固体摄像元件及具备该固体摄像元件的摄像装置制造方法及图纸

本申请关于具备具有纵型溢出沟道构造的光电转换部的固体摄像元件，使其能够作为例如精度较高的测距传感器使用。在固体摄像元件中，在形成在第1导电型的半导体基板的表面部上的第2导电型的阱区域中，形成有像素阵列部。在像素阵列部中，以矩阵状配置有将入射光转换为信号电荷且具有纵型溢出沟道构造(VOD)的光电转换部。控制VOD的电势的基板排出脉冲信号

A solid camera element and a camera device with the solid-state camera

The application is concerned with solid camera elements with photoelectric conversion part of longitudinal overflow channel structure, so that it can be used as a range sensor with high accuracy. In a solid-state camera element, a pixel array section is formed in a second conductive well region formed on the surface part of the first conductive semiconductor substrate. In the pixel array section, a photoelectric conversion unit that converts the incident light into a signal charge and has a longitudinal spillover channel structure (VOD) is arranged in a matrix shape. The pulse signal of the substrate that controls the potential of the VOD

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固体摄像元件及具备该固体摄像元件的摄像装置
本申请涉及例如在测距照相机中使用的固体摄像元件。
技术介绍
在专利文献1中，公开了一种拥有利用红外光测量至被摄体的距离的功能的测距照相机。通常，在测距照相机中使用的固体摄像元件被称作测距传感器。特别是，例如搭载在游戏机中、检测作为被摄体的人物的身体的运动或手的运动的照相机也被称作运动照相机(motioncamera)。在专利文献2中，公开了一种能够进行全部像素同时读出的拥有垂直转送电极构造的固体摄像装置。具体而言，是在光电二极管(PD)的各列的旁边设有沿垂直方向延伸的垂直转送部的CCD(ChargeCoupledDevice)图像传感器。垂直转送部对应于各光电二极管而具备4个垂直转送电极，其中至少1个垂直转送电极兼作为从光电二极管向垂直转送部读出信号电荷的读出电极，此外，具备用来将光电二极管的全部像素的信号电荷清除掉的纵型溢出沟道(VOD)。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-174854号公报专利文献2：日本特开2000-236486号公报
技术实现思路
设想使用专利文献2的固体摄像装置作为测距传感器的场景。例如向被摄体照射红外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固体摄像元件，其特征在于，具备：第1导电型的半导体基板；像素阵列部，其中光电转换部配置为矩阵状，所述光电转换部形成在阱区域，并将入射光转换为信号电荷，且具有纵型溢出沟道构造；第1信号端子，用于施加对所述纵型溢出沟道构造的电势进行控制的基板排出脉冲信号；信号布线，转送对所述第1信号端子施加的所述基板排出脉冲信号；以及连接部，将所述信号布线与所述半导体基板表面中的所述阱区域以外的部分电连接，在所述半导体基板中的所述连接部的下方，形成有被导入了第1导电型的杂质的杂质导入部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.26 JP 2015-0647981.一种固体摄像元件，其特征在于，具备：第1导电型的半导体基板；像素阵列部，其中光电转换部配置为矩阵状，所述光电转换部形成在阱区域，并将入射光转换为信号电荷，且具有纵型溢出沟道构造；第1信号端子，用于施加对所述纵型溢出沟道构造的电势进行控制的基板排出脉冲信号；信号布线，转送对所述第1信号端子施加的所述基板排出脉冲信号；以及连接部，将所述信号布线与所述半导体基板表面中的所述阱区域以外的部分电连接，在所述半导体基板中的所述连接部的下方，形成有被导入了第1导电型的杂质的杂质导入部。2.如权利要求1所述的固体摄像元件，其特征在于，所述光电转换部形成在形成于所述半导体基板的表面部上的第2导电型的所述阱区域中。3.如权利要求1所述的固体摄像元件，其特征在于，所述固体摄像元件在所述半导体基板的表面部上形成有第1导电型的第1外延层、和形成在所述第1外延层上的第1导电型的第2外延层；所述光电转换部形成在所述第1导电型的外延层内的所述阱区域中；所述光电转换部及供所述基板排出脉冲信号传递的所述杂质导入部，跨所述第1外延层和第2外延层而形成。4.如权利要求1～3中任一项所述的固体摄像元件，其特征在于，被作为TOF即飞行时间型的测距传感器使用；所述基板排出脉冲信号被用于曝光期间的控制。5.如权利要求1～4中任一项所述的固体摄像元件，其特征在于，所述半导体基板是电阻值为0.3Ω·cm以下的硅基板。6.如权利要求1所述的固体摄像元件，其特征在于，所述杂质导入部通过从所述半导体基板表面对所述第1导电型的离子进行注入深度不同的多次注入而形成。7.如权利要求1所述的固体摄像元件，其特征在于，所述第1信号端子设有多个。8.如权利要求5所述的固体摄像元件，其特征在于，所述第1信号端子设有多个；多个所述第1信号端子在俯视中配置在所述像素阵列部的行方向或列方向上的两侧。9.如权利要求7所述的固体摄像元件，其特征在于，多...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅野拓也，佐藤嘉展，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP