衬底的背封方法及结构技术

本发明专利技术公开了一种衬底的背封方法及结构，其中方法包括以下步骤：S1、在所述衬底上生长1‑20KA的热氧；S2、在所述衬底上生长1‑10KA的氮化硅；S3、去掉所述衬底的正面的热氧和氮化硅；S4、在所述正面生长外延层；S5、在所述衬底上生长1‑20KA的多晶层；S6、对所述正面进行清洗。本发明专利技术提供的衬底的背封方法及结构能够改善背封的质量，减少背封背面的坑洼的数量以及缩小坑洼的尺寸，有效抑制衬底掺杂对正面后续工艺的影响。

The back sealing method and structure of the substrate

The invention discloses a substrate back sealing method and structure, wherein the method comprises the following steps: 1 20KA S1 thermooxidizing growth, on the substrate; silicon nitride growth of 1 10KA, S2 on the substrate; S3, remove the substrate positive heat of oxygen and silicon nitride S4; positive epitaxial growth layer on the polycrystalline layer; the growth of 1 20KA, S5 on the substrate; S6, on the front of the cleaning. The invention provides a substrate of the back sealing method and structure can improve the quality of back sealing, reduce the number of back sealing on the back of the potholes and reduce potholes size, effectively inhibit the substrate doping effect on positive follow-up process.

