用以使用量化金属形成与半导体的欧姆接触的方法技术
A method of forming a ohm contact with a semiconductor by using a quantized metal
An apparatus includes an integrated circuit device including at least one low-energy density metal / semiconductor material interface, wherein at least one low-energy density metal is quantized. An apparatus includes an integrated circuit device including at least one interface of low energy density metal and semiconductor material, where the contact area of metal at the interface is slowly changing. One method includes limiting the contact area of the semiconductor material, and forming a metal contact in the contact area.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用以使用量化金属形成与半导体的欧姆接触的方法
集成电路器件。
技术介绍
相关技术的描述集成电路器件通常采用金属与半导体接触。一个示例是与晶体管器件的结区（源极或漏极区）的接触。在将金属沉积到半导体材料上时，半导体表面处的悬挂键使得金属和半导体材料的费米能级不匹配。结果是半导体中的费米能级钉扣到特定能级（带隙中的能级），这创建用于载流子穿过的势垒。随着金属与半导体接触区域和集成电路器件变得更小，与这样的接触区域相关联的电阻变得更大（接触电阻与接触面积的倒数成比例）。因此，接触电阻变成器件的总体寄生的较大百分数。用以解决接触电阻的解决方案包括创建较少的反应接触和降低带隙面间接触或使用较低带隙面间接触层。附图说明图1示出具有与器件的结区的金属接触的晶体管器件的截面侧视图的实施例。图2示出图1的晶体管器件的部分和对应的能带结构。图3示出带有与结区的接触和具有锥形形状的金属/半导体材料界面的晶体管器件的另一实施例的部分的截面侧视图。图4示出具有限制与结区的接触的电介质材料的晶体管器件的另一实施例的部分的截面侧视图。图5示出具有直接连接器件的沟道（与其直接接触）的金属接触的晶...
【技术保护点】
一种装置，包括：包括至少一个低能态密度金属/半导体材料界面的集成电路器件，其中所述至少一个低能态密度金属被量化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：包括至少一个低能态密度金属/半导体材料界面的集成电路器件，其中所述至少一个低能态密度金属被量化。2.权利要求1所述的装置，其中量化是缓变量化，其中金属在界面的第一点处比在界面的第二点处更多地被量化。3.权利要求2所述的装置，其中界面处的金属和半导体材料的接触区域以缓变方式减小。4.权利要求1所述的装置，其中半导体材料包括重掺杂的半导体材料。5.权利要求4所述的装置，其中界面处的金属和半导体的接触区域以缓变方式减小。6.权利要求1所述的装置，其中金属在电介质材料中被限制并且量化是通过电介质材料的缓变量化，金属在界面处比在远离界面的点处更多地被量化。7.权利要求1所述的装置，其中金属/半导体界面包括晶体管器件的结区。8.权利要求1所述的装置，其中金属包括接触并且半导体材料晶体管器件的沟道。9.权利要求8所述的装置，其中界面处的接触和沟道的接触区域以缓变方式减小。10.权利要求1所述的装置，其中所述至少一个低能态密度金属包括锑、铋、锡或其合金。11.一种装置，包括：晶体管，包括：形成在衬底上的栅极电介质层；形成在栅极电介质层上的栅极电极；栅极电极的一侧上的源极、栅极电极的相对侧上的漏极、和源极与漏极之间的沟道，源极、漏极和沟道中的每一个包括半导体材料；以及与源极和漏极中的一个的接触，其中接触包括低能态密度金属，并且低能态密度金属与源极和漏极和沟道中的一个的半导体材料的界面是缓变的。12....
【专利技术属性】
技术研发人员：B朱龚，VH勒，R里奥斯，G德维，SB克伦登宁，JT卡瓦利罗斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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