用于加工引线框架的方法和引线框架技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于加工引线框架的方法和引线框架本专利技术涉及用于处理引线框架的方法、涉及引线框架且涉及光电子照明设备。本专利申请要求德国专利申请DE102015107515.6的优先权，该文献的公开内容通过引用并入本文中。公布的专利申请DE102013215650A1在其段落[0001]中提及构造带有壳体的带有光电子半导体芯片的光电子部件是公知的，所述光电子部件已经嵌入由铜制成的引线框架部分。在此类光电子部件中，可以规定将光电子半导体芯片布置在引线框架部分上且将其嵌入封装材料中。本专利技术的目的可以被认为是提供一种有效理念，其允许引线框架的有效处理，和有效地处理的引线框架，以及有效地生产的光电子照明设备。该目的通过独立权利要求的相应主题实现。本专利技术的有利的构造是相应的从属权利要求的主题。根据一个方面，提供一种用于处理具有至少一个导电接触部分的引线框架的方法，所述方法包括如下步骤：-在至少一个导电接触部分中形成凹陷，以便形成第一导电接触子部分和第二导电接触子部分，其借助于凹陷彼此分隔开，-形成由壳体材料制成的壳体，所述壳体包括至少部分地嵌入引线框架的壳体框架，壳体的形成包括将壳...
【技术保护点】
一种用于处理具有至少一个导电接触部分（401）的引线框架（400）的方法，其包括如下步骤：‑ 在所述至少一个导电接触部分（401）中形成（2501）凹陷（701），以便形成第一导电接触子部分（703）和第二导电接触子部分（705），其借助于所述凹陷（701）彼此分隔开，‑ 形成（2503）由壳体材料制成的壳体（1001），所述壳体包括至少部分地嵌入所述引线框架（400）的壳体框架（1003），所述壳体（1001）的形成包括将壳体材料引入到所述凹陷（701）中，以便借助于引入到所述凹陷（701）中的所述壳体材料形成的壳体框架部分（1005）在所述第一导电接触子部分（703）和...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.13 DE 102015107515.61.一种用于处理具有至少一个导电接触部分（401）的引线框架（400）的方法，其包括如下步骤：-在所述至少一个导电接触部分（401）中形成（2501）凹陷（701），以便形成第一导电接触子部分（703）和第二导电接触子部分（705），其借助于所述凹陷（701）彼此分隔开，-形成（2503）由壳体材料制成的壳体（1001），所述壳体包括至少部分地嵌入所述引线框架（400）的壳体框架（1003），所述壳体（1001）的形成包括将壳体材料引入到所述凹陷（701）中，以便借助于引入到所述凹陷（701）中的所述壳体材料形成的壳体框架部分（1005）在所述第一导电接触子部分（703）和所述第二导电接触子部分（705）之间形成，以便借助于所述壳体框架部分（1005）机械地稳定所述第一导电接触子部分（703）和所述第二导电接触子部分（705）。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述壳体框架部分（1005）的形成包括布置在所述凹陷（701）外侧的粘合剂屏障部分（1605）的形成，以便所述壳体框架部分（1005）包括布置在所述凹陷（701）外侧的粘合剂屏障部分（1605）。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在多个导电接触部分的情况下，这些至少部分地借助于至少一个机械稳定元件（407）连接，其在所述壳体（1001）的形成期间被至少部分地嵌入在所述壳体框架（1003）中。4.根据权利要求3所述的方法，其中，在形成所述壳体（1001）之后移除所述至少一个机械稳定元件（407）。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述移除包括蚀刻。6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其包括：使所述第一导电接触子部分（703）和所述第二导电接触子部分（705）彼此分离（2505），以便所述第一导电接触子部分（703）和所述第二导电接触子部分（705）彼此电气绝缘。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述分离包括蚀刻。8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述凹陷（701）的形成包括蚀刻。9.根据权利要求5、7和8中的至少一项所述的方法，其中，预期保持不发生蚀刻的区域设有蚀刻保护（2301）。10.根据权利要求5、7、8和9中的至少一项所述的方法，其中，所述蚀刻包括干法蚀刻和/或湿法蚀刻。11.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：D里希特，B霍兰德，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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