层；第二电极；第一绝缘层；电极覆盖层；第一电极；第二绝缘层；以及支撑单元。另外，所述台面包括主体部以及从所述主体部突出的多个突出部，接触区域位于所述突出部之间，接触区域的一部分在上下方向上可以与所述第二金属块(metal bulk)重叠。据此，可以改善电流分散效率，从而能够进一步改善发光效率。

Light emitting element including metal blocks

Light emitting elements according to an embodiment of the present invention includes a light emitting unit, including the table, the table includes a contact region of the first conductivity type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer and the active layer below; a second electrode; a first insulating layer; the electrode layer; a first electrode; a second insulating layer; and a support unit. In addition, the table includes a main body and a plurality of protrusions from the body portion between the contact area is prominent, the protrusion part, a part of the contact area in the vertical direction and the second metal blocks (metal bulk) overlap. Accordingly, the current dispersion efficiency can be improved, and the luminous efficiency can be further improved.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括金属块的发光元件
本专利技术涉及一种发光元件，尤其是，涉及一种发光效率得到提高的发光元件。
技术介绍
近年来，随着对小型高功率发光元件的要求的增加，对高散热效率的大面积倒装芯片型发光元件的需求逐渐增加。倒装芯片型发光元件的电极直接接合于二次基板，另外，因不使用用于向倒装芯片发光元件供应外部电源的导线，因此相对于水平型发光元件其散热效率非常高。因此，即使施加高密度电流也可以有效地将热量传递至二次基板侧，因此倒装芯片型发光元件适合于高功率的发光源。另外，为了发光元件的小型化以及高功率，对省略将发光元件封装到其他壳体等的工序，将发光元件本身作为封装件而使用的芯片级封装(ChipScalePackage)的要求逐渐增加。尤其是，因为倒装芯片型发光元件的电极可以起到与封装件的引脚类似的功能，因此在这种芯片规模封装件中也可以较佳地应用倒装芯片型发光元件。在芯片级封装结构中，在高电流驱动时产生的热量所导致的损坏可能更为致命。因此，为了通过使散热顺利进行而改善发光元件的可靠性，需要使用金属块(bulk)等外部电极，并需要通过外部电极确保发光元件的预定区域。另一方面，发光元件通过电连接于半导体层的电极接收电源而发射光。此时，在半导体层与电极接触的区域不充分，或者位于偏向发光元件局部区域的位置的情况下，从外部施加的电流得不到充分扩散，因此仅在半导体层的特定位置发射较强的光。具体地说，通过金属块施加的电流只通过半导体层与电极接触的局部区域流向半导体层，因此在不与电极接触的半导体层的其他区域无法顺利地实现发光。因此，会发送发光效率下降的问题。通常，从发光元件拆除基板时，会产生压力(stress)以及张力(Strain)。所述压力以及张力被传递至发光单元，从而在发光单元容易发生开裂(crack)。为了解决这种问题，在发光单元的下方配置较厚的金属焊盘以及EMC等聚合物，但在这种情况下也存在以与聚合物的上部邻接的发光单元的中心部为主而发生开裂的问题。因此，需要一种散热顺利、发光元件的机械物性出色、电流分散效率得到改善的发光元件。
技术实现思路
技术问题本专利技术所要解决的技术问题是提供一种电流分散效率得到改善，发光区域充分得到确保，发光效率较高的发光元件。另外，以提供因散热顺利而可靠性得到确保的发光元件为目的。同时，以防止因基板分离时所产生的压力以及张力而损坏发光元件为目的。技术手段根据本专利技术的一实施例的发光元件可以包括：发光单元，包括台面，所述台面包括在下面包含接触区域的第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层的下面的活性层、以及位于所述活性层的下面的第二导电型半导体层；第二电极，位于所述第二导电型半导体层的下面，电连接于所述第二导电型半导体层；第一绝缘层，位于所述发光单元的下面，包括使所述接触区域裸露的开口部；电极覆盖层，位于所述第一绝缘层的下面，与所述第二电极的下面相接，从所述第一电极隔开；第一电极，位于所述第一绝缘层的下面，通过所述开口部接触于所述接触区域；第二绝缘层，位于所述第一电极的下面以及所述电极覆盖层的下面，具有分别使所述第一电极和所述第二电极裸露的开口部；以及支撑单元，彼此隔开地配置于所述第二绝缘层的下面以及侧面，包括通过所述开口部分别电连接于所述第一电极和所述第二电极的第一金属块、第二金属块以及配置于所述第一金属块的侧面及所述第二金属块的侧面的绝缘部。此外，所述台面包括主体部以及从所述主体部突出的多个突出部，所述接触区域位于所述多个突出部之间，所述接触区域的一部分在上下方向上与所述第二金属块重叠。据此，可以防止所述第一电极与所述第二导电型半导体层接触的区域过于偏向发光元件的特定位置而配置，因此可以有效地改善电流分散效率。因此，能够进一步改善发光效率。根据本专利技术的又一实施例的发光元件可以包括：发光单元，包括：发光单元，包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层的下面的第二导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层、以及贯穿所述第二导电型半导体层与所述活性层而使所述第一导电型半导体层裸露的多个凹槽部；第一电极，位于所述凹槽部内，且电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，与所述第一电极绝缘，位于所述第二导电型半导体层的下面，且电连接于所述第二导电型半导体层；绝缘层，位于所述第一电极的下面与侧面以及所述第二电极的下面与侧面，具有分别使所述第一电极和所述第二电极裸露的开口部；以及支撑单元，彼此隔开地位于所述绝缘层的下面以及侧面，包括通过所述开口部分别电连接于所述第一电极以及所述第二电极的第一金属块、第二金属块以及配置于所述第一金属块的侧面及所述第二金属块的侧面的绝缘部。此外，所述凹槽部包括第一凹槽部，所述第一凹槽部包括第一区域、第二区域以及连接所述第一区域与所述第二区域的连接部，所述第一区域位于所述第一金属块的上部，所述第二区域位于所述第二金属块的上部。据此，发光元件的电流分散效率得到改善，可以充分确保发光区域，因此可以提高发光元件的发光效率。