一种半导体器件及其制作方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区，在所述半导体衬底上形成第一多晶硅层，并图形化所述第一多晶硅层，以在所述存储区中形成浮栅；在所述浮栅的侧壁和顶部上形成栅极介电层；形成覆盖所述半导体衬底和浮栅的第二多晶硅层，并图形化所述第二多晶硅层，以在所述存储区中形成选择栅和控制栅，其中，所述选择栅与所述浮栅分离，所述控制栅包括位于所述浮栅侧壁上且在所述栅极介电层之上的第一控制栅和位于所述浮栅顶部且在所述栅极介电层之上的第二控制栅。该制作方法可以克服多晶硅残余和氮化硅损伤问题。该半导体器件可以实现加密。该电子装置具有类似优点。

A semiconductor device and its manufacturing method and electronic device

The present invention provides a semiconductor device and its manufacturing method, electronic device, the manufacturing method comprises the following steps: providing a semiconductor substrate, the semiconductor substrate includes a storage area, a first polysilicon layer is formed on the semiconductor substrate, and patterning the first polycrystalline silicon layer to form a floating gate in the storage area; forming a gate dielectric layer on the floating gate side wall and on the top; a second polysilicon layer covering the semiconductor substrate and the floating gate, and patterning the second polysilicon layer to select gate and the control gate is formed in the storage area in which the separation and selection gate the floating gate and the control gate of the floating gate on the side wall and the gate dielectric layer above the first control gate and the floating gate is located at the top and at the gate dielectric layer second control gate . This method can overcome the damage of polysilicon residual and silicon nitride. The semiconductor device can be encrypted. The electronic device has similar advantages.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。
技术介绍
电可擦除可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory，简称EEPROM)由于具有很好的编程粒度，很小的功耗，允许大量的存储单元同时擦写以减少测试时间，可擦写次数多等等优点，而成为一种常用的非挥发性存储器。EEPROM尤其适合于存储容量要求小、要求电路功耗小且可擦写次数多的场合，比如蜂窝电话、汽车、计算机通讯产品和消费类电子产品等等。EEPROM可以分为堆叠栅结构和分离栅结构具有堆叠栅结构的EEPROM通常包括浮栅和设置于浮栅上的控制栅。此种堆叠栅结构的EEPORM通常会有过擦除问题，一旦过擦除问题发生，在其他存储单元的读操作过程中就会有不期望出现的漏电流。制造堆叠栅结构的EEPROM比分离栅结构的EEPROM工艺流程简单，然而，由于其有过擦除问题而分离栅结构的EEPROM没有，因此具有分离栅结构的EEPROM使用范围更广。然而，目前分离栅结构的EEPROM由于制作工艺问题，常存在多晶硅残余或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区，在所述半导体衬底上形成第一多晶硅层，并图形化所述第一多晶硅层，以在所述存储区中形成浮栅；在所述浮栅的侧壁和顶部上形成栅极介电层；形成覆盖所述半导体衬底和浮栅的第二多晶硅层，并图形化所述第二多晶硅层，以在所述存储区中形成选择栅和控制栅，其中，所述选择栅与所述浮栅分离，所述控制栅包括位于所述浮栅侧壁上且在所述栅极介电层之上的第一控制栅和位于所述浮栅顶部且在所述栅极介电层之上的第二控制栅。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区，在所述半导体衬底上形成第一多晶硅层，并图形化所述第一多晶硅层，以在所述存储区中形成浮栅；在所述浮栅的侧壁和顶部上形成栅极介电层；形成覆盖所述半导体衬底和浮栅的第二多晶硅层，并图形化所述第二多晶硅层，以在所述存储区中形成选择栅和控制栅，其中，所述选择栅与所述浮栅分离，所述控制栅包括位于所述浮栅侧壁上且在所述栅极介电层之上的第一控制栅和位于所述浮栅顶部且在所述栅极介电层之上的第二控制栅。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一控制栅和第二控制栅分离。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述存储区中的选择栅和控制栅在同一步骤中形成。4.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区和逻辑区，在所述半导体衬底上形成第一多晶硅层，并图形化所述第一多晶硅层，以在所述存储区中形成浮栅；在所述浮栅的侧壁和顶部上形成栅极介电层；形成覆盖所述半导体衬底和浮栅的第二多晶硅层，并图形化所述第二多晶硅层，以在所述存储区中形成选择栅和控制栅，在所述逻辑区中形成逻辑栅，其中，所述选择栅与所述浮栅分离，所述控制栅包括位于所述浮栅侧壁上且在所述栅极介电层之上的第一控制栅和位于所述浮栅顶部且在所述栅极介电层之上的第二控制栅。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一控制栅和第二控制栅分离。6.根据权利要求4或5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在图形化所述第一多晶硅层时，除保留所述第一多晶硅层与所述浮栅对应的部分之外，去除所述第一多晶硅层位于所述存储区和逻辑区上的其余部分。7.根据权利要求4或5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述存储区中的选择栅和控制栅以及所述逻...

【专利技术属性】
技术研发人员：万宇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31