具有陷阱富集区域的氮化镓设备制造技术

一种方法，将高电阻率硅基板和氮化镓层之间的高导电率区域冷熔，以形成将电荷载体基本上固定在该区域中的陷阱富集区域。这样的过程应该基本上减轻该区域对至少部分由氮化镓层形成的电路的寄生影响。

Gallium nitride equipment with trap enrichment region

One way is to melt the high conductivity region between the high resistivity silicon substrate and the GaN layer to form a trap enrichment area which basically holds the charge carrier in the region. Such a process should basically mitigate the parasitic effect of the region on at least part of the circuit formed by the gallium nitride layer.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有陷阱富集区域的氮化镓设备优先权本PCT申请要求2015年5月29日提交的美国临时申请No.62/168,473的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术一般涉及氮化镓电子装置，更具体地说，本专利技术涉及形成具有减轻的寄生效应的氮化镓电子装置。
技术介绍
由在高电阻率硅基板上外延生长的氮化镓层形成的电子装置在氮化镓/硅界面上自然形成高导电性层。当氮化镓或氮化铝层外延生长时，高温施加到硅上。结果，外延生长的层可以扩散到硅中，从而掺杂硅，导致硅的电阻率降低。例如，如图1所示，在硅基板上生长AlGaN超晶格或缓变缓冲层的过程中，Al和Ga可以作为形成掺杂Si区域的p型掺杂物。1电阻率的降低是由两种材料之间的边界处出现的自由电荷引起的。本领域的技术人员经常将该高导电率层称为“反转层”。充当导体的反型层与氮化镓层的电路不希望地电磁耦合，有效地在系统中形成功率损耗和噪声的重要来源。寄生传导层由称为R缓冲的电阻表示，并且R缓冲的值取决于Si基板的深度和掺杂浓度。另外，在GaN、缓冲和Si层之间可以看到电容耦合。因此这种电子装置的射频性能通常由反型层的性质决定。具体而言，反转层可以通过电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子装置，包括：硅基板；形成电路器件的GaN层，所述基板和GaN层形成界面；和从所述界面延伸的陷阱区域，所述陷阱区域被配置为将电荷载体基本上固定在所述陷阱区域中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.29 US 62/168,4731.电子装置，包括：硅基板；形成电路器件的GaN层，所述基板和GaN层形成界面；和从所述界面延伸的陷阱区域，所述陷阱区域被配置为将电荷载体基本上固定在所述陷阱区域中。2.根据权利要求1所述的电子装置，还包括：所述GaN层和所述硅基板之间的缓冲层。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述陷阱区域延伸到所述硅基板中。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述硅基板包含高电阻率硅。5.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述缓冲层具有允许GaN层外延生长的热膨胀系数。6.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述缓冲层由AlN形成。7.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述缓冲层包括多个层。8.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述缓冲层是超晶格。9.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述超晶格是ALGaN/GaN。10.一种形成电子装置的方法，包括：在硅基板上形成缓冲；在所述缓冲和所述硅基板上外延生长GaN层；和在GaN和所述硅基板之间形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·德立瓦拉，J·菲奥里扎，陈东贤，
申请(专利权)人：美国亚德诺半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国,US