一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构及其制作方法，该金属互连结构的制作方法包括以下步骤：S1：制备柔性基底的下层金属连线；S2：在前步结构上沉积介质层；S3：在前步结构上制备上层金属连线；S4：制作过孔，连接上、下层金属连线：采用超声波金属焊接机，选择需要的区域施加机械振动，使作用区域中间介质层破碎，并使上、下层金属原子被激活，在界面处相互渗透，最终形成上、下层金属连线的固态连接，完成过孔，得到金属互连结构。本发明专利技术所述制作方法，过孔的制备成本低廉、工艺简单、适用于柔性有机器件的集成；同时超声波发生器易于电气控制，可制作出多种复杂的金属互连结构，且过孔区域金属连线间具有高的连接强度。

A metal interconnect structure suitable for flexible OTFT integrated circuit and its fabrication method

The metal interconnection structure and production method of the present invention relates to a flexible OTFT integrated circuit, a method of making the metal interconnection structure comprises the following steps: S1, the lower metal line for preparing flexible substrate; depositing a dielectric layer in S2: front step structure; S3: preparation of the upper metal wiring structure in the first step S4;: making holes, connecting the upper and lower metal wires by ultrasonic metal welding machine, select the area applying mechanical vibration, so that the role of regional middle medium layer is broken, and the upper and lower metal atoms are activated, mutual penetration in the interface, and ultimately the formation of solid connecting upper and lower metal line, complete through holes, metal interconnect structure. The manufacture method, integrated over the preparation cost, simple process, low hole for flexible organic devices; at the same time, the ultrasonic generator is easy to control, can produce a variety of complex metal interconnect structure, has the advantages of high connection strength and hole area between metal wires.

【技术实现步骤摘要】
一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构及其制作方法
本专利技术涉及有机半导体集成电路制造
，特别是涉及一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构及其制作方法。
技术介绍
柔性电子在过去的20年间受到了学术界和社会工业的广泛关注，柔性有机薄膜晶体管(OTFTs)是未来柔性电子显示器件的一个重要发展方向，特别是在最近5-10年间，有机电子学在多个应用领域取得了长足的进展，如有机场效应晶体管、有机太阳能电池、生物传感器、TFT阵列、有机发光二极管等。目前有机材料与器件已经由基础研究逐步走向产业化，在应用生产中具有制作工艺简单、可弯曲、多样和成本低等特性；在集成电路中，除了前端工艺中的器件制作外，后端工艺中的金属互连结构制作也十分重要。如为了满足半导体元件数量增多要求，通常形成多层结构的半导体元件，而相邻层的半导体元件则通过金属互连结构实现电连接。基本的金属互连结构包括上、下层金属连线、中间介质层以及连接上下层金属连线的过孔。随着器件集成度需求的不断提高，集成电路中金属互连结构的性能成为影响集成电路可靠性的关键因素之一。但对于柔性有机薄膜晶体管器件的集成化，如何制作适用于柔性O本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：制备柔性基底的下层金属连线；S2：在前步结构上沉积介质层；S3：在前步结构上制备上层金属连线；S4：制作过孔，连接上、下层金属连线：采用超声波金属焊接机，选择需要的区域施加机械振动，使作用区域中间介质层破碎，并使上、下层金属原子被激活，在界面处相互渗透，最终形成上、下层金属连线的固态连接，完成过孔，得到金属互连结构。

【技术特征摘要】
1.一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：制备柔性基底的下层金属连线；S2：在前步结构上沉积介质层；S3：在前步结构上制备上层金属连线；S4：制作过孔，连接上、下层金属连线：采用超声波金属焊接机，选择需要的区域施加机械振动，使作用区域中间介质层破碎，并使上、下层金属原子被激活，在界面处相互渗透，最终形成上、下层金属连线的固态连接，完成过孔，得到金属互连结构。2.根据权利要求1所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：还包括以下步骤：S5：重复步骤S2～S4，得到多层金属互连结构。3.根据权利要求1所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：在步骤S4之前还包括以下步骤：重复步骤S2～S3。4.根据权利要求1～3任一项所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：步骤S1中，下层金属连线采用以下任一种导电金属物质：金、银、铜、镍、铝、表面包覆铬的金；采用蒸镀、打印、溅射任一种低温制备方法制备而成。5.根据权利要求1～3任一项所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆旭兵，赵凯，刘俊明，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东,44