一种闪存单元结构的形成方法技术

本发明专利技术提出一种闪存单元结构的形成方法，包括下列步骤：器件离子注入形成衬底结构；在上述结构上依次沉积闪存氧化层、浮栅多晶硅层、氧化硅层和氮化硅层；在上述结构上形成浅沟槽隔离结构；对上述结构进行衬垫氧化硅预清洗处理，去除部分氧化硅层，露出浮栅多晶硅尖角；在上述结构的浅沟槽结构中形成衬垫氧化硅层，氧化露出的浮栅多晶硅尖角，使尖角处圆滑；在所述浅沟槽中沉积氧化硅隔离并进行刻蚀；刻蚀去除所述氮化硅层直至露出所述浮栅多晶硅层。本发明专利技术提出的闪存单元结构的形成方法，解决45纳米闪存单元的工艺集成问题，从而取得浮栅极尖角圆弧化和浮栅极表面非损伤的闪存单元。

A method of forming the structure of flash memory cell

The invention provides a method of forming a flash memory unit structure, which comprises the following steps: forming a substrate structure device of ion implantation; sequentially deposited in the structure of flash floating gate oxide layer, a polysilicon layer and a silicon oxide layer and the silicon nitride layer; forming a shallow trench isolation structure in the structure; the structure of pretreatment cleaning pad remove part of silicon oxide, silicon oxide layer, a floating gate polysilicon corner; forming a silicon oxide layer in the shallow trench liner structure of the structure, the floating gate polysilicon oxidation with sharp corners, the sleek; in the shallow trench isolation and deposition of silicon oxide etching; etching the silicon nitride layer until the removal with the floating gate polysilicon layer. The forming method of the flash memory cell structure proposed by the invention solves the process integration problem of the 45 nanometer flash memory unit, so as to get the flash memory unit with floating grid corners and arcing and floating grid surface non damage.

【技术实现步骤摘要】
一种闪存单元结构的形成方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种闪存单元结构的形成方法。
技术介绍
闪存由于其具有高密度，低价格，和电可编程，擦除的优点已被广泛作为非易失性记忆体应用的最优选择。目前闪存单元主要是在65纳米技术节点进行，随着对大容量闪存的要求，利用现有技术节点，每片硅片上的芯片数量将会减少。同时新的技术节点的日益成熟，也促使闪存单元用高节点的技术进行生产。意味着需要将闪存单元的尺寸进行缩减，按照原有结构进行的闪存单元的有源区宽度和沟道的长度的缩减，会影响闪存单元之间的互扰，同时由于尺寸的缩减，原有结构已经不能满足要求。现在发展的45纳米闪存单元使用自对准的有源区，将浮栅极和有源区做成同样的尺寸，从而可以实现降低的闪存单元之间的互扰，从而为进一步缩减提供了可能性。但是在多晶硅栅极的形成过程中，通常使用以下两种方法：方法1：氮化硅去除+闪存单元打开(湿法+干法)优点：浮栅极的尖角由于氮化硅提前去除和湿法提前打开，而被干法刻蚀，圆滑，不会有后续尖角的高电场诱导的电子丢失问题。缺点：氮化硅去除后，闪存区打开去除氧化硅，对于浮栅极表面影响，表面氧化再去除后的均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存单元结构的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：器件离子注入形成衬底结构；在上述结构上依次沉积闪存氧化层、浮栅多晶硅层、氧化硅层和氮化硅层；在上述结构上形成浅沟槽隔离结构；对上述结构进行衬垫氧化硅预清洗处理，去除部分氧化硅层，露出浮栅多晶硅尖角；在上述结构的浅沟槽结构中形成衬垫氧化硅层，氧化露出的浮栅多晶硅尖角，使尖角处圆滑；在所述浅沟槽中沉积氧化硅隔离并进行刻蚀；刻蚀去除所述氮化硅层直至露出所述浮栅多晶硅层。

【技术特征摘要】
1.一种闪存单元结构的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：器件离子注入形成衬底结构；在上述结构上依次沉积闪存氧化层、浮栅多晶硅层、氧化硅层和氮化硅层；在上述结构上形成浅沟槽隔离结构；对上述结构进行衬垫氧化硅预清洗处理，去除部分氧化硅层，露出浮栅多晶硅尖角；在上述结构的浅沟槽结构中形成衬垫氧化硅层，氧化露出的浮栅多晶硅尖角，使尖角处圆滑；在所述浅沟槽中沉积氧化硅隔离并进行刻蚀；刻蚀去除所述氮化硅层直至露出所述浮栅多晶硅层。2.根据权利要求1所述的闪存单元结构的形成方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：田志，钟林建，殷冠华，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31