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一种半导体器件，包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，第一电极通过一绝缘层与第二电极、第三电极、第四电极以及纳米异质结构电绝缘；第二电极、第三电极、第四电极与纳米异质结构电连接，所述纳米异质结构包括一第一金属...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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