一种改进型高功率二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及电子元器件技术领域，尤其是指一种改进型高功率二极管，包括底板、设于底板的外壳、设于底板的芯片部以及依次设于底板的第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述第一引脚与第三引脚均设有焊接部，第二引脚与底板连接，所述外壳边沿处开设有第一缺口和第二缺口；所述芯片部设有与焊接部通过导线电连接的至少两个芯片；所述底板的一端设有散热部，散热部的厚度小于底板的厚度；所述底板下表面与多个引脚上表面之间的距离为0.68至0.87cm。本实用新型专利技术中，第一缺口与第二缺口有效增加了放电爬行的距离，提高二极管的安全性以及耐高电压性能；至少两个芯片有效提高了该二极管的放大功率；散热部有效降低芯片部热量。

An improved high power diode

The utility model relates to the technical field of electronic components, in particular to a modified high power diode, which comprises a bottom plate, the bottom plate of the shell, the bottom plate and the bottom plate are sequentially arranged in the chip first pin, second pin and third pin, the first pin and the third pin is provided with a welding part, second pin is connected with the bottom plate the shell, the edge is provided with a first gap and the second gap; the chip part is provided with a welding part electrically connected through wires at least two chip; one end of the base plate is provided with a radiating part, a thickness less than the thickness of the base plate of the radiating part; the lower surface of the base plate and a plurality of pins on the surface between the from 0.68 to 0.87cm. In the utility model, the first gap and the second gap effectively increase the distance of the discharge and creeping, improve the safety and high voltage performance of the diode, at least two chips effectively enhance the amplification power of the diode, and the heat dissipating part effectively reduces the heat of the chip part.

