一种倒装HV‑LED光源制造技术

本申请公开了一种倒装HV‑LED光源及其制备方法，其中，所述倒装HV‑LED光源的反射膜和金属层共同构成了所述倒装HV‑LED光源中的HV‑LED芯片的反光面，提升了HV‑LED芯片的光源利用率，从而提升了所述倒装HV‑LED光源的出光效率；另外，所述倒装HV‑LED光源中的封装层与所述基板表面所成角度为预设角度，为所述HV‑LED芯片提供了一个反光杯结构，使得所述HV‑LED芯片的出射光线在其出射光路上能够被该反光杯结构反射向所述倒装HV‑LED光源的出光面，从而进一步增强所述倒装HV‑LED芯片的出光效率。

A flip HV LED light source

The invention discloses a flip HV LED light source and a preparation method thereof, wherein, the reflective film and the metal layer of the HV flip LED light source consists of a reflective surface HV LED chip of the HV flip LED light source in the light, to enhance the utilization rate of HV LED chip, which provided the rise of the optical efficiency of the flip chip HV LED light source; in addition, the flip chip encapsulation layer HV LED light source and the substrate surface angle as the preset angle, provides a reflective cup structure for the HV LED chip, making the exit light in the light the road can be the reflection of the reflecting cup structure to flip HV LED light source to the light out of the HV LED chip, so as to further enhance the optical efficiency of the flip chip LED HV.

