台阶结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种台阶结构及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成叠层结构，在叠层结构上形成第一掩膜层；刻蚀第一掩膜层和叠层结构形成各台阶层；在各台阶层上形成着陆垫；去除剩余的第一掩膜层，并形成覆盖各台阶层的覆盖层。本发明专利技术中，通过在各台阶层上形成着陆垫，增加了台阶层之间互联部分的厚度，使得即使是很薄的字线需求，通过单张掩膜来形成台阶间的互连亦是可行的。

Step structure and its formation method

The invention discloses a step structure and a forming method, which belongs to the field of semiconductor technology. The method includes providing a substrate, forming a laminated structure on a substrate, forming a first mask layer in the laminated structure; etching the first mask layer and laminated structure formed of each class; in each class to form a landing pad; removing the first mask layer remaining, and form a cover for each class. In the invention, by forming a landing pad on each stratum, the thickness of the interconnection part between the platforms is increased, making even the thin word line demand, it is feasible to form interconnections between the steps through a single mask.

【技术实现步骤摘要】
台阶结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种台阶结构及其形成方法。
技术介绍
闪存是一种非易变性的存储器，是电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失。闪存以其便捷、存储密度高、可靠性好等优点成为非挥发性存储器研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛的应用于手机、笔记本、掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，并占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额。如今，经历了平面型闪存存储器的发展时期，已进入了三维闪存存储器的发展热潮，其主要特色是将平面结构转换为立体结构，通过光刻工艺形成台阶结构，在台阶结构中形成多个横向和纵向的存储单元阵列，并通过在台阶结构中形成水平方向上的字线(Wordline)和竖直方向的位线(Bitline)来准确定位各存储区，进而对存储区中的数据进行操作。目前的三维存储器，其台阶结构中字线的厚度是均匀的，然而，随着人们对存储器的容量及体积的要求不断提升，使形成台阶结构的堆栈会不断减小，从而字线的厚度会越来越小，进而导致用单个掩膜来创建台阶间的互连会越来越困难。
技术实现思路
为解决现有技术的不足，本专利技术提供一种台阶结构及其形成方法。一方面，本专利技术提供一种台阶结构的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成叠层结构，在所述叠层结构上形成第一掩膜层；刻蚀所述第一掩膜层和所述叠层结构形成各台阶层；在各台阶层上形成着陆垫；去除剩余的第一掩膜层，并形成覆盖各台阶层的覆盖层。可选地，所述刻蚀所述第一掩膜层和所述叠层结构形成各台阶层，具体为：在所述第一掩膜层上旋涂光阻层，以所述光阻层为掩膜，多次刻蚀所述第一掩膜层和所述叠层结构形成各台阶层。可选地，所述叠层结构，具体为多个层叠的氮氧层组，所述氮氧层组自上至下依次为氧化物层和氮化物层；刻蚀所述第一掩膜层和所述叠层结构形成的各台阶层分别对应一个所述氮氧层组。可选地，所述在各台阶层上形成着陆垫，具体包括：在除最底层台阶层外的其他台阶层中，去除部分氮化物层，使氮化物层相对于氧化物层凹陷，形成第一凹陷结构；形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖各台阶层及剩余的第一掩膜层，并将所述第一凹陷结构完全填充；去除第二掩膜层，并在所述第一凹陷结构中形成填充结构，所述填充结构高于所述第一凹陷结构并覆盖部分对应的氧化物层的侧面；去除各台阶层中的氧化物层，呈现各台阶层中的氮化物层；形成加固层，所述加固层覆盖各台阶层中的氮化物层、填充结构及剩余的第一掩膜层；去除部分加固层、所述填充结构和部分剩余的第一掩膜层，形成各台阶层的着陆垫，使除最底层台阶层外的各台阶层的氮化物层相对于对应的着陆垫凹陷，形成第二凹陷结构。可选地，所述去除剩余的第一掩膜层，并形成覆盖各台阶层的覆盖层，具体为：去除当前剩余的第一掩膜层及其上的加固层和其下的氧化物层，并形成覆盖层，所述覆盖层将所述第二凹陷结构完全填充，并覆盖各台阶层。另一方面，本专利技术提供一种台阶结构，包括：衬底及衬底上的叠层结构；形成于所述叠层结构上的各台阶层；形成于各台阶层上的着陆垫；覆盖各台阶层的覆盖层。可选地，所述叠层结构，具体为多个层叠的氮氧层组，所述氮氧层组自上至下依次为氧化物层和氮化物层。可选地，各台阶层分别对应一个氮氧层组，各台阶层的氮化物层相对于对应的着陆垫凹陷，形成第二凹陷结构。可选地，所述覆盖层将所述第二凹陷结构完全填充，并覆盖各台阶层。本专利技术的优点在于：本专利技术中，通过在各台阶层上形成着陆垫，增加了台阶层之间互联部分的厚度，使得即使是很薄的字线需求，通过单张掩膜来形成台阶间的互连亦是可行的。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：附图1为本专利技术提供的一种形成台阶结构的方法流程图；附图2和附图3为本专利技术提供的形成台阶层的结构变化示意图；附图4至附图9为本专利技术提供的形成着陆垫的结构变化示意图；附图10为本专利技术提供的部分台阶结构示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。实施例一根据本专利技术的实施方式，提供一种台阶结构的形成方法，如图1所示，包括：提供衬底，在衬底上形成叠层结构，在叠层结构上形成第一掩膜层；刻蚀第一掩膜层和叠层结构形成各台阶层；在各台阶层上形成着陆垫(LandingPad)；去除剩余的第一掩膜层，并形成覆盖各台阶层的覆盖层。根据本专利技术的实施方式，刻蚀第一掩膜层和叠层结构形成各台阶层，具体为：在第一掩膜层上旋涂光阻层，以光阻层为掩膜，多次刻蚀第一掩膜层和叠层结构形成各台阶层。根据本专利技术的实施方式，如图2和图3所示，叠层结构，具体为多个层叠的氮氧层组，氮氧层组自上至下依次为氧化物层(图中未示出)和氮化物层(图中未示出)；对应地，刻蚀第一掩膜层和叠层结构形成的各台阶层分别对应一个氮氧层组。需要说明地，在本实施例中，对叠层结构的氮氧层组的数量及形成的台阶层的数量不作具体限定，具体依需求而定，附图仅用于示例说明。根据本专利技术的实施方式，在各台阶层上形成着陆垫，如图4至图9所示，具体包括：在除最底层台阶层外的其他台阶层中，去除部分氮化物层，使氮化物层相对于氧化物层凹陷，形成第一凹陷结构(NitrideRecess)；形成第二掩膜层，第二掩膜层覆盖各台阶层及剩余的第一掩膜层，并将第一凹陷结构完全填充(PolyDep)；去除第二掩膜层，并在第一凹陷结构中形成填充结构，填充结构高于第一凹陷结构并覆盖部分对应的氧化物层的侧面(PolyEtch)；去除各台阶层中的氧化物层，呈现各台阶层中的氮化物层(OxideEtch)；形成加固层，加固层覆盖各台阶层中的氮化物层、填充结构及剩余的第一掩膜层(NiteideDep)；去除部分加固层、填充结构和部分剩余的第一掩膜层，形成各台阶层的着陆垫，使除最底层台阶层外的各台阶层的氮化物层相对于对应的着陆垫凹陷，形成第二凹陷结构(Nitride/PolyRecess)。其中，第二掩膜层具体为多晶硅，加固层具体为氮化物。根据本专利技术的实施方式，采用低压化学气相沉积(LowPressureChemicalVaporDeposition，简称LPCVD)的方法和/或等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，简称PECVD)的方法形成第二掩膜层；根据本专利技术的实施方式，采用干法刻蚀(DryEtch)工艺去除第二掩膜层，并在第一凹陷结构中形成填充结构；根据本专利技术的实施方式，采用不良梯形覆盖共形工艺(PoorStepCoverageConformalProcess)形成加固层。进一步地，在本实施例中，去除剩余的第一掩膜层，并形成覆盖各台本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种台阶结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成叠层结构，在所述叠层结构上形成第一掩膜层；刻蚀所述第一掩膜层和所述叠层结构形成各台阶层；在各台阶层上形成着陆垫；去除剩余的第一掩膜层，并形成覆盖各台阶层的覆盖层。

