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本发明提出一种闪存单元结构的形成方法，包括下列步骤：器件离子注入形成衬底结构；在上述结构上依次沉积闪存氧化层、浮栅多晶硅层、氧化硅层和氮化硅层；在上述结构上形成浅沟槽隔离结构；对上述结构进行衬垫氧化硅预清洗处理，去除部分氧化硅层，露出浮栅多...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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