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本发明公开了一种双台阶T型栅的制作方法，在氮化镓外延材料上生长Si3N4，随后通过光刻定义栅线条，以光刻胶为刻蚀掩膜在ICP‑RIE设备中刻蚀暴露出的Si3N4介质，随后，晶圆整体匀涂缩胶，处理后使刻蚀窗口特征尺寸缩小，再在ICP‑RIE腔...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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