【技术实现步骤摘要】
衬底的背封方法及结构
本专利技术涉及半导体分离器件制造工艺
，特别涉及一种衬底的背封方法及结构。
技术介绍
在半导体分离器件制造工艺中，衬底一般采用高浓度即毫欧姆.厘米级P(Positive，正电)或N(Negative，负电)型掺杂，而背封为自掺杂poly(多晶)与PETEOS(二氧化硅薄膜)组成。这样在随后衬底正面的外延层生长和刻蚀工艺中，衬底背面很容易产生自扩散效应和衬底背面的边缘腐蚀效应，影响衬底随后的工艺质量。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中半导体分离器件的背封方法生成的背封结构在后续工艺中容易产生自扩散效应和边缘腐蚀效应，影响衬底后续的工艺质量的缺陷，提供一种能够改善背封的质量达到抑制衬底掺杂对正面后续工艺影响的衬底的背封方法及结构。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：本专利技术提供了一种衬底的背封方法，其特点在于，包括以下步骤：S1、在所述衬底上生长1-20KA(千埃)的热氧；S2、在所述衬底上生长1-10KA的氮化硅；S3、去掉所述衬底的正面的热氧和氮化硅；S4、在所述正面生长外延层；S5、在所述衬底上生长1-20KA的多晶层；S6、对所述正面进行清洗。本方案中，步骤S3能够去掉衬底正面的热氧和氮化硅，这样背面和侧壁的热氧和氮化硅得以保留，同时氮化硅还可以作为后续清洗和刻蚀工艺中的阻挡层。本方案中，步骤S6清洗的目的是去掉正面多余的氧化层，多晶层用于平衡应力及步骤S6中进行清洗时的阻挡层。较佳地，步骤S4和步骤S5之间还包括以下步骤：在所述衬底上生长1-20KA的低压二氧化硅薄膜。本方案中，低压二氧化硅薄膜用于作为后续生长多晶层时的缓存层。较佳地，所述衬底为毫欧姆.厘米级掺杂的衬底。较佳地，步骤S3中对所述衬底采用干法刻蚀工艺，以去掉所述正面的热氧和氮化硅。较佳地，步骤S1中采用湿氧或干氧工艺。较佳地，步骤S2中采用炉管热扩散工艺。较佳地，步骤S6中采用BOE(缓冲氧化物刻蚀液)进行清洗，以去掉多余的氧化层。本专利技术还提供了一种衬底的背封结构，其特点在于，所述背封结构利用前述的衬底的背封方法生成。较佳地，所述背封结构包括依次设于衬底上方的热氧层、氮化硅层、低压二氧化硅薄膜层和多晶层。本专利技术的积极进步效果在于：本专利技术提供的衬底的背封方法及结构能够改善背封的质量，减少背封背面的坑洼的数量以及缩小坑洼的尺寸，有效抑制衬底掺杂对正面后续工艺的影响，满足了器件的要求。附图说明图1为本专利技术实施例1的衬底的背封方法的流程图。图2为本专利技术实施例2的衬底的背封结构的示意图。图3为现有方法生成的背封结构的背面的效果图。图4为采用本专利技术提供的方法生成的背封结构的背面的效果图。具体实施方式下面通过实施例的方式进一步说明本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。实施例1如图1所示，一种衬底的背封方法，包括以下步骤：步骤101、采用湿氧工艺在衬底上生长1-20KA的热氧；步骤102、采用炉管热扩散工艺在衬底上生长1-10KA的氮化硅；步骤103、采用干法刻蚀工艺，以去掉衬底的正面的热氧和氮化硅；步骤104、在正面生长外延层；步骤105、在衬底上生长1-20KA的低压二氧化硅薄膜；步骤106、在衬底上生长1-20KA的多晶层；步骤107、对正面采用BOE进行清洗，以去掉多余的氧化层。本实施例中，衬底为毫欧姆.厘米级掺杂的高浓度衬底。本实施例的步骤101中也可以采用干氧工艺在衬底上生长热氧。本实施例中，步骤103能够去掉衬底正面的热氧和氮化硅，这样背面和侧壁的热氧和氮化硅得以保留，同时氮化硅还可以作为后续清洗和刻蚀工艺中的阻挡层。步骤107清洗的目的是去掉正面多余的氧化层。多晶层用于平衡应力及作为步骤107中进行清洗时的阻挡层。低压二氧化硅薄膜用于作为后续生长多晶层时的缓存层。实施例2如图2所示，采用实施例1的方法生成的衬底的背封结构，该背封结构包括依次设于衬底上方的热氧层、氮化硅层、低压二氧化硅薄膜层和多晶层。参见图3和图4，为使用本专利技术的方法之前和之后生成的背封结构的效果对比。其中，图3为现有的方法生成的背封结构的背面的效果图，图4为采用本专利技术提供的方法生成的背封结构的背面的效果图。经对比发现，使用本专利技术提供的方法后，生成的背封结构的质量得到了明显改善，从图中能看到背封背面的坑洼的数量明显减少，坑洼的尺寸也明显缩小。本专利技术提供的衬底的背封方法及结构有效抑制了高浓度衬底掺杂对硅片正面后续工艺的影响，满足了器件的要求。虽然以上描述了本专利技术的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这仅是举例说明，本专利技术的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本专利技术的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底的背封方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在所述衬底上生长1‑20KA的热氧；S2、在所述衬底上生长1‑10KA的氮化硅；S3、去掉所述衬底的正面的热氧和氮化硅；S4、在所述正面生长外延层；S5、在所述衬底上生长1‑20KA的多晶层；S6、对所述正面进行清洗。

【技术特征摘要】
1.一种衬底的背封方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在所述衬底上生长1-20KA的热氧；S2、在所述衬底上生长1-10KA的氮化硅；S3、去掉所述衬底的正面的热氧和氮化硅；S4、在所述正面生长外延层；S5、在所述衬底上生长1-20KA的多晶层；S6、对所述正面进行清洗。2.如权利要求1所述的衬底的背封方法，其特征在于，步骤S4和步骤S5之间还包括以下步骤：在所述衬底上生长1-20KA的低压二氧化硅薄膜。3.如权利要求1所述的衬底的背封方法，其特征在于，所述衬底为毫欧姆.厘米级掺杂的衬底。4.如权利要求1所述的衬底的背封方法，其特征在于，步骤S3中...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峰松，陆颖，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31