一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法技术

本发明专利技术公开了半导体领域应用的一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法。所述封装步骤如下：A)将硅胶荧光粉薄膜片安装于载具上；B)将LED芯片贴装在硅胶荧光粉薄膜片上；C)将产品进行高温烘烤加固操作；D)利用切割设备按照设定尺寸沿LED芯片的间隙进行切割，形成切割道；E)去除切割道内切下的硅胶荧光粉薄膜片；F)将产品进行等离子清洗；G)将胶状二氧化硅点设在相邻LED芯片之间；H)将产品进行固化操作；I)利用切割设备进行对胶状二氧化硅的切割操作；J)将产品进行分离，得到单颗一面发光的CSP LED产品。该生产步骤简单，容易操作，从而降低了生产要求，实现生产成本的降低，同时提高了生产合格率，为产品质量一致性提供了保障。

A kind of encapsulation method based on CSP encapsulation structure for one side light LED

The invention discloses an encapsulation method of one kind of light emitting LED based on the CSP package structure in the semiconductor field. The package includes the following steps: A) will be installed on the silica gel phosphor film carrier; B) the LED chip is attached on the silica gel phosphor thin film; C) the products of high temperature baking reinforcement operation; D) according to the cutting gap set size along the LED chip by cutting equipment, the formation of the cutting path E); removal of the silica gel phosphor powder film cutting under Daoneiqie; F) the product of plasma cleaning; G) between the colloidal silica points are located in the adjacent LED chip; H) product curing operation; I) using colloidal silica on the two cutting operation of cutting equipment; J) products were isolated. Get the single side emitting CSP LED products. The production process is simple and easy to operate, so as to reduce production requirements, reduce production costs, improve production qualification rate, and provide guarantee for product quality consistency.

【技术实现步骤摘要】
一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法
本专利技术涉及一种半导体领域应用的一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法。
技术介绍
目前市场上CSP(ChipScalePackage)封装主要有五面发光和单面发光两种封装形式，五面发光出光效率高，但是由于是从五面发光，光色的均匀性及指向性较差，而高端领域均需求光色均匀性好，发光指向性好，便于配光，无法满足高端领域的应用；单面发光的封装形式，采用白色挡墙将芯片四周包裹，使得芯片正面出光，其他四面不出光，此种封装光色一致性好，发光指向性好，但是封装工艺需要先在倒装芯片周围压模白墙，再在芯片表面压模白光胶，封装工艺非常复杂，且生产效率较低，产品质量无法保证。如专利技术专利CN201710260967.7公开了一种CSPLED封装方法，具体步骤如下：步骤一、提供中心区域为空的白色反光围墙，所述白色反光围墙是由多个白色反光挡墙首尾相连所围成；步骤二、提供载板；步骤三、将双面粘性膜贴与载板上；步骤四、将白色反光挡墙贴与双面粘性膜上；步骤五、将倒装芯片固定到白色反光围墙的中心空区域；步骤六、在倒装芯片上、倒装芯片与白色反光挡墙之间的间隙处均涂覆透明胶水，并烘烤；步骤七、透明胶水烘干后在透明胶水表面涂覆荧光粉；从而整片CSP模块封装完成；步骤八、将封装好的整片CSP模块划切成单颗CSPLED；步骤九、将双面粘性膜从载板上剥离；步骤十、将划切好的单颗CSPLED从双面粘性膜上剥离，完成CSPLED封装。该生产过程较为繁琐，且生产效率较低，对生产要求较高，同时生产质量无法保证，难以实现产品质量的一致性。专利技术内容本专利技术解决的技术问题是提供一种提高封装效率的一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法，所述封装步骤如下：A)将硅胶荧光粉薄膜片安装于载具上，所述硅胶荧光粉薄膜片包括保护膜，所述保护膜位于硅胶荧光粉薄膜片和载具之间；B)将LED芯片贴装在硅胶荧光粉薄膜片上，所述LED芯片为倒装结构，所述相邻LED芯片存在间隙；C)将产品进行高温烘烤加固操作，所述烘烤温度为110度至130度，烘烤时间为0.5小时至1.5小时；D)利用切割设备按照设定尺寸沿LED芯片的间隙进行切割，所述切割设备切割至保护膜，所述切割设备使相邻LED芯片切割形成切割道；E)去除切割道内切下的硅胶荧光粉薄膜片；F)将产品进行等离子清洗；G)将胶状二氧化硅点设在相邻LED芯片之间，所述点胶高度与LED芯片齐平，所述胶状二氧化硅对切割道进行填充；H)将产品进行固化操作，所述固化操作为二段式高温烘烤，所述二段式高温烘烤包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段的烘烤温度为90度至110度，所述第一阶段的烘烤时间为1.5小时至2.5小时，所述第二阶段的烘烤温度为150度至170度，所述第二阶段的烘烤时间为3.5小时至4.5小时；I)利用切割设备沿LED芯片间隙进行对胶状二氧化硅的切割操作，所述切割设备(5)切割至保护膜；J)将产品进行分离，得到单颗一面发光的CSPLED产品。本申请利用硅胶荧光粉薄膜片和胶状二氧化硅相配合的形式制作形成一面发光的CSPLED产品。该生产方法有效提高了生产效率，保证了生产效果，同时避免了资源的浪费，提高了产品生产合格率。进一步的是，所述B)步骤中LED芯片呈矩形阵列式分布。进一步的是，所述胶状二氧化硅为硅胶和二氧化硅的混合物。进一步的是，所述步骤C)中的烘烤温度为120度，烘烤时间为1小时。进一步的是，所述步骤H)中第一阶段的烘烤温度为100度，烘烤时间为2小时；所述第二阶段的烘烤温度为169度，烘烤时间为4小时。本专利技术的有益效果是：1、该生产过程步骤简单，容易操作，从而降低了生产要求，实现生产成本的降低，同时提高了产品的生产合格率，保证了产品质量，为产品一致性提供了保障；2、该倒装结构的设置，使该LED芯片的尺寸更小，使光学效果更容易匹配，同时该芯片的散热功能提升，使芯片的寿命也得到了提升，此外也实现了抗静电能力的提高，适用于封装操作中，使该产品性能更加稳定；3、步骤C)的高温烘烤固化操作，有效保证了LED芯片与硅胶荧光粉薄膜片的连接效果，避免了后续切割道形成过程中对LED芯片的影响，保证了产品连接稳定性；4、矩形阵列式分布设置，则该LED芯片实现有序排列，进而保证了该间隙设置的有序性，保证了加工操作的规范性以及操作效率；5、该二段式烘烤的设置，有效保证了产品的固化效果，为后续的切割操作质量提供了保障。附图说明图1为本专利技术的一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法的封装产品结构示意图；图2为本专利技术的一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法的步骤A中载具和硅胶荧光粉薄膜片的连接结构示意图；图3为本专利技术的一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法的步骤B中载具、硅胶荧光粉薄膜片和LED芯片的连接结构示意图；图4为本专利技术的一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法的步骤D的连接结构示意图；图5为本专利技术的一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法的步骤E的连接结结构示意图；图6为本专利技术的一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法的步骤G的连接结构示意图；图7为本专利技术的一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法的步骤I的连接结构示意图；图中标记为：载具1，硅胶荧光粉薄膜片2，保护膜21，切割道22，LED芯片3，胶状二氧化硅4，切割设备5。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进一步说明。在生产过程中，工作人员首先根据所需产品进行对应载具1的选择和拿取，进而将硅胶荧光粉薄膜片2安装在该载具1上。工作人员根据LED所需色温参数以及芯片波段确定好荧光粉型号，然后将荧光粉与硅胶混合后烘干成型形成硅胶荧光粉薄膜片2。该硅胶荧光粉薄膜片2的适用范围较为广泛，根据所需色坐标即可实现之间的选取，减少了人工调制问题，减少了工作步骤，同时保证了生产质量。该硅胶荧光粉薄膜片2具有保护膜，将保护膜朝向载具1，则对应的另一端面朝外，该步骤A)的设置连接如图2所示。6、此时经过步骤A)形成的硅胶荧光粉薄膜片2与载具1连接后，进行LED芯片3的贴置。该硅胶荧光粉薄膜片2一方面满足了LED芯片3的一面发光效果，同时实现了生产过程中LED芯片3的位置的限定，保证了生产效果。为避免正装芯片中因电极挤占发光面积从而影响发光效率，本申请使用倒装结构。该倒装结构即把正装芯片进行导致，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出。同时倒装技术也可以细分为两类，一类是在蓝宝石芯片基础上倒装，蓝宝石衬底保留，利于散热，但是电流密度提升并不明显；另一类是倒装结构并剥离了衬底材料，可以大幅度提升电流密度。该倒装结构的LED芯片3使其尺寸可以做到更小，使光学更容易匹配，同时该芯片的散热功能提升，使芯片的寿命也得到了提升，此外也实现了抗静电能力的提高。该倒装结构更加适用于封装操作中，使该产品性能更加稳定。同时该步骤B)LED芯片3为进行间隔设置，即相邻LED芯片3存在间隙。为保证后续切割操作的稳步进行，本申请将LED芯片3进行呈矩形阵列式分布，则该LED芯片3的有序排列保证了该间隙设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法，其特征在于，所述封装步骤如下：A)将硅胶荧光粉薄膜片(2)安装于载具(1)上，所述硅胶荧光粉薄膜片(2)包括保护膜(21)，所述保护膜(21)位于硅胶荧光粉薄膜片(2)和载具(1)之间；B)将LED芯片(3)贴装在硅胶荧光粉薄膜片(2)上，所述LED芯片(3)为倒装结构，所述相邻LED芯片(3)存在间隙；C)将产品进行高温烘烤加固操作，所述烘烤温度为110度至130度，烘烤时间为0.5小时至1.5小时；D)利用切割设备(5)按照设定尺寸沿LED芯片(3)的间隙进行切割，所述切割设备(5)切割至保护膜(21)，所述切割设备(5)使相邻LED芯片(3)切割形成切割道(22)；E)去除切割道(22)内切下的硅胶荧光粉薄膜片(2)；F)将产品进行等离子清洗；G)将胶状二氧化硅(4)点设在相邻LED芯片(3)之间，所述点胶高度与LED芯片(3)齐平，所述胶状二氧化硅(4)对切割道(22)进行填充；H)将产品进行固化操作，所述固化操作为二段式高温烘烤，所述二段式高温烘烤包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段的烘烤温度为90度至110度，所述第一阶段的烘烤时间为1.5小时至2.5小时，所述第二阶段的烘烤温度为150度至170度，所述第二阶段的烘烤时间为3.5小时至4.5小时；I)利用切割设备(5)沿LED芯片(3)间隙进行对胶状二氧化硅(4)的切割操作，所述切割设备(5)切割至保护膜(21)；J)将产品进行分离，得到单颗一面发光的CSP LED产品。...

