去除晶圆背面边缘薄膜的装置与方法制造方法及图纸

一种去除晶圆背面边缘薄膜的装置与方法。该装置包括具有内槽(111)和外槽(1113)的真空吸盘(110)，外槽(1113)设置在真空吸盘(110)的外边缘，内槽(111)中设有内密封圈(1115)，外槽(1113)中设有外密封圈(1116)。当晶圆放置在真空吸盘(110)上时，真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)包围的区域与晶圆所形成的空间抽真空以将晶圆固定在真空吸盘(110)上，真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)与外密封圈(1116)之间的区域和晶圆所形成的空间充有压缩气体，以使真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)与外密封圈(1116)之间的区域和晶圆所形成的空间内保持正压，以防液体进入晶圆背面的中心区域。

The device and method of removing the film on the back edge of the wafer

A device and method for removing a thin film on the back edge of a wafer. The device comprises a vacuum sucker (110) with inner grooves (111) and outer grooves (1113), and the outer grooves (1113) are arranged on the outer edge of the vacuum sucker (110), and the inner grooves (111) are provided with an inner sealing ring (1115), and the outer groove (1113) is provided with an outer sealing ring (1116). When the wafer is placed in the vacuum chuck (110) when the vacuum chuck (110) by the inner sealing ring (1115) formed by region and surrounded by space vacuum wafer to wafer is fixed on the vacuum chuck (110), vacuum suction (110) by the inner sealing ring (1115) and the outer sealing the sealing ring (1116) is formed between the space charge region and the wafer with compressed gas, so that the vacuum chuck (110) by the inner sealing ring (1115) and the outer ring (1116) formed between the wafer area and space to maintain a positive pressure in heart area prevent liquid into the wafer backside the.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】去除晶圆背面边缘薄膜的装置与方法
本专利技术涉及一种去除晶圆背面边缘薄膜的装置与方法，尤其涉及一种不仅能去除晶圆背面边缘薄膜，还能防止晶圆背面中心区域的薄膜被损坏的装置与方法。
技术介绍
在集成电路制造领域，外延工艺通常包括以下步骤：晶体生长、切片、圆边、研磨、刻蚀、背面处理、抛光、清洗、外延生长等。背面处理步骤在重掺杂外延工艺中更为常用。在制造一重掺杂晶圆时，当温度约为1100℃，晶圆中的掺杂剂或杂质被引入到外延层，从而导致有害杂质的浓度上升，甚至在外延层产生新的微缺陷。因此，在晶圆背面形成薄膜是很有必要的。薄膜作为密封层阻止掺杂剂或杂质被引入到外延层。薄膜的材质可以是以下任意一种：SiO2、Si3N4、多晶硅等。薄膜，例如SiO2薄膜，通过CVD(化学气相沉积)等方式形成在晶圆背面。晶圆背面形成SiO2薄膜后，接下来的工艺是去除晶圆背面边缘的SiO2薄膜。由于在形成SiO2薄膜的过程中，SiO2薄膜不仅会在晶圆背面形成，还会在倒角、晶圆正面和晶圆背面的边缘形成。这些形成在倒角、晶圆正面和晶圆背面边缘的SiO2薄膜是不希望得到的，应该去除。去除形成在晶圆背面边缘的SiO2薄膜的传统本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除晶圆背面边缘薄膜的装置，其特征在于，包括：真空吸盘，具有内槽和外槽，内槽位于与晶圆中心区域相对应的位置，外槽位于真空吸盘的外边缘；内密封圈，设置在内槽中；以及外密封圈，设置在外槽中；其中，当晶圆放置在真空吸盘上时，真空吸盘上由内密封圈包围的区域与晶圆所形成的空间抽真空以将晶圆固定在真空吸盘上，真空吸盘上由内密封圈与外密封圈之间的区域和晶圆所形成的空间充有压缩气体，以使真空吸盘上由内密封圈与外密封圈之间的区域和晶圆所形成的空间内保持正压，以防液体进入晶圆背面的中心区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种去除晶圆背面边缘薄膜的装置，其特征在于，包括：真空吸盘，具有内槽和外槽，内槽位于与晶圆中心区域相对应的位置，外槽位于真空吸盘的外边缘；内密封圈，设置在内槽中；以及外密封圈，设置在外槽中；其中，当晶圆放置在真空吸盘上时，真空吸盘上由内密封圈包围的区域与晶圆所形成的空间抽真空以将晶圆固定在真空吸盘上，真空吸盘上由内密封圈与外密封圈之间的区域和晶圆所形成的空间充有压缩气体，以使真空吸盘上由内密封圈与外密封圈之间的区域和晶圆所形成的空间内保持正压，以防液体进入晶圆背面的中心区域。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，正压为一个大气压。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，正压大于一个大气压。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，正压为1-1.5个大气压。