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本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区，在所述半导体衬底上形成第一多晶硅层，并图形化所述第一多晶硅层，以在所述存储区中形成浮栅；在所述浮栅的侧壁和顶部上形成栅极介电层...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。