用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板和X射线探测器制造技术

本发明专利技术提供一种用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板及其X射线探测器，包括：基板、栅极布线、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极、第一绝缘层、光电二极管、第二绝缘层、数据线、遮光金属层、透明电极层以及第三绝缘层，其中，光电二极管形成在像素区域中，并且包括电连接到源电极的下部电极、形成在下部电极上的光电导层、以及形成在光电导层上的上部电极；数据线，形成在该第二绝缘层上，并自贯穿第一绝缘层及第二绝缘层的接触孔电连接漏电极；遮光金属层，形成于该第二绝缘层上，遮光金属层与有源层交叠；透明电极层，形成于该第二绝缘层上，透明电极层电连接上部电极，且透明电极层电连接于遮光金属层。

Thin film transistor array substrate and X ray detector for X ray detector

The present invention provides a method for thin film transistor array substrate X ray detector and X detector includes: a substrate, a gate wiring, a gate insulation layer, an active layer, a source electrode and a drain electrode, a first insulating layer, a photodiode, a second insulating layer, a data line, a light shielding metal layer, a transparent electrode layer and the third insulating among them, the photodiode layer formed in the pixel region, and electrically connected to the lower electrode, a source electrode is formed on the lower electrode of the photoconductive layer, and the upper electrode formed on the photoconductive layer; the data line formed on the second insulating layer, and through the first insulating layer and the two insulation the contact hole layer is electrically connected with the drain electrode; light metal layer is formed on the second insulating layer, light metal layer and active layer overlapping; the transparent electrode layer, formed on the second. On the edge layer, the transparent electrode layer is electrically connected to the upper electrode, and the transparent electrode layer is electrically connected to the light shielding metal layer.

【技术实现步骤摘要】
用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板和X射线探测器
本专利技术涉及用于X射线探测器的薄膜晶体管(TFT)阵列基板和具有TFT阵列基板的X射线探测器。更具体地，本专利技术涉及用于X射线探测器，能够提高可靠性的TFT阵列基板和具有所述TFT阵列基板的X射线探测器。
技术介绍
通常，X射线是易于穿过物体的短波长辐射，并且X射线的透射率根据该物体的密度来确定。即，可以通过穿过物体的X射线量来间接观察该物体的内部状态。X射线检测器是检测穿过物体的X射线量的设备。X射线检测器检测X射线的透射率并且通过显示设备来显示物体的内部状态。X射线检测器通常可以用作医学检查器、非破坏性检查器等。目前在国内外市场上流通的X射线平板探测器都是基于非晶硅薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列检测技术发展起来的。从原理上分为两种：一种是间接能量转换型，如西门子、菲利浦、GE、PerkinElmer公司的产品，一种是直接能量转换型，如HOLOGIC公司产品。其中，由于间接能量转换型X射线平板探测器具有转换效率高、动态范围广、空间分辨率高、环境适应性强等优点，所以是目前X射线平板探测器市场的主流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：基板；栅极布线，形成在该基板上，包括栅极线和电连接到该栅极线的栅电极；栅极绝缘层，覆盖该栅极布线；有源层，形成在该栅绝缘层上，且与该栅电极交叠；源电极和漏电极，形成于该有源层上，该源电极与该漏电极相互间隔开；第一绝缘层，形成在该源电极和该漏电极上，且该第一绝缘层具有第一开孔，部分该源电极自该第一开孔中暴露出；光电二极管，形成在像素区域中，并且包括电连接到该源电极的下部电极、形成在该下部电极上的光电导层、以及形成在该光电导层上的上部电极，该光电导层使用外部提供的光来产生电子和空穴；第二绝缘层，形成在该光电二极管上，具有接触孔及第二开孔，...

【技术特征摘要】
1.一种用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：基板；栅极布线，形成在该基板上，包括栅极线和电连接到该栅极线的栅电极；栅极绝缘层，覆盖该栅极布线；有源层，形成在该栅绝缘层上，且与该栅电极交叠；源电极和漏电极，形成于该有源层上，该源电极与该漏电极相互间隔开；第一绝缘层，形成在该源电极和该漏电极上，且该第一绝缘层具有第一开孔，部分该源电极自该第一开孔中暴露出；光电二极管，形成在像素区域中，并且包括电连接到该源电极的下部电极、形成在该下部电极上的光电导层、以及形成在该光电导层上的上部电极，该光电导层使用外部提供的光来产生电子和空穴；第二绝缘层，形成在该光电二极管上，具有接触孔及第二开孔，该接触孔贯穿该第二绝缘层及该第一绝缘层并使得部分该漏电极自该第一接触孔中暴露出，且该光电二极管的部分该上部电极自该第二开孔暴露出；数据线，形成在该第二绝缘层上，并自该接触孔电连接该漏电极；遮光金属层，形成于该第二绝缘层上，且该遮光金属层在该基板上垂直投影遮盖该有源层在该基板上的垂直投影；透明电极层，形成于该第二绝缘层上，该透明电极层电连接自该第二开孔中暴露中的该上部电极，且该透明电极层电连接于该遮光金属层；以及，第三绝缘层，覆盖该数据线、该遮光金属层及该透明电极层。2.如权利要求1所述的用于X射线探测器...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈德铭，陈宗汉，吴声桢，周耕群，陈盈宪，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71