半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，第一电极通过一绝缘层与第二电极、第三电极、第四电极以及纳米异质结构电绝缘；第二电极、第三电极、第四电极与纳米异质结构电连接，所述纳米异质结构包括一第一金属性碳纳米管，一半导体性碳纳米管，一半导体层以及一第二金属性碳纳米管，所述半导体层包括一第一表面以及一相对的第二表面，第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管平行间隔设置于第一表面，第二金属性碳纳米管设置于第二表面；第一金属性碳纳米管和所述半导体性碳纳米管朝第一方向延伸，第二金属性碳纳米管朝第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术涉及一种半导体器件。
技术介绍
异质结是由两种不同的半导体材料相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p结或N-n结）和异型异质(P-n或p-N)结，多层异质结称为异质结构。通常形成异质的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，采用异质结制作的半导体器件也具有优良的光电特性。然而，受技术水平的限制，现有的半导体器件中的异质结通常为微米结构，一定程度上限制了半导体器件的应用。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种具有纳米异质结的半导体器件。一种半导体器件，包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，所述第一电极通过一绝缘层与所述第二电极、第三电极、第四电极以及所述纳米异质结构电绝缘；所述第二电极、第三电极、第四电极与所述纳米异质结构电连接，所述纳米异质结构包括一第一金属性碳纳米管，一半导体性碳纳米管，一半导体层以及一第二金属性碳纳米管，所述半导体层包括一第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，所述第一电极通过一绝缘层与所述第二电极、第三电极、第四电极以及所述纳米异质结构电绝缘；所述第二电极、第三电极、第四电极与所述纳米异质结构电连接，其特征在于，所述纳米异质结构包括一第一金属性碳纳米管，一半导体性碳纳米管，一半导体层以及一第二金属性碳纳米管，所述半导体层包括一第一表面以及一相对的第二表面，所述第一金属性碳纳米管和所述半导体性碳纳米管平行间隔设置于第一表面，所述第二金属性碳纳米管设置于第二表面；所述第一金属性碳纳米管和所述半导体性碳纳米管朝第一方向延伸，所述第二金属性碳纳米管朝第二方向延伸，第二方向...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，所述第一电极通过一绝缘层与所述第二电极、第三电极、第四电极以及所述纳米异质结构电绝缘；所述第二电极、第三电极、第四电极与所述纳米异质结构电连接，其特征在于，所述纳米异质结构包括一第一金属性碳纳米管，一半导体性碳纳米管，一半导体层以及一第二金属性碳纳米管，所述半导体层包括一第一表面以及一相对的第二表面，所述第一金属性碳纳米管和所述半导体性碳纳米管平行间隔设置于第一表面，所述第二金属性碳纳米管设置于第二表面；所述第一金属性碳纳米管和所述半导体性碳纳米管朝第一方向延伸，所述第二金属性碳纳米管朝第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属性碳纳米管或第二金属性碳纳米管为单壁碳纳米管，所述第一金属性碳纳米管或第二金属性碳纳米管的直径为0.5纳米~10纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金，魏洋，姜开利，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11