技术效果根据本专利技术，接触区域可以沿长轴方向较长地形成，从而防止第一电极与第一导电型半导体层接触的区域偏向发光元件的某一侧。因此，能够改善电流分散效率。另外，通过包围接触区域的单一的台面形态能够充分确保发光区域。因此，可以改善发光元件的发光效率。同时，通过第一金属块、第二金属块和电极覆盖层能够顺利地实现散热。另外，电极覆盖层形成于较宽的区域，因此可以防止基板分离时所产生的压力以及张力所引起的发光元件的损伤。另外，根据本专利技术，第一凹槽部跨越第一金属块的上部和第二金属块的上部而存在，因此能够在发光元件内顺利地实现通过第一电极施加的电流的分散。另外，能够充分确保发光区域，因此能够改善发光效率。附图说明图1以及图2是用于说明根据本专利技术的一实施例的发光元件的平面图。图3以及图4是用于说明根据本专利技术的一实施例的发光元件的剖面图。图5是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的剖面图。图6是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的制造方法的平面图(a)以及剖面图(b)。图7是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的制造方法的平面图(a)以及剖面图(b)。图8是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的制造方法的平面图(a)以及剖面图(b)。图9是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的制造方法的平面图(a)以及剖面图(b)。图10是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的制造方法的平面图(a)以及剖面图(b)。图11是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的制造方法的平面图(a)以及剖面图(b)。图12是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的制造方法的平面图(a)以及剖面图(b)。图13是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的制造方法的平面图(a)以及剖面图(b)。图14是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的制造方法的平面图(a)以及剖面图(b)。图15是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的制造方法的平面图(a)以及剖面图(b)。图16是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的制造方法的平面图(a)以及剖面图(b)。图17是用于说明根据本专利技术的一实施例的发光元件的平面图。图18是根据本专利技术的一实施例的发光元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其特征在于，包括：发光单元，包括台面，所述台面包括在下面包含接触区域的第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层的下面的活性层、以及位于所述活性层的下面的第二导电型半导体层；第二电极，位于所述第二导电型半导体层的下面，电连接于所述第二导电型半导体层；第一绝缘层，位于所述发光单元的下面，包括使所述接触区域裸露的开口部；电极覆盖层，位于所述第一绝缘层的下面，与所述第二电极的下面相接，从所述第一电极隔开；第一电极，位于所述第一绝缘层的下面，通过所述开口部接触于所述接触区域；第二绝缘层，位于所述第一电极的下面以及所述电极覆盖层的下面，具有分别使所述第一电极和所述第二电极裸露的开口部；以及支撑单元，彼此隔开地配置于所述第二绝缘层的下面以及侧面，包括通过所述开口部分别电连接于所述第一电极和所述第二电极的第一金属块、第二金属块以及配置于所述第一金属块的侧面及所述第二金属块的侧面的绝缘部，所述台面包括主体部以及从所述主体部突出的多个突出部，所述接触区域位于所述多个突出部之间，所述接触区域的一部分在上下方向上与所述第二金属块重叠。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.16 KR 10-2015-0036126;2015.03.18 KR 10-2011.一种发光元件，其特征在于，包括：发光单元，包括台面，所述台面包括在下面包含接触区域的第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层的下面的活性层、以及位于所述活性层的下面的第二导电型半导体层；第二电极，位于所述第二导电型半导体层的下面，电连接于所述第二导电型半导体层；第一绝缘层，位于所述发光单元的下面，包括使所述接触区域裸露的开口部；电极覆盖层，位于所述第一绝缘层的下面，与所述第二电极的下面相接，从所述第一电极隔开；第一电极，位于所述第一绝缘层的下面，通过所述开口部接触于所述接触区域；第二绝缘层，位于所述第一电极的下面以及所述电极覆盖层的下面，具有分别使所述第一电极和所述第二电极裸露的开口部；以及支撑单元，彼此隔开地配置于所述第二绝缘层的下面以及侧面，包括通过所述开口部分别电连接于所述第一电极和所述第二电极的第一金属块、第二金属块以及配置于所述第一金属块的侧面及所述第二金属块的侧面的绝缘部，所述台面包括主体部以及从所述主体部突出的多个突出部，所述接触区域位于所述多个突出部之间，所述接触区域的一部分在上下方向上与所述第二金属块重叠。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，在所述多个突出部中，位于两个接触区域之间的突出部的短轴方向的宽度大于位于发光元件的侧面与一个接触区域之间的另一突出部的短轴方向的宽度。3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述主体部的短轴方向宽度为87μm至90μm。4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第二绝缘层的一部分位于所述第二金属块与所述第一电极之间，且使所述第一电极与所述第二金属块绝缘。5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述电极覆盖层的一侧面沿着所述发光元件的一侧面而配置，位于与所述电极覆盖层的一侧面相反方向的另一侧面与所述第一电极的侧面对向，所述电极覆盖层的一部分位于所述台面的侧面上。6.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述电极覆盖层在上下方向上不与所述接触区域以及第一电极重叠，所述电极覆盖层的侧面包括包围所述接触区域的一部分的凹陷部和凸出部。7.根据权利要求6所述的发光元件，其特征在于，所述第二绝缘层的一部分位于隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡钟炫，金彰渊，李俊燮，徐大雄，卢元英，朴柱勇，金升铉，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR