一种电子元件清洗剂制造技术

本发明专利技术涉及一种电子元件清洗剂，按质量百分比，由下列成分组成：磁化水50～75％，有机碱2～14％，表面活性剂15～35％，防锈剂0.2～0.4％；所述磁化水采用的磁源为钕铁硼磁体，磁体形状为瓦型，磁场强度为2000～12000高斯；所述有机碱选自N，N’‑二羟乙基乙二胺、β‑羟乙基乙二胺、N‑(2‑羟乙基)乙二胺、N，N，N’，N’‑四羟乙基乙二胺、N‑羟乙基丙二胺、三甲基羟乙基丙二胺和N，N’‑二(2‑羟乙基)‑1，3‑丙二胺中的一种或多种；所述表面活性剂选自烷基多糖苷、葡萄糖酸钠、椰子油脂肪酸二乙醇酰胺和异构醇醚中的一种或多种。本发明专利技术的优点在于：成本低廉，原料来源广泛，清洗能力强，用量少，洗后的材料不锈蚀，可有效去除金属离子的污染，环保无污染。

A cleaning agent for electronic components

The invention relates to an electronic component cleaning agent, according to the mass percentage, composed of the following components: magnetized water 50 ~ 75%, 2 ~ 14% organic alkali, surfactant 15 ~ 35%, 0.2 ~ 0.4% anti rust agent; magnetic source of the magnetized water used for NdFeB magnets, magnet shape for tile. The magnetic field intensity of 2000~12000 Gauss; the organic base selected from the group consisting of N, N 'two hydroxyethyl ethylenediamine, beta hydroxyethylethylenediamine, N (2 hydroxyethyl) ethylenediamine, N, N, N', N 'four hydroxyethyl ethylenediamine, N hydroxyethyl amine, three C two C two hydroxyethyl methyl amine and N N', two (2 hydroxyethyl) 1, one or more of the 3 C two amine; one or more of the surface active agent selected from alkyl polyglycosides, sodium gluconate, coconut oil fatty acid two ethanol and ether amide in heterogeneous. The advantages of the invention are: low cost, wide source of raw materials, strong cleaning capacity, less consumption, no rust corrosion after washing, and effective removal of metal ion pollution, environmental protection and no pollution.

【技术实现步骤摘要】
一种电子元件清洗剂
本专利技术涉及一种清洗剂，特别涉及一种电子元件清洗剂。
技术介绍
电子元件制造过程中的清洗，除使用清洗剂的化学清洗外，还包括电脉冲清洗、光清洗、高压水射流清洗及超声波清洗等清洗方式。在实际应用中，现有的各种清洗方式总是存在各种难以克服的技术缺陷或者法规上的限制，难以满足现代工业发展的要求。各种清洗方式中，以化学清洗居多，即使用化学清洗剂以某一设定的清洗流程，对电子元件进行清洗。当前的化学清洗使用的清洗剂包括有机溶剂清洗剂、半水基清洗剂和水基清洗剂，有机溶剂清洗剂，大多采用易挥发的诸如丙酮、乙醇、石油醚、环己烷、二氯甲烷、三氯乙烯、氟利昂等，该类清洗剂存在严重的大气污染，现有的水基或半水基电子清洗剂，虽然避免了对大气环境的污染，但就其使用效果而言，在电子元件的清洗中缺乏功能性，即难以保证电子元件的完整。光清洗，虽然清洗的洁净度高，但所需设备昂贵，多为进口，投资过大，而且可能对电子元件的光电特性造成影响。电脉冲清洗，清洗所需设备复杂、价格昂贵，并因液电效应存在，可能对电子元件的电、磁特性造成影响。因此，急需研制出性能优异，环保安全，不会对电子元件性能造成影响的水基电子元件清洗剂。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能够有效去除金属污染的电子元件清洗剂。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种电子元件清洗剂，其创新点在于：按质量百分比，由下列成分组成：磁化水50～75％，有机碱2～14％，表面活性剂15～35％，防锈剂0.2～0.4％；所述磁化水采用的磁源为钕铁硼磁体，磁体形状为瓦型，磁场强度为2000～12000高斯；所述有机碱选自N，N’-二羟乙基乙二胺、β-羟乙基乙二胺、N-(2-羟乙基)乙二胺、N，N，N’，N’-四羟乙基乙二胺、N-羟乙基丙二胺、三甲基羟乙基丙二胺和N，N’-二(2-羟乙基)-1，3-丙二胺中的一种或多种；所述表面活性剂选自烷基多糖苷、葡萄糖酸钠、椰子油脂肪酸二乙醇酰胺和异构醇醚中的一种或多种，所述防锈剂是油酸三乙醇胺和苯并三氮唑。进一步的，所述磁场强度为4000～8200高斯。进一步的，所述磁化水为去离子水，其电导率2～5μs/cm，电阻率≥18.2MΩ·cm。本专利技术的优点在于：本专利技术提供的电子元件清洗剂成本低廉，原料来源广泛，清洗能力强，用量少，洗后的材料不锈蚀，可有效去除金属离子的污染，不会对电子元件的完整性造成损害，也不会影响其光电特性、电磁特性、通透性、器件表面物理特性等性能，环保无污染。具体实施方式下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。实施例1一种电子元件清洗剂，按质量百分比，由下列成分组成：磁化水50％，有机碱2％，表面活性剂15％，防锈剂0.2％；磁化水采用的磁源为钕铁硼磁体，磁体形状为瓦型，磁场强度为2000高斯；磁化水为去离子水，其电导率2μs/cm，电阻率为18.2MΩ·cm。有机碱为N，N’-二羟乙基乙二胺，表面活性剂为烷基多糖苷，防锈剂是油酸三乙醇胺和苯并三氮唑。实施例2一种电子元件清洗剂，按质量百分比，由下列成分组成：磁化水75％，有机碱14％，表面活性剂35％，防锈剂0.4％；磁化水采用的磁源为钕铁硼磁体，磁体形状为瓦型，磁场强度为12000高斯；磁化水为去离子水，其电导率5μs/cm，电阻率为80MΩ·cm。有机碱为三甲基羟乙基丙二胺，表面活性剂为异构醇醚，防锈剂是油酸三乙醇胺和苯并三氮唑。实施例3一种电子元件清洗剂，按质量百分比，由下列成分组成：磁化水60％，有机碱8％，表面活性剂25％，防锈剂0.3％；磁化水采用的磁源为钕铁硼磁体，磁体形状为瓦型，磁场强度为7000高斯；磁化水为去离子水，其电导率3μs/cm，电阻率为40MΩ·cm。有机碱选自N，N’-二羟乙基乙二胺、β-羟乙基乙二胺和N-(2-羟乙基)乙二胺；表面活性剂为椰子油脂肪酸二乙醇酰胺和异构醇醚的混合物，防锈剂是油酸三乙醇胺和苯并三氮唑。本专利技术提供的电子元件清洗剂成本低廉，原料来源广泛，清洗能力强，用量少，洗后的材料不锈蚀，可有效去除金属离子的污染，不会对电子元件的完整性造成损害，也不会影响其光电特性、电磁特性、通透性、器件表面物理特性等性能，环保无污染。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征以及本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件清洗剂，其特征在于：按质量百分比，由下列成分组成：磁化水50～75％，有机碱2～14％，表面活性剂15～35％，防锈剂0.2～0.4％；所述磁化水采用的磁源为钕铁硼磁体，磁体形状为瓦型，磁场强度为2000～12000高斯；所述有机碱选自N，N’‑二羟乙基乙二胺、β‑羟乙基乙二胺、N‑(2‑羟乙基)乙二胺、N，N，N’，N’‑四羟乙基乙二胺、N‑羟乙基丙二胺、三甲基羟乙基丙二胺和N，N’‑二(2‑羟乙基)‑1，3‑丙二胺中的一种或多种；所述表面活性剂选自烷基多糖苷、葡萄糖酸钠、椰子油脂肪酸二乙醇酰胺和异构醇醚中的一种或多种，所述防锈剂是油酸三乙醇胺和苯并三氮唑。

【技术特征摘要】
1.一种电子元件清洗剂，其特征在于：按质量百分比，由下列成分组成：磁化水50～75％，有机碱2～14％，表面活性剂15～35％，防锈剂0.2～0.4％；所述磁化水采用的磁源为钕铁硼磁体，磁体形状为瓦型，磁场强度为2000～12000高斯；所述有机碱选自N，N’-二羟乙基乙二胺、β-羟乙基乙二胺、N-(2-羟乙基)乙二胺、N，N，N’，N’-四羟乙基乙二胺、N-羟乙基丙二胺、三甲基羟乙基丙二胺和N，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋飞，
申请(专利权)人：江苏纽唯盛机电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32