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，正压为1.2个大气压。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，压缩气体为氮气或清洁干燥空气。7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，真空吸盘还包括一个气流槽，气流槽位于内槽与外槽之间，气流槽内设有多个均匀分布的第一气孔，压缩气体通过第一气孔将真空吸盘上由内密封圈与外密封圈之间的区域与晶圆所形成的空间充满。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，气流槽.内槽和外槽为同心圆环。9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，内密封圈和外密封圈的截面为圆形。10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，内密封圈和外密封圈由耐腐蚀材料制成。11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，内密封圈和外密封圈由氟橡胶或聚四氟乙烯制成。12.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，外密封圈的高度高于内密封圈的高度。13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，内密封圈与外密封圈的高度差小于或等于5％。14.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，真空吸盘还包括一圈位于外槽外边缘的挡墙以将外密封圈限制在外槽内。15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，挡墙的高度低于外密封圈的高度以保证液体能喷洒到晶圆背面的边缘处。16.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，挡墙的底部还设有多个通孔以使聚集在外槽内的液体排出。17.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，外槽向真空吸盘的中心突起形成一个凹槽，外槽内与凹槽相对的位置设有定位销以将外密封圈挤压进凹槽。18.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，内槽的宽度由下向上逐渐变窄。19.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，真空吸盘包括：多个互连的真空槽，每个真空槽都与内槽相连；多个真空通道，竖直穿过真空吸盘并与真空槽相连；其中，通过真空通道和真空槽，真空吸盘上由内密封圈包围的区域与晶圆所形成的空间抽真空以将晶圆固定在真空吸盘上。20.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，真空吸盘包括真空沟槽，真空沟槽为环形并且靠近真空吸盘的中心，真空吸盘上由真空沟槽包围的区域设有多个与真空沟槽相连的.互连的真空槽，以及多个竖直穿过真空吸盘且与真空槽相连的真空通道，其中，真空吸盘上由真空沟槽包围的区域与晶圆所形成的空间通过真空通道和真空槽抽成真空以将晶圆固定在真空吸盘上。21.根据权利要求20所述的装置，其特征在于，真空吸盘还包括设置在真空沟槽内的密封件，密封件具有一个水平部和一个与水平部大致垂直相连并逐渐向外延伸的侧部，密封件的水平部通过紧固件固定在真空沟槽内，密封件的侧部紧压真空吸盘的上表面。22.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该装置还包括支撑台.支撑杆和驱动装置，支撑台包括支撑真空吸盘的水平台面和置于支撑杆内且与水平台面相连的竖轴，驱动装置与竖轴相连并带动竖轴在支撑杆内旋转，从而带动真空吸盘随支撑台一起转动。23.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，真空吸盘还设有多个气体通道，通过气体通道给真空吸盘上由内密封圈和外密封圈之间的区域与晶圆所形成的空间提供压缩气体，以使压缩气体充满该空间。24.根据权利要求23所述的装置，其特征在于，每个气体通道与设置在支撑台内的一气体走道的一端相连通，该气体走道穿过支撑台的水平台面和竖轴，气体走道位于水平台面的一端与气体通道相连通，气体走道位于竖轴内的另一端与设置在支撑杆内的环形气室相连，环形气室通过支撑杆上的气体入口与压缩气体源相连。25.根据权利要求23所述的装置，其特征在于，真空吸盘还包括设置在外槽内的多个第二气孔，第二气孔与气体通道相连。26.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，支撑台设置有使真空吸盘抽真空的真空走道，真空走道穿过支撑台的水平台面和竖轴，真空走道位于水平台面的一端与真空吸盘相连，真空走道位于竖轴的另一端与设置在支撑杆内的环形真空室相连，环形真空室通过支撑杆上的真空入口与真空源相连。27.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，内槽和外槽的截面为方形，内密封圈和外密封圈的截面为L型。28.根据权利要求27所述的装置，其特征在于，使用内压圈和外压圈将内密封圈和外密封圈分别固定在内槽和外槽内。29.一种去除晶圆背面边缘薄膜的装置，其特征在于，包括：真空吸盘，具有内槽和外槽，内槽位于与晶圆中心区域相对应的位置，外槽位于真空吸盘的外边缘；以及内密封圈，设置在内槽中；其中，当晶圆放置在真空吸盘上时，真空吸盘上由内密封圈包围的区域与晶圆所形成的空间抽真空以将晶圆固定在真空吸盘上，真空吸盘上由内密封圈与外槽之间的区域和晶圆所形成的空间充有压缩气体，以使真空吸盘上由内密封圈与外槽之间的区域和晶圆所形成的空间内的气压大于大气压，以防液体进入晶圆背面的中心区域。30.根据权利要求29所述的装置，其特征在于，外槽的截面为L型。31.根据权利要求29所述的装置，其特征在于，真空吸盘上由内密封圈与外槽之间的区域和晶圆所形成的空间内的气压为1-1.5个大气压。32.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓燕，王晖，吴均，程成，陈福发，陈福平，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31