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一种方法，将高电阻率硅基板和氮化镓层之间的高导电率区域冷熔，以形成将电荷载体基本上固定在该区域中的陷阱富集区域。这样的过程应该基本上减轻该区域对至少部分由氮化镓层形成的电路的寄生影响。...
该专利属于美国亚德诺半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国亚德诺半导体公司授权不得商用。

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