一种3D‑SONOS器件及其制造方法技术
A 3D SONOS device and manufacturing method thereof
The invention provides a 3D SONOS device and its manufacturing method, the 3D SONOS device includes a polysilicon gate are adjacent to the top of the silicon oxide layer, a silicon nitride layer tunneling silicon oxide layer and a silicon substrate, wherein the polysilicon gate, the top layer of silicon oxide, silicon nitride, silicon substrate tunneling oxide the silicon layer of silicon substrate respectively along the channel width direction of a certain depth of the parcel. Aiming at the SONOS device size is shrinking the problems, the invention provides a 3D SONOS device and its manufacturing method, through the formation of the 3D structure to increase the effective width of the channel, so as to improve the read current, improved SONOS device write and erase window and.
【技术实现步骤摘要】
一种3D-SONOS器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种3D-SONOS器件及其制造方法。
技术介绍
闪存是非易失存储器件的一种，传统的闪存利用浮栅极来存储数据，由于多晶硅是导体，浮栅极存储的电荷是连续分布的。当有一个泄漏通道的时候，整个浮栅极上存储的电荷都会通过这个泄漏通道而丢失。因此限制闪存按比例缩小能力的最大障碍是其隧穿氧化层厚度不能持续减小。因为在薄的隧穿氧化层情况下，直接隧穿和应力引起的泄漏电流等效应都会对存储器的漏电控制提出巨大的挑战。在这一情况下，20世纪60年代提出来基于绝缘性能优异的氮化硅存储介质的SONOS(Silicon–Oxide–Nitride-Oxide-Silicon)存储器以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视，SONOS器件用具有电荷陷阱能力的氮化硅层取代原有的多晶硅存储电荷层，由于其用陷阱电荷存储电荷，所以存储的电荷是离散分布的。这样一个泄漏通道不会引起大的泄漏电流，因此可靠性大大提高。典型的SONOS结构是由硅衬底(S)-隧穿氧化层(O)...
【技术保护点】
一种3D‑SONOS器件，其特征在于，包括：依次邻接的多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层以及硅衬底，其中所述多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层分别沿硅衬底的沟道宽度方向包裹一定深度的硅衬底。
【技术特征摘要】
1.一种3D-SONOS器件，其特征在于，包括：依次邻接的多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层以及硅衬底，其中所述多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层分别沿硅衬底的沟道宽度方向包裹一定深度的硅衬底。2.根据权利要求1所述的3D-SONOS器件，其特征在于，该器件隔离工艺采用浅沟槽隔离工艺。3.根据权利要求2所述的3D-SONOS器件，其特征在于，所述沿沟道宽度方向的包裹深度由浅沟槽中隔离氧化层的高度决定。4.根据权利要求3所述的3D-SONOS器件，其特征在于，所述浅沟槽隔离氧化层的高度调节通过湿法刻蚀工艺实现。5.一种3D-SONOS...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚邵康，唐小亮，陈广龙，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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