一种CLAMP类型的静电保护电路制造技术

本发明专利技术属于静电保护电路技术领域，具体涉及一种CLAMP类型的静电保护电路，所述静电保护电路中设置有包含NMOS管的泄放电路，所述泄放电路利用所述NMOS管的骤回导电来泄放静电电压，所述NMOS管的工作电压低于所述静电电压，所述静电保护电路能够通过仿真软件模拟运行，提高了第一次流片的成功率，节省了资金成本和时间成本。

【技术实现步骤摘要】
一种CLAMP类型的静电保护电路
本专利技术属于静电保护电路
，具体涉及一种CLAMP类型的静电保护电路。
技术介绍
集成电路的发展使得工艺越来越先进，MOS器件的尺寸也越来越小,大家为了得到更小的芯片面积,总倾向于用更先进的工艺来实现芯片的设计。但是随着MOS器件尺寸越来越小，MOS器件的工作电压也越来越低，比如0.13um的工艺，可以提供最高电压为5V的器件。到了55nm和40nm的工艺，只能提供最高电压为3.3V的器件了。甚至到了28nm的工艺，只能提供最高电压为1.8V的器件了。而遗憾的是，我们的应用对电压的要求是固定的，并不会因为选择的工艺不同而有所降低。比如USB20的芯片，就要求输出电压达到3.3V。而如果我们用的是28nm的工艺来实现的话，我们就需要用1.8VMOS器件来设计3.3V电压的ESD保护电路。ESD保护电路一般分为两种类型，类型一是通过电路的合理设计，打开MOS管的沟道来实现ESD(静电释放)电流的泻放，此类的代表是CLAMP电路，其特点是可以利用spice等仿真工具进行ESD性能的仿真预估，以此来精确预估实际芯片的ESD能力，保证第一次流片的成功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CLAMP类型的静电保护电路，其特征是：所述静电保护电路中设置有包含NMOS管的泄放电路，所述泄放电路利用所述NMOS管的骤回导电来泄放静电电压，所述NMOS管的工作电压低于所述静电电压，所述静电保护电路能够通过仿真软件模拟运行。

【技术特征摘要】
1.一种CLAMP类型的静电保护电路，其特征是：所述静电保护电路中设置有包含NMOS管的泄放电路，所述泄放电路利用所述NMOS管的骤回导电来泄放静电电压，所述NMOS管的工作电压低于所述静电电压，所述静电保护电路能够通过仿真软件模拟运行。2.如权利要求1所述的CLAMP类型的静电保护电路，其特征是，所述静电保护电路包括：从VDD至GND之间依次串联的第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)；所述第一电阻(R1)、第二电阻(R2)之间的电压为V18,所述第二电阻(R2)、第三电阻(R3)之间的电压为V15；漏端与所述VDD相连的第二PMOS管(MP2)、漏端通过线路N5与所述第二PMOS管(MP2)的源端相连的第一PMOS管(MP1)、漏端与所述第一PMOS管(MP1)的源端相连且源端与所述GND相连的第一NMOS管(MN1)；在所述VDD至所述第二电阻(R2)、第三电阻(R3)之间的线路上，串联设置第五电阻(R5)和第一电容(C1)，所述第五电阻(R5)靠近所述VDD；所述第一PMOS管(MP1)的栅端连接在所述第一电容(C1)至所述第二电阻(R2)、第三电阻(R3)之间的线路上；还包括第二NMOS管(MN2)、第三电容(C3)、第四电阻(R4)，所述第二NMOS管(MN2)的漏端通过所述第三电容(C3)连接所述GND，所述第一NMOS管(MN1)的栅端通过线路N1连接在所述第三电容(C3)与所述第二NMOS管(MN2)的漏端之间的线路上，所述第二NMOS管(MN2)的栅端通过所述第四电阻(R4)连接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆敏，
申请(专利权)人：灿芯创智微电子技术北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11