【技术特征摘要】
1.一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法，其特征在于，所述封装步骤如下：A)将硅胶荧光粉薄膜片(2)安装于载具(1)上，所述硅胶荧光粉薄膜片(2)包括保护膜(21)，所述保护膜(21)位于硅胶荧光粉薄膜片(2)和载具(1)之间；B)将LED芯片(3)贴装在硅胶荧光粉薄膜片(2)上，所述LED芯片(3)为倒装结构，所述相邻LED芯片(3)存在间隙；C)将产品进行高温烘烤加固操作，所述烘烤温度为110度至130度，烘烤时间为0.5小时至1.5小时；D)利用切割设备(5)按照设定尺寸沿LED芯片(3)的间隙进行切割，所述切割设备(5)切割至保护膜(21)，所述切割设备(5)使相邻LED芯片(3)切割形成切割道(22)；E)去除切割道(22)内切下的硅胶荧光粉薄膜片(2)；F)将产品进行等离子清洗；G)将胶状二氧化硅(4)点设在相邻LED芯片(3)之间，所述点胶高度与LED芯片(3)齐平，所述胶状二氧化硅(4)对切割道(22)进行填充；H)将产品进行固化操作，所述固化操作为二段式高温烘烤，所述二段式高温烘烤包括第一阶段和第二阶段，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李多海，
申请(专利权)人：昆山芯乐光光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32