【技术特征摘要】
1.一种台阶结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成叠层结构，在所述叠层结构上形成第一掩膜层；刻蚀所述第一掩膜层和所述叠层结构形成各台阶层；在各台阶层上形成着陆垫；去除剩余的第一掩膜层，并形成覆盖各台阶层的覆盖层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一掩膜层和所述叠层结构形成各台阶层，具体为：在所述第一掩膜层上旋涂光阻层，以所述光阻层为掩膜，多次刻蚀所述第一掩膜层和所述叠层结构形成各台阶层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述叠层结构，具体为多个层叠的氮氧层组，所述氮氧层组自上至下依次为氧化物层和氮化物层；刻蚀所述第一掩膜层和所述叠层结构形成的各台阶层分别对应一个所述氮氧层组。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在各台阶层上形成着陆垫，具体包括：在除最底层台阶层外的其他台阶层中，去除部分氮化物层，使氮化物层相对于氧化物层凹陷，形成第一凹陷结构；形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖各台阶层及剩余的第一掩膜层，并将所述第一凹陷结构完全填充；去除第二掩膜层，并在所述第一凹陷结构中形成填充结构，所述填充结构高于所述第一凹陷结构并覆盖部分对应的氧化物层的侧面...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕震宇，陈俊，戴晓望，朱继锋，陶谦，黄郁茹，胡思平，姚兰，肖莉红，郑阿曼，鲍琨，杨号号，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42