【技术实现步骤摘要】
一种倒装HV-LED光源
本申请涉及半导体器件
，更具体地说，涉及一种倒装HV-LED光源。
技术介绍
高压发光二极管(HighVoltageLightEmittingDiode，HV-LED)光源，又称高亮度发光二极管光源，是一种新型的固态照明光源，其额定电压可达30V-70V，具有光电转换效率高、环保无污染、可靠性高、响应时间快、辐射效率高和寿命长等优点。由于传统的DC-LED芯片在大电流低电压下工作，为提升其工作电压，一般采用集成封装结构，即将多颗芯片串并联，而HV-LED光源直接在芯片级就实现了微晶粒的串并联，并在低电流高电压下工作，HV-LED光源不仅能够将加油交流电通过外接全波整流器驱动，也可采用直流驱动，运用范围广。现有的HV-LED光源主要分为正装HV-LED光源和倒装HV-LED光源，其中，正装HV-LED光源是指把HV-LED芯片的电极朝上，衬底朝下的方式用粘结材料与支架连接，然后在电极上打线与支架相连，从而实现HV-LED芯片与电极的电连接。正装HV-LED光源由于电极和电极焊接点都在HV-LED芯片出光面方向上，由于电极和电极焊接点都会吸收部分光线，而降低光源的出光效率。为了解决正装HV-LED光源的上述问题，倒装HV-LED光源应运而生，传统的倒装HV-LED光源通过HV-LED芯片的倒装焊解决了电极和电极焊接点的遮光问题，但是如何对倒装HV-LED光源的封装结构进行进一步的改善，以进一步提升倒装HV-LED光源的出光效率，成为相关领域研究人员努力的方向之一。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供一种倒装HV-LED光源，以实现提高倒装HV-LED光源的出光效率的目的。为实现上述技术目的，本技术实施例提供了如下技术方案：一种倒装HV-LED光源，包括：至少一个HV-LED芯片；基板，所述基板表面具有至少一个凹槽；位于每个所述凹槽背离所述基板一侧表面的反射膜，每个所述反射膜表面设置一个所述HV-LED芯片，所述HV-LED芯片的出光面背离所述反射膜；位于所述基板表面的金属层、第一电极和第二电极，所述金属层用于实现所述至少一个HV-LED芯片与所述第一电极和第二电极的电连接；位于所述至少一个HV-LED芯片背离所述基板一侧的封装层，所述封装层覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层，且与所述基板表面所成角度为预设角度；所述封装层包括：功能层以及包围所述功能层的支撑结构；所述功能层包括：覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层的第一荧光粉层；位于所述荧光粉背离所述金属层一侧表面的保护层；所述预设角度的取值范围为，0°-90°，不包括端点值。可选的，所述金属层包括：走线层和至少一个连接结构；每个所述连接结构位于一个所述凹槽中，一个所述连接结构用于连接一个所述HV-LED芯片；所述走线层用于实现所述连接结构与所述第一电极及第二电极的电连接。可选的，所述凹槽的剖面形状为正倒梯形，且所述倒梯形的高度与所述连接结构的高度相等。可选的，所述预设角度的取值范围为45°±10°，包括端点值。可选的，所述功能层还包括：位于所述第一荧光粉层与所述保护层之间的透镜及减反射膜；所述减反射膜位于所述透镜与所述保护层之间。可选的，所述功能层还包括：位于所述减反射膜与所述保护层之间的第二荧光粉层。可选的，所述基板为陶瓷基板。可选的，所述支撑结构包括反射单元和支撑单元；其中，所述反射单元位于所述支撑单元与所述功能层之间。可选的，所述反射单元为布拉格反射镜薄膜反射单元或二维光子晶体材料反射单元。一种倒装HV-LED光源的制备方法，包括：提供基板；对所述基板进行刻蚀，形成至少一个凹槽；在所述基板表面敷金属膜层，并对所述金属膜层进行刻蚀，以使所述凹槽表面暴露出来，形成金属层、第一电极和第二电极；在所述凹槽表面形成反射膜；在每个所述反射膜表面倒装焊一个HV-LED芯片，所述HV-LED芯片通过所述金属层与所述第一电极及第二电极电连接，所述HV-LED芯片的出光面背离所述反射膜；在所述至少一个HV-LED芯片背离所述基板一侧，形成覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层的封装层，所述封装层与所述基板表面所成角度为预设角度；所述封装层包括：功能层以及包围所述功能层的支撑结构；所述功能层包括：覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层的第一荧光粉层；位于所述荧光粉背离所述金属层一侧表面的保护层；所述预设角度的取值范围为，0°-90°，不包括端点值。可选的，所述预设角度的取值范围为45°±5°，包括端点值。可选的，所述在所述基板表面敷金属膜层，并对所述金属膜层进行刻蚀，以使所述凹槽表面暴露出来，形成金属层包括：在所述基板表面设置铜箔；对所述基板与所述铜箔进行共晶烧结，形成铜金属膜层；在所述铜金属膜层表面设置光敏胶，并对所述光敏胶进行曝光、显影，形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述铜金属膜层进行刻蚀，使所述凹槽表面暴露出来，形成铜金属层。从上述技术方案可以看出，本技术实施例提供了一种倒装HV-LED光源及其制备方法，其中，所述倒装HV-LED光源的反射膜和金属层共同构成了所述倒装HV-LED光源中的HV-LED芯片的反光面，提升了HV-LED芯片的光源利用率，从而提升了所述倒装HV-LED光源的出光效率；另外，所述倒装HV-LED光源中的封装层与所述基板表面所成角度为预设角度，为所述HV-LED芯片提供了一个反光杯结构，使得所述HV-LED芯片的出射光线在其出射光路上能够被该反光杯结构反射向所述倒装HV-LED光源的出光面，从而进一步增强所述倒装HV-LED芯片的出光效率。并且，在所述倒装HV-LED光源中，所述HV-LED芯片通过设置于所述基板上的凹槽与所述基板直接接触，极大的提高了光源的散热能力，为所述HV-LED芯片提供了良好的工作环境。进一步的，在所述倒装HV-LED光源中，所述HV-LED芯片的倒装设计使得可以通过所述金属层实现引出，大大简化了所述倒装HV-LED光源的外部驱动电路。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请的一个实施例提供的一种倒装HV-LED光源的剖面结构示意图；图2为本申请的一个优选实施例提供的一种倒装HV-LED光源的剖面结构示意图；图3为本申请的一个实施例提供的一种金属层的俯视结构示意图；图4为本申请的一个实施例提供的一种连接结构的示意图；图5为本申请的一个实施例提供的一种倒装HV-LED光源的制备方法的流程示意图；图6为本申请的另一个实施例提供的一种倒装HV-LED光源的制备方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本申请实施例提供了一种倒装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装HV‑LED光源，其特征在于，包括：至少一个HV‑LED芯片；基板，所述基板表面具有至少一个凹槽；位于每个所述凹槽背离所述基板一侧表面的反射膜，每个所述反射膜表面设置一个所述HV‑LED芯片，所述HV‑LED芯片的出光面背离所述反射膜；位于所述基板表面的金属层、第一电极和第二电极，所述金属层用于实现所述至少一个HV‑LED芯片与所述第一电极和第二电极的电连接；位于所述至少一个HV‑LED芯片背离所述基板一侧的封装层，所述封装层覆盖所述至少一个HV‑LED芯片及所述金属层，且与所述基板表面所成角度为预设角度；所述封装层包括：功能层以及包围所述功能层的支撑结构；所述功能层包括：覆盖所述至少一个HV‑LED芯片及所述金属层的第一荧光粉层；位于所述荧光粉背离所述金属层一侧表面的保护层；所述预设角度的取值范围为，0°‑90°，不包括端点值。

【技术特征摘要】
1.一种倒装HV-LED光源，其特征在于，包括：至少一个HV-LED芯片；基板，所述基板表面具有至少一个凹槽；位于每个所述凹槽背离所述基板一侧表面的反射膜，每个所述反射膜表面设置一个所述HV-LED芯片，所述HV-LED芯片的出光面背离所述反射膜；位于所述基板表面的金属层、第一电极和第二电极，所述金属层用于实现所述至少一个HV-LED芯片与所述第一电极和第二电极的电连接；位于所述至少一个HV-LED芯片背离所述基板一侧的封装层，所述封装层覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层，且与所述基板表面所成角度为预设角度；所述封装层包括：功能层以及包围所述功能层的支撑结构；所述功能层包括：覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层的第一荧光粉层；位于所述荧光粉背离所述金属层一侧表面的保护层；所述预设角度的取值范围为，0°-90°，不包括端点值。2.根据权利要求1所述的倒装HV-LED光源，其特征在于，所述金属层包括：走线层和至少一个连接结构；每个所述连接结构位于一个所述凹槽中，一个所述连接结构用于连接一个所述HV-LED芯片；所述走...

【专利技术属性】
技术研发人员：何苗，王成民，熊德平，杨思攀，黄波，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：新型
国别省市：广东,44