【技术实现步骤摘要】
一种改进型高功率二极管
本技术涉及电子元器件
，尤其是指一种改进型高功率二极管。
技术介绍
二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。目前，实现二极管的大功率输出需要配备多个芯片，但芯片过多会增加成本，过少的芯片会导致放大的功率不足；现有全包封高功率的二极管存在散热效率慢的问题，导致芯片容易烧坏；对于高电压器件，需配备相对应的大功率二极管，现有的大功率二极管的两根引线之间容易发生放电，而这种放电是沿外壳表面爬行，但由于引脚之间的间隔过，导致放电的爬行距离短，安全性低，耐高压能力低。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种高效散热而且耐高压电能力强的改进型高功率二极管。为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：一种改进型高功率二极管，包括底板、设于底板的外壳、设于底板的芯片部以及依次设于底板的第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述第一引脚与第三引脚均设有焊接部，第二引脚与底板连接，所述外壳边沿处开设有第一缺口和第二缺口，所述第一缺口位于第一引脚与第二引脚之间，所述第二缺口位于第二引脚与第三引脚之间；所述芯片部设有至少两个芯片，该至少两个芯片均与其所对应的焊接部通导线电连接；所述底板的一端设有散热部，该散热部的厚度小于底板的厚度；所述底板下表面与第一引脚上表面之间的距离为0.68至0.87cm。优选的，所述至少两个芯片阵列排布于所述芯片部。优选的，所述底板开设有连接孔。优选的，所述外壳由塑封料注塑成型。本技术的有益效果在于：本技术提供了一种改进型高功率二极管，第一缺口位于第一引脚与第二引脚之间，所述第二缺口位于第二引脚与第三引脚之间，增加了放电爬行的距离，从而有效提高二极管的安全性以及耐高电压性能；至少两个芯片有效提高了该二极管的放大功率；散热部的厚度小于底板的厚度，利用热传递效果，从而有效降低芯片部的热量，确保二极管能够正常的运行。附图说明图1为本技术的立体结构示意图。图2为本技术底板的立体结构示意图。图3为本技术底板另一视角的立体结构示意图。具体实施方式为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。如图1至图3所示，一种改进型高功率二极管，包括底板1、设于底板1的外壳2、设于底板1的芯片部3以及依次设于底板1的第一引脚4、第二引脚5和第三引脚6，所述第一引脚4与第三引脚6均设有焊接部7，第二引脚5与底板1连接，所述外壳2边沿处开设有第一缺口8和第二缺口9，所述第一缺口8位于第一引脚4与第二引脚5之间，所述第二缺口9位于第二引脚5与第三引脚6之间；所述芯片10部3设有至少两个芯片10，该至少两个芯片10均与其所对应的焊接部7通导线电连接；所述底板1的一端设有散热部11，该散热部11的厚度小于底板1的厚度；所述底板1下表面与第一引脚4上表面之间的距离为0.68至0.87cm。优选的，芯片10数目为两个，底板1下表面与第一引脚4上表面之间的距离为0.72cm，其中一个芯片10与第一引脚4的焊接部7通过导线电连接，另一个芯片10与第三引脚6的焊接部7通过导线电连接；第一缺口8位于第一引脚4与第二引脚5之间，所述第二缺口9位于第二引脚5与第三引脚6之间，增加了放电爬行的距离，从而有效提高二极管的安全性以及耐高电压性能；两个芯片10有效提高了该二极管的放大功率；散热部11的厚度小于底板1的厚度，利用热传递效果，从而有效降低芯片部3的热量，确保二极管能够正常的运行。本实施例中，所述至少两个芯片10阵列排布于所述芯片部3，优选芯片10数目为两个，阵列排布既美观，也方便芯片10与焊接部7导线的连接。本实施例中，所述底板1开设有连接孔12，连接孔12用于固定二极管。本实施例中，所述外壳2由塑封料注塑成型，塑封料注塑成型的外壳2能更好的保护芯片部3，而且该外壳2的绝缘性能强。在本技术的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“中心”，“横向(X)”、“纵向(Y)”、“竖向(Z)”“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本技术的具体保护范围。此外，如有术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”特征可以明示或者隐含包括一个或者多个该特征，在本技术描述中，“数个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术中，除另有明确规定和限定，如有术语“组装”、“相连”、“连接”术语应作广义去理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；也可以是机械连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介相连，可以是两个元件内部相连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述的术语在本技术中的具体含义。以上所述实施例仅表达了本技术的若干实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进型高功率二极管，包括底板（1）、设于底板（1）的外壳（2）、设于底板（1）的芯片部（3）以及依次设于底板（1）的第一引脚（4）、第二引脚（5）和第三引脚（6），所述第一引脚（4）与第三引脚（6）均设有焊接部（7），第二引脚（5）与底板（1）连接，其特征在于：所述外壳（2）边沿处开设有第一缺口（8）和第二缺口（9），所述第一缺口（8）位于第一引脚（4）与第二引脚（5）之间，所述第二缺口（9）位于第二引脚（5）与第三引脚（6）之间；所述芯片部（3）设有至少两个芯片（10），该至少两个芯片（10）均与其所对应的焊接部（7）通导线电连接；所述底板（1）的一端设有散热部（11），该散热部（11）的厚度小于底板（1）的厚度；所述底板（1）下表面与第一引脚（4）上表面之间的距离为0.68至0.87cm。

【技术特征摘要】
1.一种改进型高功率二极管，包括底板（1）、设于底板（1）的外壳（2）、设于底板（1）的芯片部（3）以及依次设于底板（1）的第一引脚（4）、第二引脚（5）和第三引脚（6），所述第一引脚（4）与第三引脚（6）均设有焊接部（7），第二引脚（5）与底板（1）连接，其特征在于：所述外壳（2）边沿处开设有第一缺口（8）和第二缺口（9），所述第一缺口（8）位于第一引脚（4）与第二引脚（5）之间，所述第二缺口（9）位于第二引脚（5）与第三引脚（6）之间；所述芯片部（3）设有至少两个芯片（10），该至少两个芯片（1...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明银，
申请(专利权)人：东莞市凌讯电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44