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本发明提出一种3D‑SONOS器件及其制造方法，该3D‑SONOS器件包括：依次邻接的多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层以及硅衬底，其中所述多晶硅栅极，顶层氧化硅层，氮化硅层，隧穿氧化硅层分别沿硅衬底的沟道宽度方向包裹一定深度...
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