一种双台阶T型栅的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种双台阶T型栅的制作方法，在氮化镓外延材料上生长Si3N4，随后通过光刻定义栅线条，以光刻胶为刻蚀掩膜在ICP‑RIE设备中刻蚀暴露出的Si3N4介质，随后，晶圆整体匀涂缩胶，处理后使刻蚀窗口特征尺寸缩小，再在ICP‑RIE腔体中继续刻蚀氮化硅介质至半导体外延结构界面处停止，之后去除刻蚀掩膜，匀涂负胶或反转胶光刻出栅帽线条，蒸发栅金属经剥离工艺便可形成双台阶T型栅结构。采用本发明专利技术制作出双台阶T型栅，既可以获得较小的栅长，又可以获得较小栅电阻，提高器件截止频率，有助于获得更好的器件性能；同时本方法工艺具备良好的可植入性和可操作性，具备很强的实用性。

Manufacturing method of double step T type grid

The invention discloses a method for manufacturing a double step type T gate, Si3N4 growth in Gan epitaxial material, followed by lithographically defined gate lines, using photoresist as etching mask in Si3N4 medium, ICP in RIE etching exposed then whole wafer evenly coated with adhesive shrinkage, and after the etching the window feature size is reduced, then continue to stop the etching of silicon nitride dielectric and semiconductor epitaxial structure at the interface in the ICP RIE cavity, after removing the etching mask, evenly coated with glue or a negative photoresist inversion grid cap line, evaporation gate metal stripping process can be formed by double step T type gate structure. Making double step type T gate the invention can obtain smaller gate length, and can obtain smaller gate resistance, improve device cut-off frequency, helps to get a better device performance; at the same time this method is good for implantable and operable, has strong practicability.

【技术实现步骤摘要】
一种双台阶T型栅的制作方法
本专利技术涉及半导体加工制造领域，尤其涉及一种双台阶T型栅的制作方法。
技术介绍
随着场效应晶体管(FET)高频应用需求的急剧增长，提升器件截止频率fT显得越发重要。作为表征晶体管高速性能的重要参数，器件截止频率fT的近似公式为：其中vs为载流子的饱和迁移速率，Lg为器件栅长。可以看出，栅长对器件的截止频率有着决定性的影响。缩小器件的栅长是提升其频率性能的最直接的方法，但该方法同时会导致栅电阻的增大，栅电阻增大会恶化器件噪声性能、降低器件最大振荡频率和可靠性等，T型栅的结构由于可以减小栅电阻而被研究人员广泛采用。T型栅工艺存在以下不足：(1)T型栅多采用电子束曝光技术，虽然可以省却部分制版费用，但是电子束光刻机造价高昂，生产效率低下，其产能往往只有步进式光刻机的10％左右，很难满足大批量生产之需求。(2)首先，T型栅工艺栅电阻仍然较大，存在进一步优化空间；
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种双台阶T型栅的制作方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：器件栅工艺之前生长Si3N4介质，采用正胶曝光、显影得到刻蚀窗口，通过ICP本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双台阶T型栅的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：对完成源漏电极和隔离工艺的器件，表面钝化Si3N4介质；S2：匀涂高解析度正胶，并进行前烘；S3：采用步进式光刻机进行曝光、显影，并进行烘烤；S4：在ICP‑RIE中，使用CF4和O2刻蚀掉一定比例厚度的Si3N4介质；S5：在正胶上匀涂缩胶，并分别进行前烘和后烘，沿正胶边缘发生反应生成聚合物，缩小刻蚀窗口；S6：在ICP‑RIE中，使用CF4和O2刻蚀掉剩余的Si3N4介质；S7：在NMP溶液中去胶，并采用IPA清洗，热N2烘干；S8：匀涂负胶，光刻栅帽线条；S9：打底胶；S10：使用一定浓度HCl溶液清洗；S11：蒸发栅金属；S1...

【技术特征摘要】
1.一种双台阶T型栅的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：对完成源漏电极和隔离工艺的器件，表面钝化Si3N4介质；S2：匀涂高解析度正胶，并进行前烘；S3：采用步进式光刻机进行曝光、显影，并进行烘烤；S4：在ICP-RIE中，使用CF4和O2刻蚀掉一定比例厚度的Si3N4介质；S5：在正胶上匀涂缩胶，并分别进行前烘和后烘，沿正胶边缘发生反应生成聚合物，缩小刻蚀窗口；S6：在ICP-RIE中，使用CF4和O2刻蚀掉剩余的Si3N4介质；S7：在NMP溶液中去胶，并采用IPA清洗，热N2...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔欣，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51