图像传感器制造技术

一种图像传感器，包括：多个像素单元，所述像素单元包括：衬底；感光结构，所述感光结构位于所述衬底内；隔离结构，所述隔离结构位于相邻所述像素单元的衬底之间；阻挡层，所述阻挡层位于所述隔离结构和所述衬底之间。通过位于所述隔离结构和所述衬底之间的阻挡层，实现对相邻像素单元之间光信号串扰的抑制，从而达到抑制串扰、暗电流，提高图像传感器性能的目的。

image sensor

An image sensor includes a plurality of unit pixels, the pixel unit includes: a substrate; a photosensitive structure, the photosensitive structure is in the substrate; the isolation structure, between the substrate isolation structure is located adjacent to the pixel unit; the barrier layer, the barrier layer is located between the isolation structure and the substrate. By means of a barrier layer between the isolation structure and the substrate, the crosstalk of optical signals between adjacent pixel units is suppressed, so as to suppress crosstalk and dark current, and improve the performance of image sensor.

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种图像传感器。
技术介绍
图像传感器依据其采用的原理可以分为电荷耦合装置(Charge-CoupledDevice,CCD)以及互补型金属氧化物半导体装置(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)。其中CMOS图像传感器是采用传统的CMOS电路工艺制作，因此可以将图像传感器与其所需要的外围电路加以整合，从而使得CMOS图像传感器具有更广泛的应用前景。传统图像传感器中，感光元件是位于电路元件的后方，光线经过电路层才能达到感光层，光线中途会受到电路元件的影响。背照式图像传感器则是通过将感光元件的感光面调转方向，使得光线从器件背面直射进去，让光线直接进入感光层，避免了光线受到电路层的影响，从而增大感光量，进而显著的提高了光的效能，大大改善了低光照条件下图像传感器的感光效果。随着器件集成度的提高，图像传感器中像素单元密度随之增大，相邻像素单元之间的串扰(crosstalk)和暗电流(darkcurrent)不断增大，影响了图像传感器的性能。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种图像传感器，以抑本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：多个像素单元，所述像素单元包括：衬底；感光结构，所述感光结构位于所述衬底内；隔离结构，所述隔离结构位于相邻所述像素单元的衬底之间；其特征在于，所述图像传感器还包括：阻挡层，所述阻挡层位于所述隔离结构和所述衬底之间。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：多个像素单元，所述像素单元包括：衬底；感光结构，所述感光结构位于所述衬底内；隔离结构，所述隔离结构位于相邻所述像素单元的衬底之间；其特征在于，所述图像传感器还包括：阻挡层，所述阻挡层位于所述隔离结构和所述衬底之间。2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述阻挡层对所述感光结构所采集光线的吸收率大于或等于90％。3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述阻挡层为叠层结构，所述阻挡层包括介电抗反射层。4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述介电抗反射层的厚度在60nm到90nm范围内。5.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述阻挡层还包括：底部抗反射层，所述底部抗反射层位于所述介电抗反射层和所述隔离结构之间。6.如权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述底部抗反射层的厚度在59nm到80nm范围内。7.如权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述底部抗反射层材料的折射率小于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙海凤，李天慧，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32