一种含蒽类化合物及其合成方法和有机发光器件技术

本发明专利技术提供一种含蒽类化合物及其合成方法和有机发光器件，涉及有机光电材料技术领域。本发明专利技术通过在蒽与吖啶相连的主体结构上连接不同的配体，调节材料的分子量、π共轭程度及亲电性。其载流子传输能力强，易于电荷的传输，且玻璃化温度提高，不易结晶，成膜性更好。合成方法简单易操作。该材料应用于制备有机发光器件，尤其可用作有机发光器件的电子传输层，其有机发光器件具有发光效率高、寿命长的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种含蒽类化合物及其合成方法和有机发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
，尤其涉及一种含蒽类化合物及其合成方法和有机发光器件。
技术介绍
有机发光器件(OLED)作为一种新兴的平面面板显示，其具有自发光、视角宽、全固化、全彩化、反应速度快、高亮度、低驱动电压、厚度薄、质量轻、可制作大尺寸与弯曲面板等特点，近年来，OLED在显示器市场得到了越来越多的应用，成为目前最具潜力的面板显示技术。有机发光器件其结构为一般包括阴极、阳极及处于二者之间的有机物层，其中有机物层主要包括发光层和平衡载流子注入和传输的各有机物层，其中有机层主要包括：载流子注入材料、载流子传输材料和发光材料。载流子传输材料又分为电子传输材料和空穴传输材料。由于载流子空穴和电子的传输速度差别较大，导致器件载流子失衡，电子和空穴的复合区域容易偏向一侧电极，从而导致激子猝灭而失光，发光效率降低，且会造成光色不均匀及寿命降低。随着市场对OLED器件要求的进一步提高，更高发光效率、更长寿命、更低成本成为OLED器件发展的趋势，所以开发一种电子传输性能、热稳定性、成膜性好的电子传输材料成为一种亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种含蒽类化合物及其合成方法和有机发光器件，本专利技术通过在蒽与吖啶相连的主体结构上连接不同的配体，调节材料的分子量、π共轭程度及亲电性。其载流子传输能力强，易于电荷的传输，且玻璃化温度提高，不易结晶，成膜性更好。其合成方法简单易操作，使用该含蒽类化合物制备的有机发光器件具有发光效率高、寿命长的优点。本专利技术提供了一种含蒽类化合物，其分子结构通式如化学式I所示：其中，R1选自氢、取代或未取代的C1～C60的烷基、取代或未取代的C1～C60的烷氧基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C60的杂环基、取代或未取代的C10-C60稠环基中的一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C60的杂环基、取代或未取代的C10-C60稠环基中的一种。优选的，R1选自氢、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代C6～C30芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C30的杂环基、取代或未取代的C10-C24稠环基中的一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代C12～C30的芳胺基、取代或未取代的C3～C30的杂环基、取代或未取代的C10-C30稠环基中的一种。优选的，Ar1、Ar2选自如下所示基团中的任意一种：X、Y、Z独立地选自氢、氰基、硝基、C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基、C6～C30芳基、C10～C30的稠环基或C3～C30的杂环基。优选的，本专利技术所述的一种含蒽类化合物，选自如下所示化学结构中的任意一种：本专利技术提供了一种含蒽类化合物的合成方法，其合成路线如下：其中，R1选自氢、取代或未取代的C1～C60的烷基、取代或未取代的C1～C60的烷氧基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C60的杂环基、取代或未取代的C10-C60稠环基中的一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C60的杂环基、取代或未取代的C10-C60稠环基中的一种。本专利技术还提供了一种有机发光器件，所述有机发光器件包括阴极、阳极和置于所述两电极之间的一个或多个有机物层，所述的有机物层含有本专利技术所述的任一项含蒽类化合物。优选的，所述有机物层包括电子传输层，电子传输层中含有本专利技术所述的含蒽类化合物。本专利技术的有益效果：本专利技术提供一种含蒽类化合物及其合成方法和有机发光器件。本专利技术通过在蒽与吖啶相连的主体结构上连接不同的配体，调节材料的分子量、π共轭程度及亲电性。分子共轭体系增大，且使得电荷更易分散，材料的电荷迁移定向性增强，材料体系更加稳定；分子量增加使得材料的玻璃化温度提高；且通过连接不同的配体，降低分子的平面性，使材料不易结晶，成膜性更好。该材料应用于制备有机发光器件，尤其可作为有机发光器件的电子传输层，其有机发光器件在发光效率和使用寿命上有良好的表现。具体实施方式：下面将结合本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。本专利技术提供了一种含蒽类化合物，其分子结构通式如化学式I所示：其中，R1选自氢、取代或未取代的C1～C60的烷基、取代或未取代的C1～C60的烷氧基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C60的杂环基、取代或未取代的C10-C60稠环基中的一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C60的杂环基、取代或未取代的C10-C60稠环基中的一种。优选的，R1选自氢、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代C6～C30芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C30的杂环基、取代或未取代的C10-C24稠环基中的一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代C12～C30的芳胺基、取代或未取代的C3～C30的杂环基、取代或未取代的C10-C30稠环基中的一种。按照本专利技术，所述取代的烷基、取代的烷氧基、取代的芳基、取代的芳烷基、取代的杂环基、取代的稠环基、取代的芳胺基中，所述取代基独立地选自氘、C1-C10烷基、C1～C30的烷氧基、氰基、卤素、硝基、C6-C24芳基、C10～C30的稠环基或C3-C20杂环基。优选的，Ar1、Ar2可选自如下所示基团中的任意一种：X、Y、Z独立地选自氢、氰基、硝基、C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基、C6～C30芳基、C10～C30的稠环基或C3～C30的杂环基。优选的，本专利技术所述的一种含蒽类化合物选自如下所示化学结构中的任意一种：本专利技术还提供了一种含蒽类化合物的合成方法，合成路线如下所示：其中，R1选自氢、取代或未取代的C1～C60的烷基、取代或未取代的C1～C60的烷氧基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C60的杂环基、取代或未取代的C10-C60稠环基中的一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C60的杂环基、取代或未取代的C10-C60稠环基中的一种。本专利技术所述的含蒽类化合物通过一系列Buchward偶联、Suziki偶联、溴化反应合成本专利技术所述化学式I的含蒽类化合物。本专利技术对上述反应没有特殊的限制，采用本领域技术人员所熟知的常规反应即可，该制备方法简单，易于操作。其中R1、Ar1、Ar2的选择同上所述，在此不再赘述。本专利技术还提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含蒽类化合物，其特征在于，其分子结构通式如化学式I所示：

【技术特征摘要】
1.一种含蒽类化合物，其特征在于，其分子结构通式如化学式I所示：其中，R1选自氢、取代或未取代的C1～C60的烷基、取代或未取代的C1～C60的烷氧基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C60的杂环基、取代或未取代的C10-C60稠环基中的一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C60的杂环基、取代或未取代的C10-C60稠环基中的一种。2.根据权利要求1所述的一种含蒽类化合物，其特征在于，R1选自氢、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代C6～C30芳基、取代或未取代C7～C60的芳胺基、取代或未取代的C3～C30的杂环基、取代或未取代的C10-C24稠环基中的一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代C12～C30的芳胺基、取代或未取代的C3～C30的杂环基、取代或未取代的C10-C30稠环基中的一种。3.根据权利要求1所述的一种含蒽类化合物，其特征在于，Ar1、Ar2选自如下所示基团中的任意一种：X、Y、Z独...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡辉，董秀芹，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22