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一种装置包括包含至少一个低能态密度金属/半导体材料界面的集成电路器件，其中所述至少一个低能态密度金属被量化。一种装置包括包含低能态密度金属和半导体材料的至少一个界面的集成电路器件，其中界面处的金属的接触区域是缓变的。一种方法包括限制半导体材...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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