电容器结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种电容器结构及其制造方法，该制造方法包括以下步骤。在第一导体层上形成堆叠结构，其中堆叠结构从第一导体层起依序包括第一介电层、蚀刻终止层与第二介电层。在堆叠结构中形成介层窗，其中介层窗包括阻障层与导电插塞，且介层窗与第一导体层电连接。在第二介电层中形成第一开口，其中第一开口环绕介层窗。移除导电插塞，以形成第二开口。在第一开口与第二开口中形成电容结构，其中电容结构包括下电极、电容介电层以及上电极，且下电极与第一导体层电连接。

【技术实现步骤摘要】
电容器结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别是涉及一种电容器结构及其制造方法。
技术介绍
一般应用于金属氧化物半导体(CMOS)的精密电容可为金属-绝缘-金属(MIM)电容或是多晶硅-绝缘-多晶硅(PIP)电容。然而，由于多晶硅-绝缘-多晶硅(PIP)电容是形成于金属氧化物半导体之前，因此在形成金属氧化物半导体时所使用的加热及氧化制作工艺将会降低多晶硅-绝缘-多晶硅(PIP)电容的效能。据此，现今半导体产业中，较常选用形成于金属氧化物半导体之后的金属-绝缘-金属(MIM)电容做为金属氧化物半导体(CMOS)的精密电容。然而，随着半导体元件微缩，电容器可使用面积下降，导致电容密度下降，因而影响半导体元件功能。因此，如何在有限的面积中建构一个具有高电容值的电容结构已然成为重要的研究课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种电容器结构及其制造方法，其可提升电容器结构的电容值，并改善其制作工艺的稳定性。本专利技术提出一种电容器结构的制造方法，包括以下步骤。在第一导体层上形成堆叠结构，其中堆叠结构从第一导体层起依序包括第一介电层、蚀刻终止层与第二介电层。在堆叠结构中形成介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器结构的制造方法，包括：在第一导体层上形成堆叠结构，其中所述堆叠结构从所述第一导体层起依序包括第一介电层、蚀刻终止层与第二介电层；在所述堆叠结构中形成介层窗，其中所述介层窗包括阻障层与导电插塞，且所述介层窗与所述第一导体层电连接；在所述第二介电层中形成第一开口，其中所述第一开口环绕所述介层窗；移除所述导电插塞，以形成第二开口；以及在所述第一开口与所述第二开口中形成电容结构，其中所述电容结构包括下电极、电容介电层以及上电极，且所述下电极与所述第一导体层电连接。

【技术特征摘要】
2016.07.05 TW 1051212651.一种电容器结构的制造方法，包括：在第一导体层上形成堆叠结构，其中所述堆叠结构从所述第一导体层起依序包括第一介电层、蚀刻终止层与第二介电层；在所述堆叠结构中形成介层窗，其中所述介层窗包括阻障层与导电插塞，且所述介层窗与所述第一导体层电连接；在所述第二介电层中形成第一开口，其中所述第一开口环绕所述介层窗；移除所述导电插塞，以形成第二开口；以及在所述第一开口与所述第二开口中形成电容结构，其中所述电容结构包括下电极、电容介电层以及上电极，且所述下电极与所述第一导体层电连接。2.如权利要求1所述的电容器结构的制造方法，其中所述第一开口暴露部分所述蚀刻终止层。3.如权利要求1所述的电容器结构的制造方法，其中形成所述介层窗的步骤包括：在所述堆叠结构中形成介层窗开口，其中所述介层窗开口暴露部分所述第一导体层；在所述介层窗开口的表面形成所述阻障层；以及在所述介层窗开口中填入所述导电插塞。4.如权利要求1所述的电容器结构的制造方法，其中形成所述电容结构的步骤包括：在所述第一开口与所述第二开口的表面形成所述下电极；在所述下电极上形成所述电容介电层；以及在所述第一开口与所述第二开口中填入所述上电极。5.如权利要求1所述的电容器结构的制造方法，其中在形成所述电容结构之后，还包括：在所述第二介电层上形成绝缘层并覆盖所述下电极，且暴露部分所述上电极；以及在所述绝缘层上形成第二导体层，其中所述第二导体层与所述上电极电连接。6.一种电容器结构的制造方法，包括：在第一导体层上依序形成第一介电层与第二介电层；在所述第一介电层与所述第二介电层中形成介层窗，其中所述介层窗包括阻障层与导电插塞，且所述介层窗与所述第一导体层电连接；在所述第二介电层中形成第一开口，其中所述第一开口环绕所述介层窗；移除所述导电插塞，以形成第二开口；以及在所述第一开口与所述第二开口中形成电容结构，其中所述电容结构包括下电极、电容介电...

【专利技术属性】
技术研发人员：车行远，姜文萍，侯映君，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71